双极双栅MOS晶体管静态特性解析模型的模拟与分析

提出了一种应用于 VHF和 UHF的新型功率电子器件——双极双栅 MOS晶体管(BDGMOSFET) ,该结构是在单栅 MOSFET一侧引入双极型压控晶体管 (BJMOSFET) [1] ,使之在正向工作时具有 MOSFET和 BJT的工作特性 ,通态电阻较小 ,同时 ,减少了寄生双极晶体管效应 ,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究 ,在该模型基础上运用通用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法 [2 ]模拟了 BDGMOSFET的直流特性 ,结果表明 ,在同等条件下 ,BDGMOSFET的电流密度比双栅 MOSFET提高大约 30 %。