基于六西格玛方法的G.657.B3光纤研发方案

为了解决光通信领域中光纤产品在研发-生产阶段存在试验周期长、研发成本高和产品品质不稳定等问题,基于六西格玛质量管理方法,建立发明问题解决理论(TRIZ)-实验设计(DOE)-过程能力C_(pk)模型应用于抗弯曲光纤G.657.B3的研制,通过这一模型有利于开展高效的试验设计与试验成本控制,确定了G.657.B3光纤折射率剖面参数的最佳组合,并应用于批量化生产。实验结果表明:在1550 nm、1625 nm波长处,弯曲半径为5 mm且绕1圈时,光纤的宏弯典型损耗均值分别是0.063 dB、0.165 dB,光纤的宏弯性能优良。

弯曲损耗不敏感单模光纤1310nm处模场直径测试方法比对分析

本文通过实验的方法分析研究了不同高阶模滤除条件对ITU-T G.657.A2、A3和ITU-T G.657.B3类光纤模场直径测量结果的影响。实验表明,采用22m试样光纤的测试条件或采用将2m标准的G.652光纤熔接在2mG.657试样光纤上,并在标准的G.652光纤上绕两个40mm半径圈的测试条件均可以准确测试G.657.A类包括A3类和G.657.B类光纤在1310nm处的模场直径。采用其他不同的弯曲半径或通过绕更多圈的滤除高阶模的方法并不总能够有效滤除G.657.A类包括A3类和G.657.B类2m试样光纤中的高阶模。特别是弯曲性能好且λc≥1310nm的G.657光纤,1310nm处模场直径测试的结果会受高阶模影响,并导致实测值比正确值偏小。为了避免高阶模的影响,推荐采用22m试样光纤测试条件或采用将2mG.652光纤熔接在2mG.657试样光纤上,并在G.652光纤上绕两个40mm半径圈的测试条件测试G.657光纤1310nm处模场直径。