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MoS_(2)-In与MoS_(2)-Au异质结界面构型对势垒影响研究
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作者 李国军 李中军 +3 位作者 郑雅惠 汪汉浠 宋宇轩 朱闻新 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第6期818-822,828,共6页
文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各... 文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各向异性和各向同性,界面势垒对构型表现出不同的依赖性;MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结的界面势垒明显偏离Schottky-Mott定则的预测值,电子密度差分结果分析证明,界面电荷转移形成的偶极层是势垒偏离的主要原因。研究结果表明,通过界面构型调控偶极层是调控MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au范德华异质结界面势垒的一种新方法。 展开更多
关键词 肖特基势垒 MoS_(2)-In异质结 MoS_(2)-au异质结 界面偶极 界面构型
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Formation of AI/Au Bimetallic Interface Studied by Angle-Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy (ARXPS)
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作者 Yaroslav Polyak 《材料科学与工程(中英文A版)》 2015年第9期339-350,共12页
关键词 X射线光电子能谱仪 金属界面 角分辨 人工智能 金属间化合物 形成温度 热力学稳定性 正则化方法
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Au-Al键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究
3
作者 张健健 吴超 陶少杰 《中国集成电路》 2024年第6期82-89,共8页
引线键合工艺是半导体封装过程中十分重要的一道工序,键合质量的提高基于键合可靠性的提升,而键合界面对键合的可靠性,乃至对电子元器件的服役性能和使用寿命都有着极大的影响。但是,在键合完成初期,由于会形成少量的金属间化合物(IMC)... 引线键合工艺是半导体封装过程中十分重要的一道工序,键合质量的提高基于键合可靠性的提升,而键合界面对键合的可靠性,乃至对电子元器件的服役性能和使用寿命都有着极大的影响。但是,在键合完成初期,由于会形成少量的金属间化合物(IMC)。而且,随着时间的增加和温度的升高,金属间化合物会增加。金属间化合物过多时易导致键合强度降低、变脆,以及接触电阻变大等问题,应该看到,脆性的金属间化合物会使键合点在受周期性应力作用时引发疲劳破坏,最终可导致器件开路或器件的电性能退化。其中,金属间化合物的形成和可肯达尔(Kirkendall)空洞是金铝(Au-Al)键合失效的主要失效机理。本文结合充分的实验测试数据及相关文献,综述键合界面上金属间化合物的形成以及演变机理,并且从不同种类的金线、芯片焊盘的铝层厚度、不同焊线的模式、不同类型的封装树脂,四个方面探讨键合界面金属间化合物对可靠性的影响。 展开更多
关键词 au-Al键合界面 金属间化合物 Kirkendall空洞 高温储存实验 键合模式
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DU/Au复合平面膜大气寿命研究
4
作者 杨蒙生 邢丕峰 +2 位作者 易泰民 赵利平 郑凤成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1331-1335,共5页
黑腔材料的大气寿命是点火黑腔的重要指标之一,寿命实验是黑腔研制中的必要环节。本文通过X射线光电子能谱方法分析了DU/Au平面膜储存于大气环境中O含量及其分布随时间的变化规律,利用X射线衍射仪测试了相同情况下薄膜的结晶状态。实... 黑腔材料的大气寿命是点火黑腔的重要指标之一,寿命实验是黑腔研制中的必要环节。本文通过X射线光电子能谱方法分析了DU/Au平面膜储存于大气环境中O含量及其分布随时间的变化规律,利用X射线衍射仪测试了相同情况下薄膜的结晶状态。实验证明,这种平面膜大气寿命(O原子百分数低于5%)在18-21 d之间,此期间内薄膜晶体结构无明显变化,未检测到氧化物结晶信号。 展开更多
关键词 du au 平面膜 大气寿命
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新型Au-19.25Ag-12.80Ge钎料的制备及性能(英文) 被引量:6
5
