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RAMAN AND IR SPECTROSCOPY OF PTCR Ba_(1-x)Pb_xTiO_3 CERAMICS
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作者 王国梅 雷家珩 +2 位作者 恽怀顺 薛理辉 王勤 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 1995年第4期57-64,共8页
Raman and IR spectra of Nb-doped PTC Ba1-xPbxTiO3 semiconducting ceramics (x = 0,0. 28,0. 296,0. 313,0. 330,0. 370) have been measured, and mode assignments of Raman scattering frequencies and infrared absorption peak... Raman and IR spectra of Nb-doped PTC Ba1-xPbxTiO3 semiconducting ceramics (x = 0,0. 28,0. 296,0. 313,0. 330,0. 370) have been measured, and mode assignments of Raman scattering frequencies and infrared absorption peaks have been made at room temperature. The influence of Pb2+ ions content on resistivity temperature characteristics and vibration spectra for the Ea1-xPbxTiO3, ceramics have been discussed,and the temperature dependence of the Raman spectra in tetragonal and cubic phases have been investigated from 25 to 340℃. The results indicated that the Raman spectra of the paraelectric phase above Curie point are obviously different from that of ferroelectric phase below Curie point are obviously different from that of ferroelectric phase below Curie point for all the samples. Curie point of each sample,which is determined by resistivity-temperature characteristic measurment, is in good agreement with the results of Raman analysis. The ferroelectric phase transition in the PTCR Bai-xPbxTiO3 ceramics belongs to a distortion or displacement transition. 展开更多
关键词 raman IR spectroscopy PTCR ba1-x PbxTio3 ceramics
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铌掺杂Ba(ZrxTi1-x)O3弛豫铁电陶瓷介电性质的研究 被引量:2
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作者 马厂 杨丽 曹万强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期788-790,共3页
采用传统的固相反应法制备了Ba(Zr0.25Ti0.75)03+xat%Nb2O5(x=0,0.05,0.1,0.15)弛豫铁电陶瓷,研究了Nb2O5加入量对Ba(Zr,Ti)03(BZT)基电容器陶瓷性能的影响,得到了Nb2O5影响其性能的规律。结果表明:当x=0.15时介... 采用传统的固相反应法制备了Ba(Zr0.25Ti0.75)03+xat%Nb2O5(x=0,0.05,0.1,0.15)弛豫铁电陶瓷,研究了Nb2O5加入量对Ba(Zr,Ti)03(BZT)基电容器陶瓷性能的影响,得到了Nb2O5影响其性能的规律。结果表明:当x=0.15时介电常数最大,当x=0.10时介电损耗最小;适量Nb2O5能使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显。 展开更多
关键词 弛豫铁电体 电容器陶瓷 ba(zrxti1-x)o3 介电常数
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Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)半导体薄膜的红外热辐射响应研究 被引量:1
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作者 李然 刘桂霞 +1 位作者 李冰冰 孙强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期259-263,共5页
采用直流磁控溅射后退火法制备了Y1Ba2Cu3O7-x/Si和Y1Ba2Cu3O7-x/ZrO2/SiO2两种半导体薄膜,对该薄膜进行了红外热辐射响应特性研究。采用X射线衍射、电阻温度系数法、喇曼散射表征手段对薄膜的显微结构进行了详细分析。结果表明,有过渡... 采用直流磁控溅射后退火法制备了Y1Ba2Cu3O7-x/Si和Y1Ba2Cu3O7-x/ZrO2/SiO2两种半导体薄膜,对该薄膜进行了红外热辐射响应特性研究。采用X射线衍射、电阻温度系数法、喇曼散射表征手段对薄膜的显微结构进行了详细分析。结果表明,有过渡层的Y1Ba2Cu3O7-x半导体薄膜均匀性好,信噪比高,在红外波段和亚毫米波段甚至毫米波段都有良好的热辐射响应,适于制做非制冷探测器的敏感元。 展开更多
关键词 Y1ba2Cu3o7-x 半导体薄膜 热辐射
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Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷的介电弛豫特性 被引量:1
