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题名808nm无铝有源区激光器研究
被引量:2
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作者
陈宏泰
刘英斌
花吉珍
安振峰
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期500-502,557,共4页
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文摘
外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件。结果表明,器件工作波长为808 nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286 A/cm2,斜率效率为1.2 W/A,内损耗为2.1 cm-1,内量子效率为0.87。镀膜后,阈值电流密度为300 A/cm2,180 A时的输出功率为180 W,斜率效率大于1.15 W/A。在载体温度为60℃时,准连续工作3×108个脉冲后,功率下降小于5%。
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关键词
半导体激光器
无铝有源区
外延生长
大功率
寿命
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Keywords
semiconductor laser diode
al-free active region mocvd high power lifetime
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分类号
TN248.8
[电子电信—物理电子学]
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