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808nm无铝有源区激光器研究 被引量:2
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作者 陈宏泰 刘英斌 +1 位作者 花吉珍 安振峰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期500-502,557,共4页
外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件。结果表明,器件工作波长为808 nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286 A/cm2,斜率效率为1.2 W/A,内损耗为2.1 cm-1,内量子效率为0.87。镀膜后... 外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件。结果表明,器件工作波长为808 nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286 A/cm2,斜率效率为1.2 W/A,内损耗为2.1 cm-1,内量子效率为0.87。镀膜后,阈值电流密度为300 A/cm2,180 A时的输出功率为180 W,斜率效率大于1.15 W/A。在载体温度为60℃时,准连续工作3×108个脉冲后,功率下降小于5%。 展开更多
关键词 半导体激光器 无铝有源区 外延生长 大功率 寿命
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