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作者 单丹 曲远方 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期12-14,18,共4页
采用固相反应法制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0~0.5)陶瓷,并以Fulcher的居里-外斯定律修正方程为依据,求出各样品的弛豫常数γ,以讨论组分对其介电弛豫特性的影响。结果表明:与纯相BaTiO3陶瓷相比,Ba(ZrxTi1-x)O3陶瓷的εr峰值εm由8000(x=0... 采用固相反应法制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0~0.5)陶瓷,并以Fulcher的居里-外斯定律修正方程为依据,求出各样品的弛豫常数γ,以讨论组分对其介电弛豫特性的影响。结果表明:与纯相BaTiO3陶瓷相比,Ba(ZrxTi1-x)O3陶瓷的εr峰值εm由8000(x=0)上升至15000(x=0.25)以上。该陶瓷在x=0.25附近存在着立方–四方相共存的准同型相界,由于准同型相界的高晶格活性,在弛豫特性上有了较大的提高。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ba(zrxti1-x)o3 准同型相界 介电弛豫 介电常数
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Sn掺杂钙钛矿BaTiO3电子结构的第一原理研究:Ba(SnxTi1-x)O3
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作者 王燕 黄银生 孙玉明 《纳米科技》 2008年第2期13-17,共5页
采用基于密度泛函理论(DFT)的全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法,对Sn掺杂钙钛矿BaTiO3电子结构进行了第一性原理研究,构造了3个不同的超胞,分别为1×2×2、1×1×3和1×1×2,即:分别由4个、3个和2个单... 采用基于密度泛函理论(DFT)的全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法,对Sn掺杂钙钛矿BaTiO3电子结构进行了第一性原理研究,构造了3个不同的超胞,分别为1×2×2、1×1×3和1×1×2,即:分别由4个、3个和2个单胞组成的超胞。研究表明:当X≤0.33时,随着X值的增大,相应的费米面会向Sn掺杂BaTiO3导带的更高的能量处移动,以适应掺杂电子数目的增多,其态密度的演化可以用一个严格的带状模型来描述,所以,掺入BaTiO3体系的每一个电子都对体系的导电过程有贡献,从而使其室温介电常数大幅度提高,介电损失相对减小。复合材料的态密度的重新分布主要是由O—P与所掺入的Sn混合后的杂化而引起的。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论 FPLAPW 电子结构 态密度 ba(SnxTi1-x)o3
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水热合成Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3的介电性能研究 被引量:2
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作者 冯萍 程素芬 曹万强 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第3期269-272,共4页
在140℃加热14 h的水热方法制备出Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0,0.1%,0.2%,0.5%)粉体.研究了1200℃到1280℃的烧结效果.XRD物相分析证明其结构为单一钙钛矿相,在水热法合成过程中,引入Na+离子,使晶格半径减小.SEM结果显示,在1 250℃烧结得到的陶... 在140℃加热14 h的水热方法制备出Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0,0.1%,0.2%,0.5%)粉体.研究了1200℃到1280℃的烧结效果.XRD物相分析证明其结构为单一钙钛矿相,在水热法合成过程中,引入Na+离子,使晶格半径减小.SEM结果显示,在1 250℃烧结得到的陶瓷晶粒生长较好,结构致密,晶粒分布均匀.与固相反应法相比,水热法能够有效地降低烧结温度,合成的陶瓷密度可达92.4%.介电测量表明,作为矿化剂的Na+部分取代Ba2+,会导致Ba(ZrxTi1-x)O3样品的介电峰明显宽化.实验观察到样品在40℃时出现了明显的损耗峰,可能是钠离子替代钡离子并产生氧空位所致.介电常数随Zr掺杂量的增多呈上升趋势,居里点温度随Zr掺杂量的增多向低温方向偏移. 展开更多
关键词 水热合成 介电常数 ba(zrxti1-x)o3 弛豫铁电性
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Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3弛豫铁电体的介电性能研究 被引量:5
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作者 熊俊文 孙娟萍 +1 位作者 夏丹 曹万强 《武汉化工学院学报》 2006年第1期32-34,38,共4页
采用传统的固相反应法制备了0.2%N b2O5掺杂的B a(Z r0.15T i0.85)O3弛豫铁电陶瓷,测量了不同温度下的介电频谱;讨论了介电常数的频率和温度特性;结果表明:由于掺铌BZT陶瓷内部结构的不均匀,导致多种弛豫时间的不对称分布,实际的Co le—... 采用传统的固相反应法制备了0.2%N b2O5掺杂的B a(Z r0.15T i0.85)O3弛豫铁电陶瓷,测量了不同温度下的介电频谱;讨论了介电常数的频率和温度特性;结果表明:由于掺铌BZT陶瓷内部结构的不均匀,导致多种弛豫时间的不对称分布,实际的Co le—Co le图不是理论上的半圆,而是偏离半圆的鼠标形式,BZT陶瓷在Z r质量分数为0.15时仍具有弛豫性;在介温曲线中,由于漏导电流的存在,tgδ—T曲线在高温部分有上翘现象. 展开更多
关键词 ba(zrxti1-x)o3 介电常数 Cole-Cole图
