铌表面初始氧化行为的EELS和AES研究

利用电子能量损失谱(EELS)和俄歇电子能谱(AES)研究室温下铌的初始氧化过程,研究表明:清洁表面铌的EELS的实验值与理论值较为符合;随着氧化程度的加剧,其体等离子体(BP)、表面等离子体(SP)以及价带间跃迁所造成的电子能量损失峰发生了明显的偏移和强弱的变化,也解释了Nb→NbO→NbO2的初始氧化过程;另外,铌在潮湿空气里氧化1周,在其表面只生成很薄一层的Nb2O5氧化层。

铀表面钛镀层原位氧化行为的AES和EELS研究

利用铀的电子能量损失谱(EELS)、俄歇电子能谱(AES)原位,研究了在室温下O2气氛中表面Ti膜初始氧化过程中表面结构的变化。结果表明,Ti膜的氧化速度比金属Ti更快;Ti膜氧化时与金属Ti一样可形成Ti(固溶O)、TiO、Ti2O3、TiO2,氧化物以岛状形式生长,并以多种氧化态并存;其氧化过程为Ti→Ti(固溶O)→TiO→Ti2O3→TiO2。

XPS和AES研究黄铜表面PMTA防变色膜(英文)

通过比较各种黄铜的防变色剂,发现1-苯基-5-巯基四氮唑(PMTA)的防变色效果优于苯骈三氮唑、羟基苯骈三氮唑。2-巯基苯骈咪唑、2-巯基苯骈噻唑和铬酸。用PMTA处理黄铜的最佳条件为PMTA1.2g/L,30～40℃,4-5min.XPS和AES分析表明,PMTA是在Cu_2O和ZnO-Zn上形成配合物膜,PMTA分子中的N和S均参与配位.从膜的AES元素深度分布曲线的恒定组成区求得表面配合物膜的组成(A.C％)为:C47％;Cu20％;N12.5％;S10％;Zn6.5％;O4.0％。

Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究

采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。

用于软X射线激光实验的铝衰减膜的测量

对不同方法制备的不同厚度的铝衰减膜,用微机控制α测厚仪测量了膜的质量厚度以及膜厚均匀性,用Auser电子能谱(AES)对铝膜进行了组分的表面和深度分布分析,根据铝KLL Auger特征谱揭示了氧化膜的化学组分并测量了氧化膜厚度随放置时间的变化,还讨论了膜中其它杂质含量的上限。

CO处理对铀在40℃和70℃潮湿空气中抗蚀性能的影响

采用增重法研究了金属铀表面经CO处理后在 4 0℃和 70℃潮湿空气中的抗蚀能力。研究结果表明 ,在70℃潮湿空气中 ,其抗蚀能力增加不明显 ;而在 4 0℃环境中 ,金属铀表面的抗蚀能力得到明显提高 ,且在实验范围内其抗蚀能力随CO剂量的增加而增强。用俄歇电子谱 (AES)分析了铀试样处理前后表层的成分变化。分析结果表明 ,铀表面经CO处理后 ,其表层形成了一定厚度的富碳层 ,并显示该富碳层对提高铀表面抗蚀能力起着重要作用。

类Ni稀土X光激光波段衰减膜的设计与研究

对类 Ｎｉ稀土 Ｘ 光激光波段衰减膜进行了设计，并根据设计结果，利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的 Ａｇ 衰减膜和聚苯乙烯（ Ｃ８ Ｈ８）衰减膜。利用真空 α能谱测厚仪和 αｓｔｅｐ１００ 台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量，用 Ａｕｇｅｒ 电子能谱（ Ａ Ｅ Ｓ）对 Ａｇ 衰减膜进行了表面杂质分析。

金属铀初始氧化过程研究

利用俄歇电子能谱(AES)和电子能量损失谱(EELS)研究了高真空室中不同温度下金属铀与氧的初始氧化过程,并分析了环境温度以及表面与界面的化学组成等因素对金属铀表面氧化过程的影响。用Ar+溅射可以获得铀的清洁表面,在高真空(小于10-7Pa)室中,温度为673K时,表面氧化结构发生了明显变化,氧化层表面主要由铀碳化合物、金属态铀和少量UO2组成。

