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Enhancement of Thermoelectric Performance of Sr0.9Ba0.1Ti0.8Nb0.2O3 Ceramics by A-Site Cation Nonstoichiometry
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作者 张鑫 刘剑 +6 位作者 李宜 苏文斌 李吉超 祝元虎 李茂奎 王春明 王春雷 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期113-116,共4页
Sr0.9Ba0.1Ti0.8Nb0.2O3 ceramics (x=0, 0.01, 0.02 and 0.05) are prepared by solid state reaction, whose thermoelectric properties are investigated from 323K to 1073K. By introducing A-site nonstoichiometry, the absol... Sr0.9Ba0.1Ti0.8Nb0.2O3 ceramics (x=0, 0.01, 0.02 and 0.05) are prepared by solid state reaction, whose thermoelectric properties are investigated from 323K to 1073K. By introducing A-site nonstoichiometry, the absolute Seebeck coefficient is enhanced, while the electrical resistivity is surprisingly reduced due to the significantly enhanced carrier mobility. These results are dramatic in thermoelectric materials, effectively enhancing the power factor. Moreover, the thermal conductivity is reduced, thus the thermoelectric performance of Sr0.9Ba0.1Ti0.8Nb0.2O3 ceramic is significantly enhanced by A-site nonstoiehiometry. 展开更多
关键词 ba Nb o3 ceramics by A-Site Cation Nonstoichiometry ti
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Low-Temperature Sintering and Microwave DielectricProperties of Ba_2Ti_3Nb_4O_(18) Ceramics
2
作者 胡云香 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2011年第5期847-851,共5页
The effects of CuO and H3BO3 additions on the low-temperature sintering,microstructure,and microwave dielectric properties of Ba2Ti3Nb4O18 ceramics were investigated.The addition of less amount of CuO ( 〈1 wt%) con... The effects of CuO and H3BO3 additions on the low-temperature sintering,microstructure,and microwave dielectric properties of Ba2Ti3Nb4O18 ceramics were investigated.The addition of less amount of CuO ( 〈1 wt%) considerably facilitated the densification of Ba2Ti3Nb4O18 ceramics.Appropriate addition of H3BO3 ( 〈3.5 wt%) remarkably improved the microwave dielectric properties of ceramics.The addition of H3BO3 and CuO successfully reduced the sintering temperature of Ba2Ti3Nb4O18 ceramics from 1300 to 1050 ℃.Ba2Ti3Nb4O18 ceramics sintered at 1 050 ℃ for 4 h with the addition of 1.0 wt% CuO and 3.5 wt% H3BO3 exhibited good microwave dielectric properties:er=33.74,Q?f=13 812 GHz,and tf=-5.35 ppm/°C at about 5.0 GHz. 展开更多
关键词 ba2ti3Nb4o18 ceramics microwave dielectric properties low-temperature sintering Cuo and H3Bo3 additions
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Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响 被引量:5
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作者 齐建全 桂治轮 +2 位作者 王永力 李琦 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期989-992,共4页
在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用 Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数>2500... 在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用 Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的 Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3 的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果. 展开更多
