等温退火过程中Co_(66)Fe_4Mo_2Si_(16)B_(12)非晶合金磁性及结构的变化

将Co66Fe4Mo2Si16B12非品合金在460℃等温退火30～120min。合金在460℃等温退火过程中，相对起始磁导率μi随退火时间的延长先增大，在t≈45min时达到最大值，然后随着退火时间的延长快速下降。电子衍射花样的结果表明，合金此时仍保持非品态结构．同时发现，合金的饱和磁致伸缩系数λs随退火时间的延长由负值逐渐变为正值，当t＝45min时，λs≈0，由此可知，合金在等温退火过程中相对起始磁导率的峰值与零磁致伸缩系数相对应。

笼状团簇Mg_(12)B_(24)结构与性质的密度泛函理论研究

运用杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G*水平上优化得到了一种Mg _(12) B _(24)团簇的笼状稳定结构,其IR最强吸收峰位于205.23 cm^(-1),Raman谱的最强峰位于242.63 cm^(-1).Mg _(12) B _(24)团簇笼状结构中B原子主要是sp杂化轨道参与成键,Mg原子主要是s轨道参与成键.团簇中B原子层堆积了大量的电子,表明MgB 2的超导作用主要发生在B原子层;B原子层电子存在较强的离域性,也为超导电性提供了条件;Mg原子起了提供电子的作用.

C_6H_5C_2H_4Co（salen）H_2O的晶体结构和性质研究

合成了标题配合物Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＣＯ（ｓａｌｅｎ）Ｈ２Ｏ，并经元素分析、红外、紫外－可见光谱、差热－热重分析和循环伏安法表征．测定了晶体结构，其中轴向的Ｃｏ—Ｃ和Ｃｏ－Ｏ键长分别为１．９６２（１４）和２．２０９（９）Ａ，其Ｃｏ—Ｃ键是目前ＲＣｏ（ｓａｌｅｎ）Ｈ２Ｏ中最短的，晶体属四方晶系，空间点群为Ｐ－４２（１）Ｃ，品胞参数如下：ａ＝２４．７８９（９），ｂ＝２４．７８９（９），ｃ＝７．０６０（７）Ａ，β＝９０．００°，Ｖ＝４３３８．９Ａ３，Ｚ＝８．

磁控溅射Al-Mg-B薄膜成分优化

采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB_(14)相的元素成分比,其Vickers硬度约为32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明.制备的薄膜均为非晶态XPS测试表明薄膜内部存在B-B及Al-B单键;FTIR进一步测试表明,在波数1100 cm^(-1)处出现较为明显的振动吸收峰,证明制备的薄膜中含有B_(12)二十面体结构,这也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨损测试表明薄膜摩擦系数在0.07左右.