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TiO_2 nanofilm growth by Ti ion implantation and thermal annealing in O_2 atmosphere
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作者 周小东 周思华 +1 位作者 孙现科 张云丽 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期106-112,共7页
TiO2 nanofilms on surface of fused silica were fabricated by Ti ion implantation and subsequent thermal annealing in oxygen ambience. The silica glasses were implanted by 20 k V Ti ions to 1.5 × 1017ions/cm2 on a... TiO2 nanofilms on surface of fused silica were fabricated by Ti ion implantation and subsequent thermal annealing in oxygen ambience. The silica glasses were implanted by 20 k V Ti ions to 1.5 × 1017ions/cm2 on an implanter of metal vapor vacuum arc(MEVVA) ion source. Effects of annealing parameters on formation,growth and phase transformation of the TiO2 nanofilms were studied in detail. Optical absorption spectroscopy,Raman scattering spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy measurements were done to figure out formation mechanism of the TiO2 nanofilms.The formation of TiO2 nanofilms was due to out-diffusion of the implanted Ti ions to the substrate surface,where they were oxidized into TiO2 nanoparticles. Formation, phase, and thickness of the TiO2 nanofilms can be well tailored by controlling annealing parameters. 展开更多
关键词 TiO2纳米薄膜 离子注入机 薄膜生长 氧气气氛 热退火 纳米TIO2薄膜 X射线光电子能谱 TIO2纳米粒子
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Optical characterization of defects in narrow-gap HgCdTe for infrared detector applications
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作者 Fang-Yu Yue Su-Yu Ma +4 位作者 Jin Hong Ping-Xiong Yang Cheng-Bin Jing Ye Chen Jun-Hao Chu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期52-64,共13页
Narrow-gap Hg_(1-x)Cd_x Te material with a composition x of about 0.3 plays an extremely important role in mid-infrared detection applications. In this work, the optical properties of doped HgCdTe with x ≈ 0.3 are re... Narrow-gap Hg_(1-x)Cd_x Te material with a composition x of about 0.3 plays an extremely important role in mid-infrared detection applications. In this work, the optical properties of doped HgCdTe with x ≈ 0.3 are reviewed, including the defects and defect levels of intrinsic V_(Hg) and the extrinsic amphoteric arsenic(As) dopants, which can act as shallow/deep donors and acceptors. The influence of the defects on the determination of band-edge electronic structure is discussed when absorption or photoluminescence spectra are considered. The inconsistency between these two optical techniques is demonstrated and analyzed by taking into account the Fermi level position as a function of composition, doping level,conductivity type, and temperature. The defect level and its evolution, especially in As-doped HgCdTe, are presented. Our results provide a systematic understanding of the mechanisms and help for optimizing annealing conditions towards p-type As-activation, and eventually for fabricating high performance mid-infrared detectors. 展开更多
关键词 HGCDTE DEFECTS annealING PROCEDURES optical characterization
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Annealing behaviour of structure and morphology and its effects on the optical gain of Er^3+/yb^3+ co-doped Al2O3 planar waveguide amplifier
