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Characteristics of Nb/Al superconducting tunnel junctions fabricated using ozone gas 被引量:2
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作者 Masahiro Ukibe Go Fujii Masataka Ohkubo 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期182-186,共5页
To improve the energy resolution(?E) of Nb/Al superconducting tunnel junctions(STJs), an ozone(O3) oxidation process has been developed to fabricate a thin defect-free tunnel barrier that simultaneously shows h... To improve the energy resolution(?E) of Nb/Al superconducting tunnel junctions(STJs), an ozone(O3) oxidation process has been developed to fabricate a thin defect-free tunnel barrier that simultaneously shows high critical current JC〉 1000 A/cm^2 and high normalized dynamic resistance RDA 〉 100 MΩ·μm^2, where A is the size of the STJ. The 50-μm^2 STJs produced by O3 exposure of 0.26 Pa·min with an indirect spray of O3 gas, which is a much lower level of exposure than the O2 exposure used in a conventional O2 oxidation process, exhibit a maximum JC= 800 A/cm^2 and a high RDA = 372 MΩ ·μm^2. The 100-pixel array of the 100-μm^2STJs produced using the same O3 oxidation conditions exhibits a constant leak current I leak= 14.9 ± 3.2 n A at a bias point around △ /e(where e is half the energy gap of an STJ),and a high fabrication yield of 87%. Although the I leak values are slightly larger than those of STJs produced using the conventional O2 oxidation process, the STJ produced using O3 oxidation shows a ?E = 10 eV for the C-Kα line, which is the best value of our Nb/Al STJ x-ray detectors. 展开更多
关键词 Nb/al superconducting tunnel junctions high critical current density high energy resolution OZONE
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Fabrication of Al/AlO_x/Al Josephson junctions and superconducting quantum circuits by shadow evaporation and a dynamic oxidation process 被引量:4
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作者 吴玉林 邓辉 +6 位作者 于海峰 薛光明 田野 李洁 陈莺飞 赵士平 郑东宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期206-210,共5页
Besides serving as promising candidates for realizing quantum computing, superconducting quantum circuits are one of a few macroscopic physical systems in which fundamental quantum phenomena can be directly demonstrat... Besides serving as promising candidates for realizing quantum computing, superconducting quantum circuits are one of a few macroscopic physical systems in which fundamental quantum phenomena can be directly demonstrated and tested, giving rise to a vast field of intensive research work both theoretically and experimentally. In this paper we report our work on the fabrication of superconducting quantum circuits, starting from its building blocks: Al/AlOx/Al Josephson junctions. By using electron beam lithography patterning and shadow evaporation, we have fabricated aluminum Josephson junctions with a controllable critical current density (jc) and wide range of junction sizes from 0.01 μm2 up to 1 μm2. We have carried out systematical studies on the oxidation process in fabricating Al/AlOx/Al Josephson junctions suitable for superconducting flux qubits. Furthermore, we have also fabricated superconducting quantum circuits such as superconducting flux qubits and charge-flux qubits. 展开更多
关键词 Josephson junction al/alox/al superconducting qubit
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Fe/Al_2O_3/Fe隧道结的巨磁电阻效应 被引量:2
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作者 徐庆宇 陈浩 +2 位作者 陆钧 倪刚 都有为 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期42-42,47,共2页
研究了Fe(2 0 0℃退火 ) /Al2 O3/Fe多层膜隧道结的巨磁电阻效应 ,在室温下获得了 5.89%的巨磁电阻效应 ,并且测量了样品的伏安曲线 ,证明了隧道效应的存在。
关键词 隧道结 巨磁电阻效应 Fe/al2/Fe 多层膜
全文增补中
Nb/Al-AlO_x/Nb隧道结制备中压控电压源阳极氧化工艺研究 被引量:2
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作者 查士同 曹春海 +5 位作者 许钦印 李梦月 康琳 许伟伟 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期31-33,共3页