离子注入碳对铀表面初始氧化行为影响的研究

用俄歇电子能谱(AES)分别对高真空室中铀样品及多能量叠加离子注入碳铀样品与氧气吸附及初始氧化过程进行了研究。结果表明,在高真空室中,清洁铀表面很容易吸附氧化,发生氧化反应,当O2暴露剂量为40 L时,清洁铀表面就会形成一层UO2;离子注入碳后铀表面的抗氧化能力增强。

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。

柔性电路粘结失效的研究

用俄歇电子能谱仪和傅里叶变换红外光学显微镜对柔性电路粘结失效部位的界面层、电路基片、导电层和粘结树脂等进行了测试与分析 。

俄歇化学位移及其在表面化学上的应用

从俄歇电子激发过程讨论了化学位移和元素化合价以及电负性的关系,提供了常用元素在不同化合物中的俄歇电子动能及化学位移数据,运用俄歇化学位移研究了氧在锌表面的吸附和初始氧化反应,Ti/SiO_2的界面固相反应机理以及摩擦过程中润滑膜的组成和结构.

X光电子能谱研究氧离子束辅助PLD共淀积ZnO薄膜

在ZnO的XPS分析中,ZnLMM俄歇峰能很好地指认氧化锌淀积膜中Zn的价态,结合O1s光电子峰的分析,可表征ZnO中缺氧程度。通过XPS的对比实验,表明采用氧(O)离子辅助PLD共淀积ZnO薄膜,能明显改善淀积ZnO膜的缺氧问题,降低薄膜层中的孔隙率,提高淀积ZnO薄膜质量。XPS深度剖析结果还表明采用O离子辅助PLD共淀积后膜层中Zn的氧化组分和孔隙率随深度变化平缓。

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象，借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的，以Ｐｔ、Ｉ２为例，用相应理论教学模式模拟，所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。

一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法

本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表明,在600~800℃快速热退火温度下形成的Ni（Ta）Si薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi2相的最低温度提高到850℃.AES俄歇能谱,RBS卢瑟福背散射和AFM原子力显微镜分析表明,夹层金属层Ta在镍硅化反应中向表面移动,其峰值距离薄膜顶层2nm左右,在阻止氧原子参与镍硅化反应中起到很好的屏蔽层作用.Ni（Ta）Si薄膜中Ta与Ni的原子比约为2.1∶98,硅化物薄膜界面平整,均方根粗糙度仅为1.11nm.研制的高压Ni（Ta）Si/Si肖特基硅器件在650~800℃温度跨度范围内保留了与NiSi/Si肖特基相近的整流特性,因此Ni（Ta）Si硅化物在深亚微米集成电路制造中是一种令人满意的互连和接触材料.

渐进因子分析法及其在Au/Ni/Si薄膜俄歇深度剖面研究中的应用

将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au／Ni／Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析，最终获得了各元素的化学状态和深度分布，并发现Au／Ni／Si样品中Ni／Si界面在室温下已发生反应，生成富Si的NixSi化合物层。样品经真空退火处理后，Ni／Si界面进一步反应生成Ni2Si合金，而原有的NixSi化合物含量相对减少，并向Si基体侧扩展，同时Ni穿透Au膜在样品表面富集。渐进因子分析的结果与XPS分析相一致。

氢还原铅硅酸盐玻璃表面层结构的研究

本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研究了体内元素分布,并讨论了不同烧氢还原温度所形成的发射层结构对微通道板电子倍增性能的影响;在此基础上作者提出了新的微通道板次级电子发射层结构。

Ti/ZrN_2/Si薄膜界面扩散反应的研究

利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN_2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在沉积过程中发生了界面扩散作用,真空热处理可以显著地增强Ti/ZrN2/Si膜层间的界面扩散和化学反应,并分别在界面层生成了TiNx和SiNx等物种.

场发射俄歇电子能谱显微分析

场发射俄歇电子能谱的显微分析是一项新的分析技术,可对微尺度样品进行点、线、面的元素组分及元素化学态分析。本文简要介绍这项新技术的功能原理和在微电子器件检测等方面的具体应用。

论表面分析

表面分析不同于传统的体相分析,简述我国表面分析发展概况,说明表面分析技术的特点和应用。并对XIS和AES进行了综述。