作者 崔大田 王志法 +1 位作者 吴化波 刘金文 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期690-693,共4页
根据Au-Ag-Ge三元相图,制备了新型Au-19.25Ag-12.80Ge(质量分数,%)钎料合金。利用DTA、扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。结果表明:钎料合金熔化温度为446.76~494.40℃,结晶温... 根据Au-Ag-Ge三元相图,制备了新型Au-19.25Ag-12.80Ge(质量分数,%)钎料合金。利用DTA、扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。结果表明:钎料合金熔化温度为446.76~494.40℃,结晶温度区间为47.64℃。焊接温度在510-550℃范围内时,钎料合金与Ni的润湿性较好,同时有润湿环出现;钎料合金与Ni基体之间形成了一条明显的扩散层,能谱分析表明,该扩散层为Ge.Ni金属间化合物。采用先包覆铝热轧再冷轧,结合中间退火的加工工艺可制备厚度0.1mm的钎料薄带。 展开更多
关键词 au-Ag-Ge 钎料 润湿性 润湿环 界面
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Au-20.1Ag-2.5Si-2.5Ge新型中温钎料的组织与性能 被引量:7
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作者 崔大田 王志法 +2 位作者 周俊 姜国圣 吴化波 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1501-1505,共5页
选择成分(质量分数,%)为Au-20.1Ag-2.5Si-2.5Ge的中温钎料合金,采用中频感应真空熔炼法制备钎料合金铸锭,分别利用DTA、SEM对钎料合金的熔点及显微组织进行分析,并初步研究钎料与Ni的润湿性。结果表明,钎料合金的熔化温度区... 选择成分(质量分数,%)为Au-20.1Ag-2.5Si-2.5Ge的中温钎料合金,采用中频感应真空熔炼法制备钎料合金铸锭,分别利用DTA、SEM对钎料合金的熔点及显微组织进行分析,并初步研究钎料与Ni的润湿性。结果表明,钎料合金的熔化温度区间为451.36-506.49℃;钎料合金形成了α+β共晶组织,由于Si、Ge同时加入,共晶组织变质为细小分散的共晶体;钎料合金具备优良的可加工性以及与Ni具有良好的润湿性,且在焊接界面钎料合金已与Ni合金化形成金属间化合物。 展开更多
关键词 au-20.1Ag.2.5Si-2.5Ge中温钎料 润湿性 焊接界面
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Au-19.25Ag-12.80Ge钎料的焊接性能研究 被引量:3
7
作者 崔大田 王志法 +1 位作者 姜国圣 周俊 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期269-273,共5页
根据Au-Ag-Ge三元相图,制备了新型Au-19.25Ag-12.80Ge(%,质量分数)钎料合金。利用DTA,Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。结果表明:Au-19.25Ag-12.80Ge钎料合金的熔化温度为... 根据Au-Ag-Ge三元相图,制备了新型Au-19.25Ag-12.80Ge(%,质量分数)钎料合金。利用DTA,Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。结果表明:Au-19.25Ag-12.80Ge钎料合金的熔化温度为446.76-494.40℃,结晶温度区间为47.64℃;焊接温度在510-550℃范围内时,Au-19.25Ag-12.80Ge钎料合金与Ni基体具有良好的铺展性和润湿性,在熔化钎料前沿有润湿环现象出现,钎料合金与Ni基体之间形成了一条连续的金属间化合物层,能谱分析表明该金属间化合物层为Ge3Ni5金属间化合物,由于该化合物层较脆,故应控制焊接工艺以获得连续均匀且厚度适当的金属间化合物层;对于本钎料合金而言,焊接温度530℃,保温时间10min可获得较理想的焊接界面。 展开更多
关键词 au-Ag-Ge硬钎焊合金 润湿性 焊接界面 润湿环 金属间化合物
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新型Au-Ag-Ge钎料的性能及焊接界面特征 被引量:1
8
作者 崔大田 王志法 +2 位作者 周俊 吴化波 刘金文 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1050-1054,共5页
