CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究

通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患，

微机“五防”闭锁系统的设计及应用

在传统防误闭锁的基础上设计出了微机"五防"闭锁系统,阐述了微机"五防"闭锁系统的构成、工作原理、技术指标及应用情况。

具有更宽安全工作区的IGBT元胞的研究与设计

研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直于沟道一侧放置,以缩短空穴路径。与采用深P+注入抗闩锁的传统方法相比,经过优化设计的新结构的闩锁电流增大了约8倍;在Vce为1.5 V时,单位面积电流密度增加3倍;元胞静态阻断电压也有20%的增加,从而扩展了IGBT的安全工作区,而且工艺更简单。

星上FPGA抗闩锁设计

根据星载电子设备CMOS电路中现场可编程逻辑阵列(FPGA)闩锁的发生机理,提出了输入/输出回路的抗锁定、二次屏蔽防止单粒子触发锁定等遏制闩锁触发条件,以及工作电源限流、闩锁检测与解除等遏制闩锁维持条件的设计,并给出了应用检测电路、板级锁定检测与解除、电流敏感器件检测电流和FPGA闩锁监测等应用实例。

IGBTSCSOA的改善

本文借助于典型的绝缘栅双极晶体管(IGBTs)短路安全工作区(SCSOA)的测试曲线,分析了SCSOA测试对IGBTs器件参数的要求,得出了改善IGBTs短路安全工作区性能需要优化IGBTs电容,饱和电流和抗闩锁能力的结论。采用该结论优化设计的3300V/50A芯片顺利通过了SCSOA测试。