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聚天青I/纳米金-青霉素酶修饰电极电催化头孢羟氨苄的研究
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作者 李华刚 陈世艳 伍远辉 《广东化工》 CAS 2015年第24期41-42,64,共3页
制备了聚天青I/纳米金-青霉素酶修饰电极,采用方波伏安法研究该修饰电极催化头孢羟氨苄的电化学行为。实验表明,该修饰电极对头孢羟氨苄有快速灵敏的响应,并在2.0256×10^-4-3.0578×10^-3 mol/L浓度范围内呈现良好的线性关系,... 制备了聚天青I/纳米金-青霉素酶修饰电极,采用方波伏安法研究该修饰电极催化头孢羟氨苄的电化学行为。实验表明,该修饰电极对头孢羟氨苄有快速灵敏的响应,并在2.0256×10^-4-3.0578×10^-3 mol/L浓度范围内呈现良好的线性关系,线性回归方程为IP(μA)=-1.25994+0.05381 C(mol/L),相关系数R=0.99196,检出限为6.752×10^-5 mol/L。 展开更多
关键词 修饰电极 天青i 方波伏安法 头孢羟氨苄
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