根据Au-Ag-Ge三元相图,制备2种新型钎料合金Au-19.25Ag-12.80Ge和Au-21.06Ag-13.09Ge(质量分数,%)。利用差热分析仪和Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。研究结果表明:Au-19.25... 根据Au-Ag-Ge三元相图,制备2种新型钎料合金Au-19.25Ag-12.80Ge和Au-21.06Ag-13.09Ge(质量分数,%)。利用差热分析仪和Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。研究结果表明:Au-19.25Ag-12.80Ge合金的性能较好,其熔化温度范围为446.76~494.40℃,结晶温度区间为47.64℃;焊接温度在510~550℃范围内时,Au-19.25Ag-12.80Ge钎料合金与Ni基体具有良好的铺展性和润湿性,焊接时钎料合金与Ni基体之间形成了一条连续的金属间化合物层,能谱分析表明该金属间化合物层为Ge3Ni5,由于该化合物较脆,过厚的金属间化合物层使焊接接头的剪切强度下降,故应适当控制焊接工艺以获得理想的焊接界面组织。 展开更多
关键词 au-Ag—Ge钎料 润湿性 焊接界面 金属间化合物
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Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析 被引量:1
9
作者 徐富春 林秀华 康俊勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期624-627,共4页
用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表... 用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540~550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值. 展开更多
关键词 欧姆接触 表面分析 热处理 au-Be/GaP接触 半导体 表面形貌 XPS分析
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Metal–ligand interfaces for well-defined gold nanoclusters
10
作者 Dan Yang Yating Wu +5 位作者 Zhaotong Yuan Chunmei Zhou Yihu Dai Xiaoyue Wan Yan Zhu Yanhui Yang 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期806-823,共18页
Ligand engineering for well-defined gold nanoclusters(Au NCs) is getting more extensive attention. Organizing the Au-ligand interfaces on gold NCs can achieve the structural and functional control. This review focuses... Ligand engineering for well-defined gold nanoclusters(Au NCs) is getting more extensive attention. Organizing the Au-ligand interfaces on gold NCs can achieve the structural and functional control. This review focuses on the Au-ligand interfaces including gold-phosphorus(Au-P), gold-sulfur(Au-S), gold-selenium(Au-Se), gold-carbon(Au-C), and gold-nitrogen(Au-N), derived from the bonding between Au atoms and the different ligands(e.g., organic phosphine, thiolate, selenolate, alkynyl,n-heterocyclic carbene and nitrogenous ligands). The formation mechanism of Au-ligand interfaces is well discussed. In addition, the effects of Au-ligand interfaces on the stability, optical property, and catalysis are also presented. We hope the advances in this research area can boost the development of Au NC sciences. 展开更多
关键词 au nanoclusters well-defined structures metal–ligand interfaces formation mechanism structure–property correlation
原文传递
温度对Ar^+诱导Au-Si界面原子混合的影响
11
作者 李玉璞 陈坚 +1 位作者 刘家瑞 章其初 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1035-1040,共6页