采用计算机程控的压控电压源阳极氧化模式研究制备出自对准Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的绝缘层Nb2O5/Al2O3/Nb2O5。研究了氧化电压、氧化层的厚度和氧化时间的关系。当阳极氧化电压变化率低于8V/min时,阳极氧化层的厚度基本取决于氧化电压的大... 采用计算机程控的压控电压源阳极氧化模式研究制备出自对准Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的绝缘层Nb2O5/Al2O3/Nb2O5。研究了氧化电压、氧化层的厚度和氧化时间的关系。当阳极氧化电压变化率低于8V/min时,阳极氧化层的厚度基本取决于氧化电压的大小,而与氧化电压变化率无关。我们已采用电压源阳极氧化技术成功制备出超导Nb/Al-AlOx/Nb隧道结。 展开更多
关键词 阳极氧化 隧道结 Nb/al-alox/Nb
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Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
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作者 房玉荣 曹春海 +6 位作者 许钦印 王林 张广涵 姚晓栋 许伟伟 孙国柱 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2013年第9期47-49,69,共4页
研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道... 研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。 展开更多
关键词 al alox al 超导隧道结 铝刻蚀 制备工艺
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利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究 被引量:1
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作者 张静 许伟伟 +4 位作者 昌路 吉争鸣 陆殷华 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期32-35,共4页
采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发... 采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。对小面积的Al超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接。 展开更多
关键词 电子束蒸发 al薄膜 铝超导隧道结
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超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数
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作者 王林 许伟伟 +3 位作者 翟计全 李晓虎 孙国柱 吴培亨 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第27期2728-2733,共6页
超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚... 超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析,选取60 nm作为隧道结底层Al厚度,增加蒸发源到样品衬底间的距离,提高了Al薄膜平整度,降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析,观测到Al隧道结三层结构,并得到了势垒层厚度和氧分压的关系. 展开更多
关键词 超导磁通量子比特 al/alox/al超导隧道结 静态氧化 透射电子显微镜分析 势垒层厚度 薄膜平整度 漏电比
原文传递
Al/AlO_x/Al隧道结简化制备技术
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作者 张广涵 曹春海 +6 位作者 翟计全 姚晓栋 李永超 陈健 康琳 许伟伟 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2015年第7期22-24,共3页
研究了一种在高阻硅衬底上Al/Al Ox/Al超导隧道结简化制备技术。通过一次光刻镀膜完成隧道结结区的确定和上引线的制备,工艺流程简单重复。在0.3K温度下测量了隧道结样品的I-V特性,能隙电压Vg为0.37m V,超导临界电流密度约为12A/cm2。
关键词 al/alox/al 隧道结 制备工艺
原文传递
超导Josephson隧道结性能和超导量子比特电路的设计方案
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作者 李晓虎 许伟伟 +2 位作者 翟计全 李永超 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2014年第11期40-43,47,共5页
超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件。利用悬空掩膜和电子束斜蒸发相结合的工艺方法制备Al/Al2O3/Al超导Josephson隧道结,并且系统研究了底电极、上电极薄膜的厚度及氧化参数等工艺条件与隧道结超导电流密度Jc和面积归一... 超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件。利用悬空掩膜和电子束斜蒸发相结合的工艺方法制备Al/Al2O3/Al超导Josephson隧道结,并且系统研究了底电极、上电极薄膜的厚度及氧化参数等工艺条件与隧道结超导电流密度Jc和面积归一化电阻Rc的关系。设计测量了三种方案的超导量子比特电路,通过对参数和结构的优化测出了较理想的量子比特(qubit)信号。 展开更多
关键词 al隧道结 超导电流密度 面积归一化电阻 qubit信号
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三维传输子量子比特制备研究 被引量:1
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作者 刘奥谱 曹春海 +7 位作者 卢盛 李永超 潘佳政 涂学凑 孙国柱 陈健 许伟伟 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2019年第8期28-32,共5页
研究了三维传输子(3D-transmon)量子比特的制备技术。采用电子束光刻技术制备亚微米双层胶悬空掩模,电子束斜蒸发技术制备Al/AlOx/Al超导隧道结。将隧道结与三维谐振腔耦合,成功实现3D-transmon。在20 mK下测试了量子比特的能级跃迁频... 研究了三维传输子(3D-transmon)量子比特的制备技术。采用电子束光刻技术制备亚微米双层胶悬空掩模,电子束斜蒸发技术制备Al/AlOx/Al超导隧道结。将隧道结与三维谐振腔耦合,成功实现3D-transmon。在20 mK下测试了量子比特的能级跃迁频率、拉比振荡、能量弛豫时间t1等性能,t1约566 ns。t1较短的原因是量子比特跃迁频率与三维谐振腔频率接近,耦合过紧。 展开更多
关键词 al/alox/al 隧道结 三维传输子 量子比特
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超导太赫兹直接检测器的制备技术研究
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作者 王海萍 曹春海 +5 位作者 刘奥谱 徐祖雨 孙国柱 陈健 许伟伟 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2018年第10期40-44,共5页
本文研究了超导太赫兹直接检测器的制备流程和关键工艺技术,采用步进投影式光刻技术,来满足检测器对小面积超导隧道结和高频宽带匹配电路的高精度尺寸要求。实验获得了Nb膜反应离子刻蚀形成约42°斜坡角度的刻蚀气体CF4/O2比,解决... 本文研究了超导太赫兹直接检测器的制备流程和关键工艺技术,采用步进投影式光刻技术,来满足检测器对小面积超导隧道结和高频宽带匹配电路的高精度尺寸要求。实验获得了Nb膜反应离子刻蚀形成约42°斜坡角度的刻蚀气体CF4/O2比,解决了超导微带线在天线边缘处容易断线问题,成功制备出超导太赫兹直接检测器样品。 展开更多
关键词 Nb/al-alox/Nb 隧道结 太赫兹检测器 斜坡刻蚀 制备工艺
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