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BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究
1
作者 徐小树 王玉仓 +4 位作者 魏英耐 姚乾凯 马丙现 贾瑜 胡行 《河南教育学院学报（自然科学版）》 2001年第1期21-24,共4页
本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与... 本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与大多数Ⅲ Ⅴ族和Ⅱ Ⅵ族半导体的 (110 )面的电子结构定性上是类似的 .但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别 . 展开更多
关键词 散射理论 bn(110)面 反常弛豫 投影带结构 层态密度 半导体 电子结构
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Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算
2
作者 贾瑜 顾华伟 +4 位作者 李新建 姚乾凯 魏英耐 马丙现 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 2000年第1期42-47,共6页
在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .
关键词 氮化镓 反常驰豫 表面电子结构 氮化铝 氮化硼
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