本文在77至573K温区研究了Ar^+诱导的Au-Si<111>界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q_((S)_i)—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au_(48)Si_(51)(≈AuSi)均匀混合层;T>32℃时,深入到S... 本文在77至573K温区研究了Ar^+诱导的Au-Si<111>界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q_((S)_i)—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au_(48)Si_(51)(≈AuSi)均匀混合层;T>32℃时,深入到Si中的Au原子呈指数衰减的尾巴,为解释此指数尾巴,提出了填隙原子增强扩散机制及方程。 展开更多
关键词 温度 Ar^+ 诱导 au-Si 界面原子
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Au/Si扭转界面能各向异性研究
12
作者 辛红 张建民 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期31-34,共4页
采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001... 采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001)Si基底,相同基底的界面均按照(111)Au/Si、(001)Au/Si、(011)Au/Si顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长,Au(111)面为择优晶面,择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°. 展开更多
关键词 au/Si界面 界面能 改进型嵌入原子法
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电解质类污染物对Au-Al键合界面的可靠性影响
13
作者 解启林 霍绍新 《电子工艺技术》 2013年第6期342-344,355,共4页
初步探讨了Au-Al键合界面处于电解质类污染物中发生的失效行为及其机理。分析认为电解质类污染物作用于Au-Al键合界面后,发生了电化学腐蚀反应而加速Au-Al键合提前失效。在实际生产中,实施多芯片组件组装、调试与检验全过程的质量过程... 初步探讨了Au-Al键合界面处于电解质类污染物中发生的失效行为及其机理。分析认为电解质类污染物作用于Au-Al键合界面后,发生了电化学腐蚀反应而加速Au-Al键合提前失效。在实际生产中,实施多芯片组件组装、调试与检验全过程的质量过程控制以及确定多芯片组件合适的气密封指标可以有效排除外来污染物对Au-Al键合界面可靠性的不利影响。 展开更多
关键词 au-Al键合界面 电解质类污染物 电化学腐蚀
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电子封装用Au-20Sn钎料研究进展 被引量:12
14
作者 王刘珏 薛松柏 +2 位作者 刘晗 林尧伟 陈宏能 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第15期2483-2489,共7页
Au-20Sn钎料具有优异的综合性能且适用于无钎剂钎焊,在微电子器件和光电子器件封装领域占据重要地位。近年来,国内外学者对金锡钎料的研究工作不断深入,金锡钎料制备工艺及焊点可靠性研究已成为电子封装领域的研究热点。然而,Au-20Sn钎... Au-20Sn钎料具有优异的综合性能且适用于无钎剂钎焊,在微电子器件和光电子器件封装领域占据重要地位。近年来,国内外学者对金锡钎料的研究工作不断深入,金锡钎料制备工艺及焊点可靠性研究已成为电子封装领域的研究热点。然而,Au-20Sn钎料在发展和应用过程中仍受到以下问题的严重制约:第一,Au-20Sn钎料铸态组织中由于存在脆性金属间化合物(IMC),难以采用常规方法加工成形;第二,钎料中贵金属金含量太高(约为80%),导致钎料价格昂贵;第三,Au-20Sn钎料在制造过程中难免会存在夹杂物,影响钎料的使用性能和连接质量;第四,有关Au-20Sn钎料的焊点可靠性研究尚未见系统报道。Au-20Sn钎料铸态组织粗大,IMC分布不均匀,导致合金脆性较大,难以通过传统铸造轧制工艺制备出符合使用要求的Au-20Sn钎料。因此,研究者们不断优化Au-20Sn钎料的制备方法,采用熔铸增韧等工艺有效控制了Au-20Sn钎料制备过程中脆性IMC的形成和分布,大幅提高了Au-20Sn钎料的使用性能。在高可靠性电子封装及芯片封装中,电子元器件通常使用镀层提高可焊性。铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)是电子封装中常用的基板材料和表面金属化层,Au-20Sn钎料与镀层金属形成的焊点界面IMC是实现可靠性连接的基础。目前,有关Au-20Sn钎料与不同镀层金属之间相互作用的研究主要集中在钎焊过程中焊点界面IMC的演变及时效过程中焊点可靠性的影响机制。除了对Au-20Sn钎料制备工艺进行优化和探索不同界面反应外,不少研究者尝试对焊点钎着率和钎缝气密性等可靠性问题进行研究。通过不断优化钎焊工艺参数,制定合理的工艺规范,采用焊点钎着率和钎缝气密性作为评价大功率电子及光电子器件性能及其稳定运行的重要指标。本文重点介绍并分析了Au-20Sn钎料的优点以及其制备的难点,阐述了Au-20Sn钎料在无钎剂封装焊点钎着率和钎缝气密性等可靠性的研究进展,详细讨论了Au-20Sn钎料与不同镀层的界面反应问题,探讨了Au-20Sn钎料研发、制备和应用过程中存在的问题及解决措施,从而为Au-20Sn钎料的生产与应用提供理论指导。 展开更多