关键词 YB2o3 ba(ti1-yZry)o3 介电性能 氧化镱 掺杂方式 氧化钡陶瓷
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高压电常数(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1-x)Sn_x)O_3陶瓷结构与性能研究 被引量:4
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作者 江向平 李璐 +3 位作者 陈超 唐洁 郑凯平 李小红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期33-37,共5页
采用传统固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1-xSnx)O3 (CBTZS-x)无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量(x=0~0.1)对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明: 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温... 采用传统固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1-xSnx)O3 (CBTZS-x)无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量(x=0~0.1)对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明: 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温下样品逐渐由三方和四方相共存结构转变为四方相结构, 且三方-四方相转变温度TR-T和居里温度TC均逐渐减小, 当x=0.04时, TR-T更接近于室温, 此时表现出优异的压电性能; 样品的剩余极化强度Pr和矫顽场Ec随着x增加均呈现出减小的趋势, 而相对介电常数εr则逐渐增大。当x=0.04时, CBTZS-x材料的综合性能最佳: d33=665 pC/N, kp=55.6%, εr=4520, Pr=12.5 μC/cm2, Ec=1.6 kV/cm, 表明该陶瓷材料具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 (ba0 85Ca0 15)(ti0 9Zr0 1-xSnx)o3 压电性能 介电性能
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(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(1-x)Zr_x)O_3无铅压电陶瓷的性能研究 被引量:3
5
作者 李璐 江向平 +3 位作者 陈超 易文斌 涂娜 李小红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1572-1577,共6页
采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti1-xZrx)O3(BCTZ)无铅压电陶瓷,研究Zr含量(x=0~0.15)对BCTZ陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随Zr含量的增加,室温下样品逐渐由四方相向三方相转变,在0.05<x&l... 采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti1-xZrx)O3(BCTZ)无铅压电陶瓷,研究Zr含量(x=0~0.15)对BCTZ陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随Zr含量的增加,室温下样品逐渐由四方相向三方相转变,在0.05<x<0.1范围内两相共存;样品的压电常数d33、平面机电耦合系数kp、剩余极化强度Pr和相对介电常数εr均随Zr含量的增加呈现先增加后减小的趋势,而矫顽场Ec则逐渐降低。样品的综合性能在x=0.08处达到最佳值:d33=461 pC/N,kp=50.7%,Pr=14.1μC/cm2,Ec=4.1 kV/cm,εr=3696,表明该材料具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 (ba0 85Ca0 15)(ti1-xZrx)o3 压电性能 介电性能 无铅压电陶瓷
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以SiO_2/Si为衬底的Ba_(1-x)La_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜的敏感特性(英文) 被引量:1
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作者 李斌 李观启 +1 位作者 黄美浅 曾绍鸿 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期13-17,共5页
通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3~ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ... 通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3~ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ,同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度 .我们测试了此薄膜的光吸收特性 ,并得到了它的禁带宽度 .最后 ,我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响 . 展开更多
关键词 钙肽矿氧化物 钛酸镧钡铌薄膜 光敏特性 热敏特性 湿敏特性 二氧化硅/硅衬底 薄膜电阻
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Ba(Ti_(1-x)Hf_x)O_3的电子结构及光学性能的第一性原理研究 被引量:7
7
作者 马梅 张文蕾 +2 位作者 张丽英 张丽丽 曹庆琪 《伊犁师范学院学报(自然科学版)》 2014年第2期39-44,共6页