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作者 谭娜 张庆瑜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第9期2165-2169,共5页
Using transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffraction analysis, we have studied the structural and morphological evolution of highly Er/Yb co-doped A1203 films in the temperature range from 600℃-900℃.... Using transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffraction analysis, we have studied the structural and morphological evolution of highly Er/Yb co-doped A1203 films in the temperature range from 600℃-900℃. By comparison with TEM observation, the annealing behaviours of photoluminescence (PL) emission and optical loss were found to have relation to the structure and morphology. The increase of PL intensity and optical loss above 800℃ might result from the crystallization of amorphous Al2O3 films. Based on the study on the structure and morphology, a rate equation propagation model of a multilevel system was used to calculate the optical gains of Er-doped Al2O3 planar waveguide amplifiers involving the variation of PL efficiency and optical loss with annealing temperature. It was found that the amplifiers had an optimized optical gain at the temperature corresponding to the minimum of optical loss, rather than at the temperature corresponding to the maximum of PL efficiency, suggesting that the optical loss is a key factor for determining the optical gain of an Er-doped Al2O3 planar waveguide amplifier. 展开更多
关键词 Er-doped waveguide amplifier annealing behaviour structural characterization optical gain
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区域特性约束下的油藏物性模拟 被引量:11
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作者 夏红敏 黄旭日 +1 位作者 王尚旭 王连君 《地球物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第3期769-774,共6页
为了提高油藏物性模拟的精度,本文提出了包含两个约束条件的目标函数,考虑在既满足井条件与空间结构变化,同时又满足油田范围内观测到的油藏物理性质的约束下,应用模拟退火算法,对孔隙度的空间分布进行预测模拟.由于目标函数有效地结合... 为了提高油藏物性模拟的精度,本文提出了包含两个约束条件的目标函数,考虑在既满足井条件与空间结构变化,同时又满足油田范围内观测到的油藏物理性质的约束下,应用模拟退火算法,对孔隙度的空间分布进行预测模拟.由于目标函数有效地结合了静、动态信息,从而降低了模拟结果的不确定性,提高了模型的精度.合成数据的油藏物性模拟试验表明,该方法收敛快、稳定性好,模拟的结果令人满意. 展开更多
关键词 模拟退火 油藏物性模拟 目标函数 区域特性约束
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高温退火一步非破坏性纯化碳纳米管 被引量:2
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作者 弓巧娟 李贺军 +2 位作者 王翔 李克智 张秀莲 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第23期2365-2368,共4页
针对催化化学气相法合成的碳纳米管含有金属、金属氧化物和碳杂质,且缺陷较多进行了非破坏性纯化研究.基于碳纳米管与碳杂质间结构、性质的微小差异,1800℃使粗制的碳纳米管高温退火3 h,为避免碳纳米管氧化,高温退火过程在氩气气氛中... 针对催化化学气相法合成的碳纳米管含有金属、金属氧化物和碳杂质,且缺陷较多进行了非破坏性纯化研究.基于碳纳米管与碳杂质间结构、性质的微小差异,1800℃使粗制的碳纳米管高温退火3 h,为避免碳纳米管氧化,高温退火过程在氩气气氛中完成.运用扫描电镜、透射电镜观察碳纳米管的形貌和结构,发现高温退火后,碳纳米管的端帽大部分被打开.能谱检测显示,粗制的碳纳米管中的杂质(Al,Si,Ni,Cu质量分数w分别为4.67%,0.27%,40.12%和1.34%)退火后被除去.拉曼分析表明,退火前后石墨D,G峰面积SD,SG分别从1314900降至474921,767157降至566292,退火不仅有效地去除了样品中的碳杂质,而且使碳纳米管的缺陷得到一定程度的修复,石墨化度随之大大提高.研究提出了一种简单的、非破坏性的、便于规模化的纯化方法. 展开更多
关键词 碳纳米管 高温退火 非破坏纯化 表征
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尖晶石Li_(1.05)Co_(0.05)Ni_(0.05)Mn_(1.9)O_(3.9)F_(0.1)正极材料的合成 被引量:1
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作者 田从学 张昭 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期63-66,共4页