关键词 au-20Sn钎料 金属间化合物 界面反应 焊点可靠性
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Ti/Au电极对红外探测器噪声系数的影响研究 被引量:1
15
作者 李岩 常玲玲 +1 位作者 李慧 吴茂 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期273-278,282,共7页
Mn-Co-Ni-O系半导体陶瓷是最常见的红外热敏电阻材料,但其与传统的Au电极结合强度不高。本文将Ti/Au双层电极用于半导体陶瓷晶片,研究了Ti/Au电极对界面结合强度和热敏电阻噪声系数的影响规律。研究发现,Ti/Au电极能与半导体陶瓷保持良... Mn-Co-Ni-O系半导体陶瓷是最常见的红外热敏电阻材料,但其与传统的Au电极结合强度不高。本文将Ti/Au双层电极用于半导体陶瓷晶片,研究了Ti/Au电极对界面结合强度和热敏电阻噪声系数的影响规律。研究发现,Ti/Au电极能与半导体陶瓷保持良好的界面结合强度,同时使热敏电阻具有较低的噪声系数;Ti/Au电极影响热敏电阻噪声系数的机理是由于Ti扩散到Au表面形成钛氧化物引起的;在对Ti/Au电极的热处理过程中,Ti与陶瓷晶片基体间发生界面反应,同时Ti元素会向Au薄膜表面扩散;提高Ti/Au热处理温度或增加Au薄膜厚度、减少Ti镀膜厚度均能抑制Ti原子向Au薄膜表面扩散,从而降低热敏电阻的噪声系数。 展开更多
关键词 热敏电阻 噪声系数 TI au电极 界面反应 扩散
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Au(111)-离子液体界面层状结构与温度关联的原位AFM力曲线研究 被引量:3
16
作者 张笑 钟赟鑫 +1 位作者 颜佳伟 毛秉伟 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期295-301,共7页
本文针对BMIPF6和OMIPF6两种离子液体,在电极表面远离零电荷电位且以负电荷表面电位下,运用AFM力曲线详细地研究了其与Au(111)单晶电极界面所形成的层状结构与温度的关联.在15~40oC的温度范围内,温度越低其离子液体层状结构越稳定.温... 本文针对BMIPF6和OMIPF6两种离子液体,在电极表面远离零电荷电位且以负电荷表面电位下,运用AFM力曲线详细地研究了其与Au(111)单晶电极界面所形成的层状结构与温度的关联.在15~40oC的温度范围内,温度越低其离子液体层状结构越稳定.温度对OMIPF6离子液体层状结构的稳定性和数目的影响较BMIPF6缓和:温度变化5oC,OMIPF6靠近表面第一层层状结构的力值变化仅为1~2 nN,而BMIPF6第一层层状结构的力值变化为3~5 nN;较低温下,BMIPF6中层状结构的数目有所增加,而OMIPF6的层状数目始终保持两层,且随温度的变化并不敏感.这可归因于两种离子液体的阳离子尺寸以及与电极表面的作用方式和强度不同;同时,OMIPF6较粘稠,其热运动受温度的影响不甚敏感. 展开更多
关键词 电化学界面 离子液体 au(111) 双电层 层状结构 AFM力曲线 温度影响
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基于Si基芯片的Au/Al键合可靠性研究 被引量:9
17
作者 王慧君 龚冰 崔洪波 《电子工艺技术》 2015年第4期214-218,共5页
对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究,重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键合点的形貌和强度进行检验,并根据拉力测试数据拟合出高温时间与拉力的关系曲线。最后,基于固相反应原理,... 对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究,重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键合点的形貌和强度进行检验,并根据拉力测试数据拟合出高温时间与拉力的关系曲线。最后,基于固相反应原理,给出高温状态下Au-Al系统金属间化合物的演变过程分析。结果表明,Al/Au键合界面比Au/Al界面在高温环境下的可持续工作时间更长。 展开更多
关键词 au/Al键合界面 Al/au键合界面 柯肯达尔空洞 高温储存 金属间化合物
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Ti/Au复合电极在CdZnTe (111)B面上的表面结构与性能研究 被引量:1
