期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
XPS study of BZT thin film deposited on Pt/Ti/SiO_2/Si substrate by pulsed laser deposition
1
作者 蒋艳平 唐新桂 +2 位作者 刘秋香 程铁栋 周益春 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2007年第A02期862-865,共4页
Ferroelectric materials were widely applied for actuators and sensors. Barium zirconate titanate Ba(Zr0.25Ti0.75)O3 thin film was grown on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrates by pulsed laser deposition. Structure and surfac... Ferroelectric materials were widely applied for actuators and sensors. Barium zirconate titanate Ba(Zr0.25Ti0.75)O3 thin film was grown on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrates by pulsed laser deposition. Structure and surface morphology of the thin film were studied by X-ray diffractometry(XRD) and scan electronic microscopy(SEM). The composition and chemical state near the film surface were obtained by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). On the sample surface,O 1s spectra can be assigned to those from the lattice and surface adsorbed oxygen ions,while C1s only result from surface contamination. The result shows that only one chemical state is found for each spectrum of Ba 3d,Zr 3d and Ti 2p photoelectron in the BZT thin film. 展开更多
关键词 bzt薄膜 脉冲激光沉积 化学状态 铂/钛/二氧化硅/硅基底
下载PDF
PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜 被引量:1
2
作者 唐新桂 梁建烈 +2 位作者 农亮勤 熊惠芳 陈王丽华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期46-48,51,共4页
用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz... 用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值
下载PDF
BST/BZT/BST多层薄膜结构与性能研究
3
作者 秦文峰 熊杰 李言荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期247-250,共4页
利用脉冲激光沉积法在LaNiO3/LaAlO3(001)基片上生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)单层薄膜,以及Ba(Zr0.2Ti0.8)O3/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT/BST/BZT)多层薄膜.X射线衍射(XRD)分析发现,BST、BZT和LNO薄膜... 利用脉冲激光沉积法在LaNiO3/LaAlO3(001)基片上生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)单层薄膜,以及Ba(Zr0.2Ti0.8)O3/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT/BST/BZT)多层薄膜.X射线衍射(XRD)分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的(00l)取向.原子力显微镜(AFM)显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多层薄膜在微波应用中具有很大的潜力. 展开更多
关键词 BST/bzt/BST 薄膜 介电常数 漏电流
下载PDF
Mg掺杂Ba(Zr_(0.25)Ti_(0.75))O_3薄膜的介电调谐性能 被引量:2
4
作者 孙小华 周生刚 +1 位作者 李修能 吴敏 《三峡大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第4期91-94,共4页
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3(BZT)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BZT微结构和介电调谐性能的影响.结果表明Mg掺杂BZT使... 采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3(BZT)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BZT微结构和介电调谐性能的影响.结果表明Mg掺杂BZT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;5mol%Mg掺杂BZT薄膜有最大的优值因子为16.3,其介电常数、介电损耗和调谐量分别为289.5、0.016和26.8%. 展开更多
关键词 bzt薄膜 Mg掺杂 溶胶凝胶 介电调谐性能
下载PDF
纳米晶Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜的外延生长与介电特性 被引量:3
5
作者 杨中服 唐新桂 《广东工业大学学报》 CAS 2008年第1期11-14,共4页
用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.... 用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%. 展开更多
关键词 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 介电调谐特性
下载PDF
“包络法”在Ba(ZrTi)O_3铁电薄膜中的应用 被引量:1
6
作者 张红燕 翟继卫 张军 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期295-297,共3页
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备B a(Z rT i)O3铁电薄膜,U-3010紫外光谱仪测量BZT薄膜的透射光谱,光谱表明制备的BZT薄膜样品厚度均匀,利用“包络法”计算出薄膜的厚度约为301.3nm并得到薄膜的复折射率随入射光频率的变化曲线,进一步... 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备B a(Z rT i)O3铁电薄膜,U-3010紫外光谱仪测量BZT薄膜的透射光谱,光谱表明制备的BZT薄膜样品厚度均匀,利用“包络法”计算出薄膜的厚度约为301.3nm并得到薄膜的复折射率随入射光频率的变化曲线,进一步拟和出BZT薄膜的透射谱.研究表明在紫外光区到近红外光区“包络法”计算精度高. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 bzt薄膜 “包络法” 复折射率
下载PDF
sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究 被引量:3
7
作者 胡丹 翟继卫 +1 位作者 张良莹 姚熹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期10-12,16,共4页
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙... 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。 展开更多
关键词 无机陶瓷材料 SOL-GEL bzt薄膜 烧结温度 介电性能
下载PDF
锆钛酸钡薄膜的制备及其光学性能研究 被引量:6
8
作者 黄隆 王军 谢亚楠 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2010年第5期61-63,共3页
采用溶胶凝胶法(Sol-gel)在石英衬底上制备了锆钛酸钡(BZT)薄膜。通过差热分析仪(DTA),确定了BZT薄膜的热处理工艺。用分光光度计测试了BZT薄膜的透射谱,结果表明,在可见光及近红外区域,BZT薄膜具有较高的透过率。采用"包络法"... 采用溶胶凝胶法(Sol-gel)在石英衬底上制备了锆钛酸钡(BZT)薄膜。通过差热分析仪(DTA),确定了BZT薄膜的热处理工艺。用分光光度计测试了BZT薄膜的透射谱,结果表明,在可见光及近红外区域,BZT薄膜具有较高的透过率。采用"包络法"计算了BZT薄膜的光学常数,结果表明,波长从370 nm增加到1 100nm时,BZT薄膜的折射率为1.75~1.93,薄膜厚度为268 nm,BZT薄膜的光学带隙为4.2 eV。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 bzt薄膜 光学性质
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部