采用类溶胶 -凝胶法合成非化学计量尖晶石Li1 .0 5Co0 .0 5Ni0 .0 5Mn1 .9O3 .9F0 .1 前驱体 ,用三段热处理方式 ,即4 5 0℃预烧、6 5 0℃烧结、5 0 0℃回火制得尖晶石产物。用化学容量分析法测定Mn含量和平均价态 ,并通过粒度分布测定... 采用类溶胶 -凝胶法合成非化学计量尖晶石Li1 .0 5Co0 .0 5Ni0 .0 5Mn1 .9O3 .9F0 .1 前驱体 ,用三段热处理方式 ,即4 5 0℃预烧、6 5 0℃烧结、5 0 0℃回火制得尖晶石产物。用化学容量分析法测定Mn含量和平均价态 ,并通过粒度分布测定、扫描电镜 (SEM)观察、X射线衍射 (XRD)分析及电化学性能测试对产物进行表征。结果表明 :产物的Mn含量及平均价态与理论值吻合 ,产物平均粒径为 1 .80 0 μm ,粒径分布窄 ,比表面积为 1 .0 9m2 /g ,晶形完整 ,晶格常数a缩小至 0 .81 5 0 6nm ,晶粒尺寸L减小至 5 4 .6 2 9nm。经装配电池测定电化学性能 ,产物容量高 (1 1 2 .5 9mAh/g) 。 展开更多
关键词 正极材料 尖晶石 类溶胶-凝胶法
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快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响
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作者 谭婷婷 刘正堂 刘文婷 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期511-514,共4页
文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的... 文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的影响。结果表明,HfO2薄膜有良好的非晶稳定性,组分基本符合化学剂量比。经N2气氛快速退火处理后,薄膜的化学剂量比得到改善,禁带宽度增大,且薄膜内的固定电荷密度和平带电压偏移减小。 展开更多
关键词 HfO2高k薄膜 快速退火 结构 电学性能
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磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征
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作者 王安福 刘亚丽 +1 位作者 叶佳宇 王靖林 《真空》 CAS 北大核心 2010年第2期37-39,共3页
本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃... 本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。 展开更多
关键词 VO2薄膜 磁控溅射 退火 氩气气氛 表征
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Si纳米线的Au催化固-液-固生长与结构表征
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作者 范志东 白振华 +1 位作者 马蕾 彭英才 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第4期357-360,共4页
以电阻率为1.1-1.5Ω·cm的N-(111)Si单晶为衬底和厚度为2-20nm的Au膜层为金属催化剂,在N2气流量为0.4-2.0L/min和温度为1000-1100℃的退火条件下,利用固-液-固(SLS)生长机制,直接从Si单晶制备出了Si纳米线。扫描电子显微镜... 以电阻率为1.1-1.5Ω·cm的N-(111)Si单晶为衬底和厚度为2-20nm的Au膜层为金属催化剂,在N2气流量为0.4-2.0L/min和温度为1000-1100℃的退火条件下,利用固-液-固(SLS)生长机制,直接从Si单晶制备出了Si纳米线。扫描电子显微镜(SEM)的测量证实,Si纳米线直径为50-150nm、长度为数微米到数十微米。讨论了退火温度、N2气流量和Au膜层厚度对Si纳米线的形成与结构的影响。实验结果表明,制备高密度、分布均匀且生长方向趋于一致的Si纳米线的最佳工艺参数为:Au膜层厚度为5-10nm,温度为1100℃,N2气流量为1.5L/min。 展开更多
关键词 SI纳米线 Au催化 热退火 固-液-固生长 结构表征
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退火温度对TiO2/ZnO复合纳米棒光学性能的影响 被引量:1
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作者 王浚宇 端木庆铎 张舒婷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期702-705,711,共5页
通过两步水热法在氟掺杂SnO2(FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2/ZnO复合纳米棒的表面形貌、微观结构以及光学性能进行... 通过两步水热法在氟掺杂SnO2(FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2/ZnO复合纳米棒的表面形貌、微观结构以及光学性能进行了研究。结果表明,当退火温度从400℃逐渐升高至425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得致密、均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时复合纳米棒结晶性能良好且缺陷少;当退火温度高于425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得稀疏,缺陷较多,结晶质量降低。喇曼光谱和光致发光谱测试表明,当退火温度为425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒的紫外发光峰强度高,蓝移明显,激发的紫外光波长达到365.414 nm。 展开更多
关键词 TiO2/ZnO复合纳米棒 退火温度 光学性能 形貌表征 结构表征
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浅析几种地震反演技术 被引量:8
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作者 胡浩 汪敏 张津滔 《油气地球物理》 2013年第1期47-50,共4页
地震反演技术一直是地震勘探中的一项核心技术,其目的是用地震资料,反推地下波阻抗或速度分布,估算储层参数,并进行储层预测和油藏描述,为油气勘探提供可靠的基础资料。随着油气勘探程度的不断提高和勘探难度的加大,应用反演技术研究储... 地震反演技术一直是地震勘探中的一项核心技术,其目的是用地震资料,反推地下波阻抗或速度分布,估算储层参数,并进行储层预测和油藏描述,为油气勘探提供可靠的基础资料。随着油气勘探程度的不断提高和勘探难度的加大,应用反演技术研究储层以及寻找隐蔽油气藏,提升为与应用地震来寻找构造油气藏同等重要的地位。本文简述了几种地震反演技术的原理和技术流程,进一步完善和丰富地震反演技术,使其成为一项成熟的岩性处理技术,在勘探开发工作中发挥重要作用。 展开更多