18
作者 陶思祺 张继军 +3 位作者 王淑蕾 秦美琪 邱攀辉 宋晓龙 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第6期1089-1095,1103,共8页
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TE... 近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TEM、XPS、I-V等测试方法研究了电极与CdZnTe的界面结构、化学成分和电学性能。结果表明,Ti过渡层的引入可以减轻和改善晶片抛光过程中形成的损伤层,增加了电极与晶体之间的欧姆特性。相比于CdZnTe(111)B面上的Cr/Au复合电极,Ti/Au复合电极的粗糙度更低、接触界面更平整,晶格失配层厚度也更低。Ti中间层促进了金/半界面的互扩散现象,有利于增加黏附性和降低肖特基势垒,并且在Ti/Au复合电极与CdZnTe接触的界面上没有观察到氧元素的存在。I-V测试表明Ti/Au复合电极具有更加良好的欧姆特性和更低的肖特基势垒。 展开更多
关键词 CDZNTE Ti/au 接触界面 欧姆特性 晶格失配层 互扩散
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基于Pt/Au双金属修饰针灸针的非酶葡萄糖传感器 被引量:1
19
作者 肖琪 刘光献 +3 位作者 陈简单 尹争志 顾春川 刘红英 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1159-1170,共12页
通过在不锈钢针灸针(AN)表面依次电沉积金(Au)纳米颗粒和铂(Pt)纳米颗粒,基于它们在AN表面的协同作用,实现了一种用于非酶葡萄糖检测的电化学生物传感器。首先,通过扫描电子显微镜对其功能界面(Pt/Au/AN)进行表征,结果显示类似卷心菜的... 通过在不锈钢针灸针(AN)表面依次电沉积金(Au)纳米颗粒和铂(Pt)纳米颗粒,基于它们在AN表面的协同作用,实现了一种用于非酶葡萄糖检测的电化学生物传感器。首先,通过扫描电子显微镜对其功能界面(Pt/Au/AN)进行表征,结果显示类似卷心菜的纳米材料均匀致密地分布在AN表面。然后,通过循环伏安法和电化学阻抗法对Pt/Au/AN电极的电化学特性进行了研究。结果表明,与Au/AN或Pt/AN电极相比,Pt/Au/AN电极对葡萄糖氧化表现出优越的电催化活性。这表明双金属Pt/Au的接触界面是葡萄糖氧化的重要电催化位点。在pH 7.4的模拟生理介质中,制得传感器的线性范围为0.1~35 mmol·L^(-1),检测限为0.0763 mmol·L^(-1),对葡萄糖的检测表现出较高的灵敏度和良好的抗干扰性能、稳定性。此外,该传感器已成功用于人体血清葡萄糖的检测。 展开更多
关键词 针灸针 Pt/au双金属接触界面 非酶传感器 葡萄糖
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n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究 被引量:1
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作者 张可欣 李庚伟 +1 位作者 杨少延 魏洁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期120-125,共6页
电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案... 电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案。而本工作突破桎梏,从欧姆接触的形成机制出发讨论金属欧姆接触的可行性,研究了低温(650℃)退火60 s和高温(850℃)退火30 s条件下,Au(300 nm)/Zr(30 nm)/n-GaN和Au(300 nm)/Ti(30 nm)/n-GaN结构的接触机理。采用紫外光刻法定义圆点型传输线模型,并且利用磁控溅射设备在GaN上制备金属电极样品,分析了电极样品的互扩散行为及界面反应情况。研究结果表明:与Au/Ti/n-GaN相比,Au/Zr/n-GaN样品受温度影响小,界面固相反应生成的Zr-N化合物热稳定性更优异,可以帮助器件在高温高压下更加稳定地工作;Zr与氮化镓接触时产生的Ga合金相更少,有利于器件利用隧道机制传输载流子;Au/Zr/n-GaN样品具有更小的界面孔隙,与氮化镓的界面反应适中;Au/Zr/n-GaN样品具有更平整的表面,适合大功率高电流工作。此外,根据本工作的对比研究可以得出:金属的制备与提纯、阻挡层金属的添加、制作金属电极的方法、势垒层金属的稳定性、金属与氮化镓的界面反应程度以及电极的表面粗糙度都会影响器件性能。Zr替代Ti作为n型GaN欧姆接触电极可以实现器件更高的性能要求,是一种具有广阔应用前景的金属材料,对于GaN器件的研发和改善有很大帮助。 展开更多
关键词 N型GAN au/Zr欧姆接触电极 互扩散行为 界面反应
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