利用第一性原理赝势方法和剪刀近似操作计算了Ba(Ti1-xHfx)O3(x=0,0.125,0.5,0.75)的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,随着Hf掺杂量的增加,Ba(Ti1-xHfx)O3结构发生扭曲的程度越来越严重,导致带隙发生变化,介电常数减小,降... 利用第一性原理赝势方法和剪刀近似操作计算了Ba(Ti1-xHfx)O3(x=0,0.125,0.5,0.75)的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,随着Hf掺杂量的增加,Ba(Ti1-xHfx)O3结构发生扭曲的程度越来越严重,导致带隙发生变化,介电常数减小,降低了Ba(Ti1-xHfx)O3的绝缘性能,反射率有了很大程度的变化,折射率也在降低,这使Ba(Ti1-xHfx)O3在制作光学元器件时扩大了使用范围. 展开更多
关键词 ba(ti1-xHfx)o3 第一性原理 电子能带结构 态密度 光学性质
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Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3/CoFe_2O_4叠层复合陶瓷的制备与磁电耦合效应研究
8
作者 袁昌来 轩敏杰 +3 位作者 许积文 刘心宇 周昌荣 杨云 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期317-320,共4页
以CoFe2O4压磁体、掺CuO和CeO2助烧剂的压电体Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3为基本叠层材料,采用界面固相熔融渗透法制备了掺助烧剂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3-CoFe2O4叠层复合陶瓷。叠层复合陶瓷的压电压磁相叠层界面结合良好。随着压磁相... 以CoFe2O4压磁体、掺CuO和CeO2助烧剂的压电体Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3为基本叠层材料,采用界面固相熔融渗透法制备了掺助烧剂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3-CoFe2O4叠层复合陶瓷。叠层复合陶瓷的压电压磁相叠层界面结合良好。随着压磁相与压电相厚度比比率的增加,叠层复合陶瓷的饱和磁致伸缩系数–λ从67×10-6增加到134×10-6、压电系数d33从340 pC/N逐渐减小到205 pC/N;磁电耦合系数先增大后减小,在厚度比为2、外磁场为100 mT时得到最大值3200 mV/(cm.mT)。 展开更多
关键词 ba0 85Ca0 15Zr0 1ti0 9o3 CoFE2o4 叠层复合陶瓷 磁电耦合效应
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Ba_(1-x)Bi_x(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3陶瓷的介电弛豫特征
9
作者 丁士华 王久石 +2 位作者 宋天秀 那文菊 王岩 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第3期38-42,共5页
采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷,X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,3%mol的Bi3+能够完全溶入钙钛矿晶格中。不同频率下Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电温谱显示所有样品均表现出... 采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷,X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,3%mol的Bi3+能够完全溶入钙钛矿晶格中。不同频率下Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电温谱显示所有样品均表现出弥散相变的特征,在x≥0.02的三组样品又表现出弛豫铁电体的特征。通过纳米极性微区和畴壁探讨了弛豫现象产生的机理。 展开更多
关键词 ba1-xBix(ti0.9Zr0.1)o3陶瓷 弥散相变 介电弛豫 纳米极性微区 畴壁
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Ba(Ti_(1-x)Sn_x)O_3电子结构和光学特性的第一性原理研究 被引量:4
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作者 李汉军 潘红亮 李腾 《工矿自动化》 北大核心 2013年第10期90-94,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了Ba(Ti1-x Snx)O3在不同Sn掺杂量情况下的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,随着Sn掺杂量的增加,Ba(Ti1-x Snx)O3的带隙变大,在导带底部和价带顶部Ti—O键占据主要位... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了Ba(Ti1-x Snx)O3在不同Sn掺杂量情况下的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,随着Sn掺杂量的增加,Ba(Ti1-x Snx)O3的带隙变大,在导带底部和价带顶部Ti—O键占据主要位置,但Ba—O键被进一步减弱,介电常数变小,降低了Ba(Ti1-x Snx)O3的绝缘性能,反射率有了很大变化,折射率也在降低,使得Ba(Ti1-x Snx)O3在制作光学元器件时可使用的范围更广。 展开更多
关键词 ba(ti1-xSnx)o3 第一性原理 电子能带结构 态密度 光学特性
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Nb_2O_5对Ba_(0.68)Sr_(0.32)Ti_(1-x)Sn_xO_3陶瓷介电性能的影响 被引量:3
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作者 金莉莉 曲远方 蔡永进 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期28-29,38,共3页
