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BSIM模型的研究和最近进展(英文)
被引量:
5
1
作者
何进
陈文新
+4 位作者
奚雪梅
宛辉
品书
阿里.力克纪达
胡正明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期388-396,共9页
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSI M团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSI M进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和...
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSI M团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSI M进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSI M工程的研究和进展情况,包括BSI M5的研究, BSI M4的增强和BSI MSOI的发展. BSI M5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSI M模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSI M4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求. BSI MSOI已经发展成可应用于SOI -PD和SOI -FD技术的普适模型,通过有效体电势ΔVbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.
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关键词
集约模型
bsim5
BSIM4
BSIMSOI
器件物理
MOSFET
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职称材料
题名
BSIM模型的研究和最近进展(英文)
被引量:
5
1
作者
何进
陈文新
奚雪梅
宛辉
品书
阿里.力克纪达
胡正明
机构
北京大学微电子学研究院
香港科技大学电子和电气工程系
美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期388-396,共9页
基金
SRC基金(批准号:2002 -NJ-1001,2003 -NJ-1134)
香港RGC基金(批准号:HKUST6111/03E)资助项目~~
文摘
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSI M团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSI M进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSI M工程的研究和进展情况,包括BSI M5的研究, BSI M4的增强和BSI MSOI的发展. BSI M5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSI M模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSI M4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求. BSI MSOI已经发展成可应用于SOI -PD和SOI -FD技术的普适模型,通过有效体电势ΔVbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.
关键词
集约模型
bsim5
BSIM4
BSIMSOI
器件物理
MOSFET
Keywords
compact modeling
bsim5
BSIM4
BSIMSOI
device physics
MOSFETs
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BSIM模型的研究和最近进展(英文)
何进
陈文新
奚雪梅
宛辉
品书
阿里.力克纪达
胡正明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
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