关键词 稀疏脉冲反演 测井约束反演 全局优化模拟退火反演 地震特征反演
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球磨退火法制备氮化硼纳米管及其生长机理研究
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作者 王佑君 韩佳琦 +2 位作者 谢芳 李艳娇 陈浩 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期184-187,共4页
以氧化硼(B2O3)为主要原料,氨气为反应气体,采用球磨退火法制备了氮化硼纳米管(BNNTs)。采用XRD、SEM、TEM等手段对产物进行了表征分析。结果表明,合成的BNNTs尺寸较为均匀,瓷舟内的BNNTs直径20~50nm,长度2~20μm;陶瓷基片上的BNNTs直径... 以氧化硼(B2O3)为主要原料,氨气为反应气体,采用球磨退火法制备了氮化硼纳米管(BNNTs)。采用XRD、SEM、TEM等手段对产物进行了表征分析。结果表明,合成的BNNTs尺寸较为均匀,瓷舟内的BNNTs直径20~50nm,长度2~20μm;陶瓷基片上的BNNTs直径10~20nm,长度2~20μm。研究了BNNTs生成的反应方式及其生长过程,B2O3与氨气在高温下反应是通过气-气反应和气-固反应两种反应方式进行的,BNNTs是由氮化硼纳米片(BNNSs)卷曲连接而形成的。 展开更多
关键词 氮化硼纳米管 球磨退火法 表征 生长机理
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基于光谱测试的纯净金刚石品质与缺陷研究
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作者 张宇飞 王凯悦 +2 位作者 李俊林 秦振兴 田玉明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期926-932,共7页
本文利用低温拉曼与光致发光光谱对纯净金刚石晶片的结晶质量、晶体应力分布进行表征分析,并结合电子辐照和快速退火对晶片的杂质缺陷结构开展研究。通过拉曼光谱对金刚石特征峰的表征分析发现,由于金刚石生长机制以及晶片的切割、抛光... 本文利用低温拉曼与光致发光光谱对纯净金刚石晶片的结晶质量、晶体应力分布进行表征分析,并结合电子辐照和快速退火对晶片的杂质缺陷结构开展研究。通过拉曼光谱对金刚石特征峰的表征分析发现,由于金刚石生长机制以及晶片的切割、抛光等因素影响,晶片的边缘与表面应力分布较高。光致发光光谱中的零声子线具有明显的温度依赖性,根据Jahn-Teller效应与电子-声子耦合理论阐明了测试温度变化引起中性单空位缺陷零声子线分裂与红移的机理。对晶片做电子辐照与退火调控处理后,晶片中氮-空位(NV)缺陷显著增多,表明在纯净晶片中氮主要以替代位氮杂质的形式存在。 展开更多
关键词 金刚石 光谱表征 晶体缺陷 色心 电子辐照 退火
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Hydrogen storage properties of as-cast and annealed low-Co La1.8Ti0.2MgNi8.9Co0.1 alloys 被引量:3
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作者 Wei-Qing Jiang Jin Guo +1 位作者 Zheng-Cheng Zhou Yin-Yan Wei 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第7期559-565,共7页
Low-Co Lal.8Ti0.2MgNi8.9Co0.1 alloys were prepared by magnetic levitation melting followed by annealing treatment. The effect of annealing on the hydrogen storage properties of the alloys was investigated systematical... Low-Co Lal.8Ti0.2MgNi8.9Co0.1 alloys were prepared by magnetic levitation melting followed by annealing treatment. The effect of annealing on the hydrogen storage properties of the alloys was investigated systematically by X-ray diffraction (XRD), pressure-com- position isotherm (PCI), and electrochemical measure- ments. The results show that all samples contain LaNi5 and LaMg2Ni9 phases. LaCo5 phase appears at 1,000 ℃. The enthalpy change of all hydrides is close to -30.6 kJ.mo1-1 H2 of LaNi5 compound. Annealing not only increases hydrogen capacity and improves cycling stability but also decreases plateau pressure at 800 and 900 ℃. After annealing, the contraction of cell volume and the increase of hydride stability cause the high rate dischargeability to reduce slightly. The optimum alloy is found to be one annealed at 900 ℃, with its hydrogen capacity reaching up to 1.53 wt%, and discharge capacity remaining 225.1 mAh·g-1 after 140 charge-discharge cycles. 展开更多
关键词 La-Mg-Ni-based alloy annealing treatment Hydrogen storage Electrochemical characterization
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Effect of Annealing Temperature on the Morphology and Sensitivity of the Zinc Oxide Nanorods-Based Methane Senor
15
作者 Biplob Mondal Lachit Dutta +3 位作者 Chirosree Roychaudhury Dambarudhar Mohanta Nillohit Mukherjee Hiranmay Saha 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期593-600,共8页
