还原10BF3法合成10B2H6的促进剂研究

目前存在的由BF3制备B2H6的方中,最适合应用于合成10B2H6方法是金属氢化物还原法。通过金属氢化物还原法合成10B2H6的研究,得到了有利于生成产物、提高速率的促进剂还原Fe粉、Al粉。同时,开发出经济环保的催化剂,其作用效果与金属促进剂效果相同。

具有D_(3h)对称性构型的B_2H_6分子的杨-泰勒效应与能级分裂

文中依据杨-泰勒效应理论与配位场理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了B_2H_6分子在具有D_(3h)对称性构型的情况下,Ee′系统的杨一泰勒效应及其相关问题.研究了B_2H_6分子的电子态与声子态以及活跃声子态,构建了B_2H_6分子的Ee′杨-泰勒系统的电声耦合哈密顿量,利用么正平移变换将系统的哈密顿量分解为无声子激发部分与有声子激发部分之和,由此计算出了Ee′杨-泰勒系统的基态与激发态及其能级.结果表明由于电声耦合作用的缘故,在Ee′系统的势能面上形成了四个具有C_(2v)对称性势阱.无论系统处在哪一个势阱中,系统初始的二重简并的能级都将发生分裂,因此杨-泰勒畸变导致系统能级的简并性完全被消除.文中利用群论又进一步探讨了系统的杨-泰勒畸变方向与能级分裂方式,发现系统的杨-泰勒畸变方向是D_(3h)→C_(2v),能级的分裂方式为E′→A_1+B_2或者E″→A_2+B_1.

半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究

在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。

[Ni(en)_2]_6H_2[(VO)_(12)O_6B_(18)O_(42)]·15H_2O的水热合成和晶体结构

在水热的条件下合成了1个多聚钒硼酸盐[Ni(en)2]6H2[(VO)12O6B18O42]15H2O,化学式为C24H128B18N24Ni6O75V12(Mr=3111.62),用单晶X射线衍射方法测定了它的结构,该晶体属三方晶系,R-3空间群,晶胞参数为a=13.942(2)?=96.476(2),V=2653.9(5)?,Z=1,Dc=1.947g/cm3,=21.55cm-1,F(000)=1574,2108个可观察衍射点(I>2(I)),最终结构精修到偏离因子R=0.0594,wR=0.1398,S=1.009。在该化合物的结构中,18员环的B18O42通过18个B(3-O)V键被2个V6O15簇夹在中间,6个[Ni(en)2]基团分别通过2个Ni(3-O)B与B18O42环相连。

对B_2H_6、B_3H_5和B_4H_6分子结构的对比研究

为了正确理解氢桥键的本质,采用MP2/6-31++(D,P)方法对B2H6,B3H5和B4H6分子的结构进行了研究。比较了这3种分子中处于分子平面上下方的两个氢原子的距离变化引起的各原子带电情况的变化图和分子轨道图,结果显示,在某种程度上,B3H5和B4H6中分子平面上下方的两个氢原子具有类似B2H6分子中两个桥氢原子的性质,并在此基础上通过B2H6,B3H5和B4H6的分子轨道图得出了这3种分子中的氢桥键结构均可以看成π键电子云吸附两个带正电的质子构成的结论。

