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基于Charge Pump技术的低压高频Antiringing MOS开关驱动电路
1
作者
来新泉
陈富吉
王虎刚
《电路与系统学报》
CSCD
北大核心
2007年第6期50-53,共4页
本文给出了一种基于Charge Pump适用于低压高频Antiringing MOS开关的驱动电路。该驱动电路工作电压最低可达1.8V,工作频率最高达5MHz。文章从Charge Pump及Antiringing的基本原理出发详细介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终设计电...
本文给出了一种基于Charge Pump适用于低压高频Antiringing MOS开关的驱动电路。该驱动电路工作电压最低可达1.8V,工作频率最高达5MHz。文章从Charge Pump及Antiringing的基本原理出发详细介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终设计电路。该电路基于Samsung 0.65-μm BiCMOS工艺设计,经过HSPICE仿真验证。
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关键词
低电压
高频率
CHARGE
PUMP
antiringing
下载PDF
职称材料
题名
基于Charge Pump技术的低压高频Antiringing MOS开关驱动电路
1
作者
来新泉
陈富吉
王虎刚
机构
西安电子科技大学电路CAD研究所
出处
《电路与系统学报》
CSCD
北大核心
2007年第6期50-53,共4页
文摘
本文给出了一种基于Charge Pump适用于低压高频Antiringing MOS开关的驱动电路。该驱动电路工作电压最低可达1.8V,工作频率最高达5MHz。文章从Charge Pump及Antiringing的基本原理出发详细介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终设计电路。该电路基于Samsung 0.65-μm BiCMOS工艺设计,经过HSPICE仿真验证。
关键词
低电压
高频率
CHARGE
PUMP
antiringing
Keywords
low voltage
high frequency
Charge Pump
antiringing
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Charge Pump技术的低压高频Antiringing MOS开关驱动电路
来新泉
陈富吉
王虎刚
《电路与系统学报》
CSCD
北大核心
2007
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