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非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究 被引量:9
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作者 陈剑辉 刘保亭 +5 位作者 李晓红 王宽冒 李曼 赵冬月 杨林 赵庆勋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期23-26,共4页
以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了不同温度下高真空退火样品的输运性质、微观结构与表面形貌。实... 以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了不同温度下高真空退火样品的输运性质、微观结构与表面形貌。实验发现非晶Ni-Al-N薄膜经过650℃的高温处理仍能保持非晶态,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明非晶Ni-Al-N具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。另外,相对于Ni-Al扩散阻挡层材料,N的掺入填充了阻挡层的缺陷,降低了Cu膜粗糙度,使薄膜表面更加平整致密,起到了细化晶粒的作用。对Ni-Al-N阻挡层的失效机制的研究表明Ni-Al-N阻挡层的失效机制有别于传统的Cu-Si互扩散机制,Cu膜内应力导致其颗粒内聚形成大团簇,与阻挡层剥离会导致Cu/Ni-Al-N/Si结构失效。 展开更多
关键词 CU互连 Ni-al-N 扩散阻挡层 失效机制
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用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究 被引量:3
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作者 霍骥川 刘保亭 +7 位作者 邢金柱 周阳 李晓红 李丽 张湘义 王凤青 王侠 彭英才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2005-2007,共3页
以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达75... 以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。 展开更多
关键词 CU互连 Ni—al 扩散阻挡层
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用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能 被引量:2
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作者 任国强 邢金柱 +4 位作者 李晓红 郭建新 代秀红 杨保柱 赵庆勋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-464,共3页
应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/... 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。 展开更多
关键词 CU互连 阻挡层 Ta/Ti-al 射频磁控溅射
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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
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作者 施海铭 汪辉 +1 位作者 李化阳 林俊毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期569-572,共4页
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原... 侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。 展开更多
关键词 al-Cu互连 侧壁孔洞缺陷 θ相al2Cu光刻胶清洗
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双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究 被引量:2
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作者 唐昭焕 王大平 +5 位作者 梁涛 李荣强 王斌 任芳 崔伟 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期266-269,共4页
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,... 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。 展开更多
关键词 半导体工艺 刻蚀 铝互连 双层布线 倒梯形通孔
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铝和铜互连线的晶粒结构及残余应力研究
6
作者 王晓冬 卫斌 +2 位作者 张隐奇 刘志民 吉元 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期81-86,共6页
采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸(45~65 nm)小于Al互连... 采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸(45~65 nm)小于Al互连线的晶粒尺寸(200~300 nm);Cu互连线(111)的织构强度(2.56)低于Al互连线(111)的织构强度(15.35);Cu互连线沿线宽方向的应力σ22随线宽的减小而增加,即沉积态和退火态的Cu互连线的σ22由73和254 MPa(4μm线宽)分别增加到104和301 MPa(0.5μm线宽).Cu互连线和Al互连线的流体静应力σ均为张应力.Al互连线的主应力σ11、σ22和σ33随Al膜厚度的减小而增加.退火使Al互连线的σ11、σ22和σ33降低,表明Al互连线中的残余应力主要为热应力. 展开更多
关键词 al互连线 Cu互连线 晶粒结构 织构 应力
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磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜 被引量:1
7
作者 邢金柱 刘保亭 +6 位作者 霍骥川 周阳 李晓红 李丽 张湘义 彭英才 王侠 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期83-86,共4页
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探... 采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。 展开更多
关键词 铜互连 阻挡层 钛-铝薄膜 射频磁控溅射
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A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性
8
作者 王俊忠 刘志民 +3 位作者 钟涛兴 张隐奇 李志国 吉元 《中国体视学与图像分析》 2005年第4期218-220,共3页
采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111... 采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111}织构,并使小角度晶界增加,从而提高了A l互连线的电徙动可靠性。 展开更多
关键词 al互连线 EBSD 晶粒结构 电徙动
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ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
9
作者 付厚奎 吴月花 +5 位作者 刘志民 郭春生 李志国 程尧海 吉元 崔伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期577-580,共4页
对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟... 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。 展开更多
关键词 VLSI 铝互连线 热应力 有限元
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In-situ study on hydrogen bubble evolution in the liquid Al/solid Ni interconnection by synchrotron radiation X-ray radiography 被引量:4
10
