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采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路
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作者 李明祥 童勤义 庄庆德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期37-40,共4页
本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。
关键词 硅衬底 集成电路 砷化镓 兼容 单片
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TiW合金阻挡层对Cu/Cu^2+扩散的阻挡能力研究 被引量：1
2
作者 唐昭焕 梁涛 +2 位作者 刘勇 谭开洲 王飞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期567-570,共4页
通过对Cu/Cu2+在TiW及硅中的扩散理论分析,从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0.38μm的PNP管β值的研究表明,80 nm以上厚度的TiW合金层可以在AlCu/TiW/Si系统中作为Cu/Cu2+的扩散阻挡层。
关键词 半导体工艺 tiw 扩散阻挡层 alcu/tiw/si系统 PNP晶体管 Cu/Cu2+
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