采用传统固相法,制备了Nb2O5掺杂的Ba0.68Sr0.32Ti1–xSnxO3(BSTS)介电陶瓷,研究了Sn4+加入量和掺杂Nb2O5对材料介电性能的影响,用SEM研究了SnO2对材料微观结构的影响,当x(SnO2)为0.010,x(Nb2O5)为0.008时制得了εr为3689,tanδ为0.000... 采用传统固相法,制备了Nb2O5掺杂的Ba0.68Sr0.32Ti1–xSnxO3(BSTS)介电陶瓷,研究了Sn4+加入量和掺杂Nb2O5对材料介电性能的影响,用SEM研究了SnO2对材料微观结构的影响,当x(SnO2)为0.010,x(Nb2O5)为0.008时制得了εr为3689,tanδ为0.0006的高压低损耗陶瓷电容器瓷料,探讨了二者改性作用的机理。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ba0.68Sr0.32ti1-xSnxo3 SNo2 NB2o5 介电性能
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(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷的制备及其电学性能研究 被引量:1
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作者 陈维鑫 孙力 +3 位作者 牛键 刘青梅 陶玲玲 付鹏 《聊城大学学报(自然科学版)》 2018年第3期31-37,共7页
采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr... 采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr元素的掺杂使得晶胞参数减小;SEM图片显示,随着ZrO_2的加入,样品平均晶粒尺寸减小,且晶粒尺寸分布更加均匀;ZrO_2的加入显著影响了样品的电学性能,随着ZrO_2的加入,室温剩余极化强度(P_r)、矫顽场(E_c)和压电常数(d_(33))都先增加后减小,当x=0.01时P_r和E_c分别达到最大值35.7μC/cm^2和4.72kV/mm,当x=0.03时d_(33)达到最大值144pC/N;随着ZrO_2的加入,陶瓷样品常温介电常数增大,退极化温度T_d逐渐下降,且各样品都具有典型的弛豫特性. 展开更多
关键词 (Na0.5 Bi0.5)0.94 ba0.06 ti1-x Zrx o3压电陶瓷 结构 压电性能 铁电性能 介电性能
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水热法制备Ba(Ti_(0.9)Sn_(0.1))O_3纳米粉体
13
作者 张志伟 肖渊渊 +2 位作者 黄玉音 徐华蕊 朱归胜 《电工材料》 CAS 2013年第3期21-24,共4页
以二水合氯化钡、四氯化钛、五水合氯化锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12 h得到了平均粒径为(80±10)nm、比表面积为10.8 m2/g的单分散Ba(Ti0.9Sn0.1)O3纳米粉体。与SEM、激光粒度测试仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻... 以二水合氯化钡、四氯化钛、五水合氯化锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12 h得到了平均粒径为(80±10)nm、比表面积为10.8 m2/g的单分散Ba(Ti0.9Sn0.1)O3纳米粉体。与SEM、激光粒度测试仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,表明所得粉末呈单分散状态。研究了反应物初始浓度、矿化剂氢氧化钾过量浓度及反应温度对合成Ba(Ti0.9Sn0.1)O3粉体的影响。 展开更多
关键词 钛酸锡钡(ba(ti0 9Sn0 1)o3 ) 纳米粉体 水热法 合成
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Gd_2O_3的掺入对BaTiO_3陶瓷的形貌及相变等性能的影响 被引量:3
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作者 何琴玉 张进修 厉志明 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期19-22,共4页
通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 ... 通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 O3 主要存在于晶界 ;由于Gd2 O3 引起的应力的作用 ,Gd2 O3 的对BT的振动模式和一级相变产生了一定的影响 ,影响最显著的是对BaTiO3 展开更多
关键词 GD2o3 batio3 掺杂 微结构 相变 表面表貌 钛酸钡陶瓷 氧化钆 物理性能 纳米材料
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Ba_(1-x)Ca_xZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3陶瓷的微观结构、相变与介电性质(英文)
15
作者 张文星 李立强 《化学研究》 CAS 2018年第6期598-602,共5页
采用传统的水热合成法和烧结过程制备了Ba_(1-x)Ca_xZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(BCZT,x=0.1,0.2,0.3)陶瓷.研究了Ca^(2+)含量对其相组成、微观结构和介电性质所产生的影响.结果表明当x=0.3时,出现了不纯相.随着Ca^(2+)含量的增加,BCZT陶瓷的... 采用传统的水热合成法和烧结过程制备了Ba_(1-x)Ca_xZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(BCZT,x=0.1,0.2,0.3)陶瓷.研究了Ca^(2+)含量对其相组成、微观结构和介电性质所产生的影响.结果表明当x=0.3时,出现了不纯相.随着Ca^(2+)含量的增加,BCZT陶瓷的形貌从平板状转化为不规则的立方体状.介电常数曲线显示为大而宽的峰,其峰值出现在约66℃.从介电损耗曲线可以观察到随着烧结温度的增加,出现了斜方相至四方相(T_(O-T))和四方相至立方相(T_(T-C))的多晶相变. 展开更多
关键词 ba1-xCaZr0.2ti0.8o3 陶瓷 微观结构 介电性质
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溶胶-凝胶法制备Mn掺杂的BaTiO_3铁电薄膜 被引量:3