作者 Zongye Ding Qiaodan Hu +6 位作者 Wenquan Lu Xuan Ge Sheng Cao Siyu Sun Tianxing Yang Mingxu Xia Jianguo Li 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期1388-1392,共5页
Synchrotron X-ray radiography was used to carry out an in-situ observation of the hydrogen bubble evolution in the liquid Al/solid Ni interconnection. The individual bubble mainly grows in a stochastic way during heat... Synchrotron X-ray radiography was used to carry out an in-situ observation of the hydrogen bubble evolution in the liquid Al/solid Ni interconnection. The individual bubble mainly grows in a stochastic way during heating. The size distribution for groups of bubbles follows a Gaussian distribution in the early stage and Lifshitz-Slyozov-Wagner(LSW) diffusion controlled distribution in the final stage. The intermetallic compounds(IMCs) first form during solidification, following by the hydrogen bubbles. The bubbles between two adjacent Al3Ni grains grow unidirectionally along the liquid channel, with the bottom being impeded by the Al3Ni phase and the radius of the growth front being smaller. For the bubbles at triple junctions, they grow along the liquid channel and the crack with morphology transition. 展开更多
关键词 Synchrotron radiation LIQUID al/solid NI interconnectION HYDROGEN BUBBLE Intermetallic compounds Growth behavior
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0.13μm嵌入式闪存金属互连短路失效分析与改进
11
作者 赵江 张雷 +1 位作者 顾培楼 黄其煜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期139-144,共6页
研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相(Al2Cu)在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致T... 研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相(Al2Cu)在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致Ti N刻蚀被阻止。由于Al-Cu物理气相沉积(PVD)时作业腔内的硅片表面温度接近350℃,推测θ相(Al_2Cu)的形成是硅片表面温度偏低所导致的。基于上述假设提出一个优化的Al-Cu物理气相沉积工艺方案,通过提高作业腔中硅片表面温度避免θ相生成。实验结果表明,新的工艺方案可以有效避免θ相(Al_2Cu)形成,并能解决金属互连短路的问题。 展开更多
关键词 嵌入式闪存 金属互连 失效分析 铝铜合金 θ相
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大面积芯片/DBC基板自蔓延互连热应力场研究 被引量:1
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作者 向语嫣 周政 +3 位作者 张峻 刘辉 周龙早 吴丰顺 《电子工艺技术》 2019年第4期187-191,共5页
与传统整体加热的大面积芯片/DBC基板焊料互连方法相比,使用自蔓延薄膜为局部热源的焊料互连方法有加热迅速、热影响区小和热量集中等特点。主要采用有限元模拟的方法,对大面积芯片/DBC基板自蔓延互连过程中的热应力场进行分析,得到了... 与传统整体加热的大面积芯片/DBC基板焊料互连方法相比,使用自蔓延薄膜为局部热源的焊料互连方法有加热迅速、热影响区小和热量集中等特点。主要采用有限元模拟的方法,对大面积芯片/DBC基板自蔓延互连过程中的热应力场进行分析,得到了不同时刻互连结构的翘曲变化,研究了压力对互连结构残余应力的影响规律。 展开更多
关键词 自蔓延互连 热应力场 有限元模拟 al/Ni自蔓延薄膜
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铝金属溅射工艺优化改善光刻套刻精度
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作者 陈菊英 姚亮 《集成电路应用》 2016年第7期34-37,共4页
铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL ... 铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL Grain首枚效应着手,在不改变堆叠结构、厚度和主要工艺条件情况下,铝合金薄膜制备中不同工艺步骤间追加Ar cooling。通过实验找到一种优化工艺,在保证可靠性的前提下,有效地改善铝表面的晶粒大小,提高光刻层间的套刻精度。 展开更多
关键词 铝互连 首枚效应 al GRAIN 反射率 套刻精度
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超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型 被引量:10
14
作者 宗兆翔 杜磊 +2 位作者 庄奕琪 何亮 吴勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期5872-5878,共7页
将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这... 将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化.数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实. 展开更多
关键词 电迁移 al互连 电阻变化
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铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战 被引量:16
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作者 张文杰 易万兵 吴瑾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5424-5434,共11页
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0·18μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理... 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0·18μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向. 展开更多
关键词 电迁移 铝互连 微结构
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中国东盟电力互联的动力与困境——基于区域性公共产品理论的研究 被引量:8
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作者 张锐 王晓飞 《国际关系研究》 CSSCI 2019年第6期71-89,M0005,M0006,共21页
中国东盟电力互联是一个典型的区域性公共产品,有利于实现区域内能源资源的优化配置,塑造更为紧密的中国—东盟命运共同体。其发展动力源于双方互补的电力供需契合,也基于东盟能源转型的诉求。近年来,双边电力互联陷入供给不足和进展滞... 中国东盟电力互联是一个典型的区域性公共产品,有利于实现区域内能源资源的优化配置,塑造更为紧密的中国—东盟命运共同体。其发展动力源于双方互补的电力供需契合,也基于东盟能源转型的诉求。近年来,双边电力互联陷入供给不足和进展滞缓的困境之中,电力贸易规模始终有限,跨国电网建设停滞不前,诸多倡议长期停留在纸面。造成合作困境的原因具体包括:东盟国家优先发展国内电力基础设施、现有的多边合作机制缺乏成效、建设资金不足、社会层面存在反对意见和域外国家的影响。尽管面临诸多阻碍,中国东盟电力互联也迎来了"一带一路"建设、湄澜合作机制等发展机遇,需要各方及时把握。 展开更多
关键词 中国东盟电力互联 区域性公共产品 跨国电网 电力市场
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