ZnO nanorods in the form of thin films were synthesized by a facile chemical route and the effect of annealing temperature on the structure and sensitivity of such ZnO-based sensors was studied in detail towards metha... ZnO nanorods in the form of thin films were synthesized by a facile chemical route and the effect of annealing temperature on the structure and sensitivity of such ZnO-based sensors was studied in detail towards methane sensing.Morphological analyses of such films were carried out by scanning electron microscopy,whereas,the crystalline structure and phase purity of the films were analysed by X-ray diffraction technique.The films were observed to display a gradual change in their morphology from granular to dense nanorods and each of them was used to fabricate methane sensor prototype.They were also tested for temperature-dependent methane-sensing capability with varying methane concentrations.The optimized sensor exhibited highest gas response of *80% at 250 °C with significantly low response and recovery time. 展开更多
关键词 Chemical synthesis ZnO nanostructures Thin films annealing temperature Gas sensor Structural characterization
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Preparation and characterization of SiO_2/TiO_2/methylcellulose hybrid thick films for optical waveguides
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作者 杨军 张昕宇 +4 位作者 王沛 明海 吴云霞 谢建平 张俊颖 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第7期399-401,共3页
SiO_2/TiO_2/methylcellulose composite materials processed by the sol-gel technique were studied for optical waveguide applications. With the help of methylcellulose, an organic binder, SiO2/TiO2/methylcellulose hybrid... SiO_2/TiO_2/methylcellulose composite materials processed by the sol-gel technique were studied for optical waveguide applications. With the help of methylcellulose, an organic binder, SiO2/TiO2/methylcellulose hybrid thick films were prepared by a single spin-coating processes. After annealing at 70 °C for an hour, 2.5-μm crack-free and dense organic-inorganic hybrid optical films with a refractive index of 1.537 were achieved. Optical losses of plane waveguide made up of those films and ordinary slide glass substrate are around 0.3 dB/cm at 650 nm. Scanning electronmicroscopy (SEM) and UV-visible spectroscopy (UV-VIS), have been used to characterize the thick films. 展开更多
关键词 annealing Cellulose films characterIZATION Microscopic examination Optical waveguides Refractive index Scanning electron microscopy Silica SOL GELS Spin coating Thick films Titanium dioxide
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一种新型的压电材料参数的精确表征方法 被引量:1
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作者 董洋洋 吴正斌 +4 位作者 胡泓 徐国卿 吕延平 王君君 吴波 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期93-97,共5页
针对压电材料精确表征问题,本文提出了一种包含材料损耗特性,基于模拟退火(Simulated Annealing,SA)优化算法的压电材料新型表征方法。并采用提出的新型表征方法对厚度振动模式下的高损耗偏铌酸铅压电陶瓷和1-3型压电复合材料样品的材... 针对压电材料精确表征问题,本文提出了一种包含材料损耗特性,基于模拟退火(Simulated Annealing,SA)优化算法的压电材料新型表征方法。并采用提出的新型表征方法对厚度振动模式下的高损耗偏铌酸铅压电陶瓷和1-3型压电复合材料样品的材料特性进行了研究,样品电子阻抗共振特性的理论优化结果与实际测量值准确拟合,表明该方法能够精确表征具有损耗特性压电材料参数。 展开更多
关键词 压电材料 模拟退火 材料参数表征 损耗特性
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