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Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算
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作者 贾瑜 顾华伟 +4 位作者 李新建 姚乾凯 魏英耐 马丙现 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 2000年第1期42-47,共6页
在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .
关键词 氮化镓 反常驰豫 表面电子结构 氮化铝 氮化硼
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