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SDRAM存储器的交错机制及其应用
被引量:
4
1
作者
于银涛
赵昕
乔丽萍
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2008年第21期5468-5470,共3页
在分析SDRAM(同步动态随即存取存储器)存储器的结构和访问时序的基础上,介绍了SDRAM的交错机制,并分析了交错机制对SDRAM访问性能的影响。通过对基于页的交错和基于体的交错方式的对比分析,得出基于页的交错方式具有更好的访问性...
在分析SDRAM(同步动态随即存取存储器)存储器的结构和访问时序的基础上,介绍了SDRAM的交错机制,并分析了交错机制对SDRAM访问性能的影响。通过对基于页的交错和基于体的交错方式的对比分析,得出基于页的交错方式具有更好的访问性能的结论,并通过实际测试证明了这一结论。测试结果表明,在相同的硬件条件下,采用基于页的交错方式比基于体的交错方式提高4%~5%的性能。
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关键词
同步动态随即存取存储器
存储体
页
交错
基于页的交错
基于体的交错
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职称材料
题名
SDRAM存储器的交错机制及其应用
被引量:
4
1
作者
于银涛
赵昕
乔丽萍
机构
北京计算机技术及应用研究所
第二炮兵
出处
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2008年第21期5468-5470,共3页
文摘
在分析SDRAM(同步动态随即存取存储器)存储器的结构和访问时序的基础上,介绍了SDRAM的交错机制,并分析了交错机制对SDRAM访问性能的影响。通过对基于页的交错和基于体的交错方式的对比分析,得出基于页的交错方式具有更好的访问性能的结论,并通过实际测试证明了这一结论。测试结果表明,在相同的硬件条件下,采用基于页的交错方式比基于体的交错方式提高4%~5%的性能。
关键词
同步动态随即存取存储器
存储体
页
交错
基于页的交错
基于体的交错
Keywords
SDRAM
bank
page
interleaving
PBI (page
based
interleaving)
bbi (bank based interleaving)
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SDRAM存储器的交错机制及其应用
于银涛
赵昕
乔丽萍
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
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