闭式十二顶双镍十硼烷簇合物[(μ-Cl)(Ph_2PC_6H_4)_2Ni_2B_(10)H_6Cl(PPh_3)]的合成与结构

研究了 [NiX2 (PPh3 ) 2 ](X =F ,Cl,SCN)在二氯甲烷中与B10 H2 -10 的反应 ,对形成的产物 [(μ Cl) (Ph2 PC6H4) 2 Ni2 B10 H6Cl(PPh3 ) ]·0 2 5CH2 Cl2 (1)通过元素分析、红外光谱、飞行时间二次离子质谱等进行了表征 ,并通过单晶X射线衍射测定了簇合物的结构 .1的晶体学数据 :单斜晶系 ,空间群P2 1/c,a =1 170 3(2 )nm ,b =2 10 82 (4)nm ,c=2 2 0 6 8(8)nm ,β =99 98(2 )°,V =5 36 2 2 (2 )nm3 ,Z =4 ,F(0 0 0 ) =2 2 74 ,Dcalcd=1 373g/cm3 .R1=0 0 35 8,wR2 =0 0 80 7.1为闭式十二顶双镍十硼烷簇合物 ,具有两个邻位环化的Ni—P—C—C—B五元环 ,镍 -镍之间还存在氯桥 .结构分析表明 :邻位环化增强了镍与硼之间的成键作用 .

B_2H_6分子结构和振动频率的DFT研究

用密度泛函理论 (DFT)方法研究B2 H6分子的几何结构、空间电子密度分布和轨道动量分布以及振动频率等基本性质。取DFT理论中的B3LYP方法和 6 - 311++G 基组对乙硼烷分子的几何构型进行全优化计算后分析其空间电子密度分布。利用不同方法和基组得到了轨道动量分布。在B3LYP/6 - 311++G 基础上对优化后的结构进行正则振动频率分析。

氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）

在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。

B_2H_6分子声子态及声子间耦合的群论分析与Mathematica应用

利用群论和对称性分析的方法研究了具有D3d对称性构型的B2H6分子的声子态及其声子间耦合等问题。研究发现,B2H6存在5种不同的声子态,它们分别具有D3d群下的a1g、a1u、a2u、eg与eu对称性,其中a2u与eu具有红外活性,a1g和eg具有拉曼活性,而a1u是非活性的;在B2H6的声子态中只有eg是活跃的声子态;活跃声子态eg与eg之间的耦合作用将会产生耦合声子态a1g和eg;B2H6分子的电声耦合作用一定会导致B2H6分子发生杨-泰勒畸变,畸变致使B2H6分子从D3d对称性降低到C2h对称性。

高纯PH_3和B_2H_6中微量H_2、O_2、N_2的分析

前言 半导体工艺过程及大规模集成电路生产中所使用的高纯PH3和B2H6，由于其中含有O2、N2等杂质成份，直接影响了电子产品的质量，所以，必须严格地加以检测和控制。目前，一些发达国家对特气产品中杂质的监控十分重视，且都相应地研制出专门仪器进行检测。如法国TBT公司所研制的TBT色谱仪，对磷烷、硅烷、砷烷及乙硼烷中永久性气体杂质和总烃杂质都能进行检测。

K_2O·MgO·6B_2O_3·10H_2O的热化学研究(英文)

在大约１ｍｏｌ·ｄｍ－３的盐酸水溶液中测定了Ｋ２Ｏ·ＭｇＯ·６Ｂ２Ｏ３·１０Ｈ２Ｏ的溶解焓。结合已获得的其它热化学数据，得出Ｋ２Ｏ·ＭｇＯ·６Ｂ２Ｏ３·１０Ｈ２Ｏ的标准摩尔生成焓为－（１２２５０．３５±９．６８）ｋＪ·ｍｏｌ－１，并利用“基团贡献法”计算出标准摩尔吉布斯自由能为－１１１０３ｋＪ·ｍｏｌ－１。从而计算出其标准摩尔生成熵和标准摩尔熵。

乙硼烷与HX(X=F，Cl，Br)之间的二氢键

对乙硼烷与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行探讨。在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证所得复合物的分子结构,通过分子间距离及H…H间的拓扑参数,确认B_2H_6与卤化氢形成二氢键复合物。在MP2/6-311++G (3d,3p)水平校正BSSE后的结合能在-7.0124 kJ/mol～-4.6652 kJ/mol之间。用对称匹配微扰理论(SAPT)分解结合能,结果静电作用是B_2H_6与HX形成二氢键复合物的必要条件和重要的推动力,但又并不完全是静电所致,总之,静电、诱导、色散等作用对二氢键的形成都是重要的。