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作者 姜杰 杨琼 +1 位作者 周益春 蒋丽梅 《现代应用物理》 2015年第3期209-213,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比x分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3铁电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P-E回线的矩形度增加。实验... 采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比x分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3铁电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P-E回线的矩形度增加。实验结果表明:通过适量掺杂Mn离子,可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能,提高铁电薄膜的极化,降低薄膜的漏电流。 展开更多
关键词 铁电薄膜 ba(ti1-xMnx)o3 掺杂 漏电流 电滞回线
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无铅Ba(Ce,Ti)O_3陶瓷的电卡效应 被引量:1
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作者 陈育伦 刘小强 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期700-703,733,共5页
本文使用标准固相烧结法制备了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3(x=0.10,0.15,0.20)陶瓷,通过XRD分析发现这些陶瓷中除了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3主相外,还存在少量的杂相。利用Rietveld拟合的方法,获得了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3主相中的Ce/Ti实际比例。介... 本文使用标准固相烧结法制备了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3(x=0.10,0.15,0.20)陶瓷,通过XRD分析发现这些陶瓷中除了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3主相外,还存在少量的杂相。利用Rietveld拟合的方法,获得了Ba(Ti_(1-x)Ce_x)O_3主相中的Ce/Ti实际比例。介电温谱表明这些陶瓷均存在一个明显的介电峰,且随着x的增加,峰值温度下降,介电峰宽展宽。利用不同温度下的电滞迴线,给出了不同温度和电场强度下的极化值,通过间接法获得了这些陶瓷的电卡效应。结果表明,BaTi_(0.9)Ce_(0.1)O_3的电卡效应最强,其DT值在403K和40kV/cm的电场下达到最大值,为0.48K,电卡强度为0.12×10^(-6)K·m/V。 展开更多
关键词 电卡效应 ba(ti1-xcex)o3陶瓷
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Sr(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3掺杂Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3压电陶瓷性能研究
18
作者 张琪 刘心宇 吴轶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期6-8,共3页
采用固相合成法制备了Sr(Cu0.5W0.5)O3(SCW)掺杂的Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3(BCZT)无铅压电陶瓷,研究了SCW的掺杂量对陶瓷的晶体结构、介电和压电性能的影响。结果显示:SCW的加入,能显著降低BCZT陶瓷的烧结温度,达1 350℃,当SCW的掺杂... 采用固相合成法制备了Sr(Cu0.5W0.5)O3(SCW)掺杂的Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3(BCZT)无铅压电陶瓷,研究了SCW的掺杂量对陶瓷的晶体结构、介电和压电性能的影响。结果显示:SCW的加入,能显著降低BCZT陶瓷的烧结温度,达1 350℃,当SCW的掺杂量质量分数为0.1%时,制得BCZT压电陶瓷具有最佳的压电性能:d33=478 pC/N,tC为95℃,tanδ为1.5%,Kp为0.552。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 ba0 85Ca0 15Zr0 1ti0 9o3 Sr(Cu0 5W0 5)o3 低温烧结 居里温度 压电性能
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BCZT陶瓷的Nd^(3+)掺杂机制与介电性能研究
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作者 丁士华 彭勇 +1 位作者 宋天秀 那文菊 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第4期68-73,共6页
采用固相合成法制备了(Ba_(0.92-x)Ca_(0.08)Nd_x)(Ti_(0.82)Zr_(0.18))O_3(0≤x≤0.02)陶瓷样品,借助XRD、LCR等手段对该陶瓷的结构和介电性能进行了研究。结果表明:当x=0.015时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP软件模拟计算并结合实验... 采用固相合成法制备了(Ba_(0.92-x)Ca_(0.08)Nd_x)(Ti_(0.82)Zr_(0.18))O_3(0≤x≤0.02)陶瓷样品,借助XRD、LCR等手段对该陶瓷的结构和介电性能进行了研究。结果表明:当x=0.015时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP软件模拟计算并结合实验数据分析可知:随着Nd^(3+)浓度增加,Ti^(4+)空位补偿机制优先发生,可能伴有少量自我补偿。增大Nd^(3+)掺杂量,介电常数与介电损耗均呈现下降趋势,介电峰值扩展并向低温移动。随着Nd^(3+)掺杂量增加,陶瓷样品呈现弛豫型铁电体特征,这与偏离平衡位置Nd^(3+)和缺陷偶极子[4Nd_(Ba)~·+V_(Ti)~″″]产生的无规场有关。 展开更多
关键词 (ba0.92-xCa0.08Ndx)(ti0.82Zr0.18)o3陶瓷 掺杂机制 溶解能 介电性能
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