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(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷的制备及其电学性能研究 被引量:1
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作者 陈维鑫 孙力 +3 位作者 牛键 刘青梅 陶玲玲 付鹏 《聊城大学学报(自然科学版)》 2018年第3期31-37,共7页
采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr... 采用固相合成法制备了(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)Zr_xO_3(x=0-0.05)压电陶瓷,通过XRD、SEM和电学性能测试方法研究了不同含量ZrO_2对陶瓷样品结构和性能的影响.XRD分析发现,ZrO_2的掺杂没有改变陶瓷的钙钛矿结构,但Zr元素的掺杂使得晶胞参数减小;SEM图片显示,随着ZrO_2的加入,样品平均晶粒尺寸减小,且晶粒尺寸分布更加均匀;ZrO_2的加入显著影响了样品的电学性能,随着ZrO_2的加入,室温剩余极化强度(P_r)、矫顽场(E_c)和压电常数(d_(33))都先增加后减小,当x=0.01时P_r和E_c分别达到最大值35.7μC/cm^2和4.72kV/mm,当x=0.03时d_(33)达到最大值144pC/N;随着ZrO_2的加入,陶瓷样品常温介电常数增大,退极化温度T_d逐渐下降,且各样品都具有典型的弛豫特性. 展开更多
关键词 (Na0.5 Bi0.5)0.94 ba0.06 Ti1-x Zrx o3压电陶瓷 结构 压电性能 铁电性能 介电性能
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Optical study of Ba(Mn_xTi_(1-x)O_3) thin films by spectroscopic ellipsometry
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作者 张婷 殷江 +1 位作者 丁玲红 张伟风 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第11期589-593,共5页
Stoichiometric Ba(MnxTi(1-x)O3) (BMT) thin films with various values of x were deposited on Si(111) substrates by the sol-gel technique. The influence of Mn content on the optical properties was studied by spe... Stoichiometric Ba(MnxTi(1-x)O3) (BMT) thin films with various values of x were deposited on Si(111) substrates by the sol-gel technique. The influence of Mn content on the optical properties was studied by spectroscopic ellipsometry (SE) in the UV–Vis–NIR region. By fitting the measured ellipsometric parameter (Ψ and Δ) with a four-phase model (air/BMT+voids/BMT/Si(111)), the key optical constants of the thin films have been obtained. It was found that the refractive index n and the extinction coefficient k increase with increasing Mn content due to the increase in the packing density. Furthermore, a strong dependence of the optical band gap Eg on Mn/Ti ratios in the deposited films was observed, and it was inferred that the energy level of conduction bands decreases with increasing Mn content. 展开更多
关键词 ba(MnxTi(1-x)o3 (BMT) thin films spectroscopic ellipsometry refractive index extinction co-efficient
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组合法制备Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3铁电薄膜及性能研究
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作者 何岗 彭超 +4 位作者 赵德森 何明中 洪建和 栗海峰 公衍生 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期25-29,共5页
为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(... 为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜.XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111),晶格参数变化规律与传统方法制备的PZT薄膜的结果一致.x=0.3的前驱体在200℃附近出现特殊的热分解现象.XPS测试结果证实薄膜成分基本符合理论值,SEM结果显示薄膜界面清晰,与基片接触良好,厚度在450 nm左右.电滞回线测试表明,富钛区样品剩余极化与矫顽场都较大;近准同型相界附近样品具有良好的铁电性,剩余极化较大且矫顽场较小;富锆区样品剩余极化与矫顽场较小,出现反铁电特征. 展开更多
关键词 化学溶液分解 组合合成 Pb(zrxti1-x)o3 薄膜 铁电性
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Bi对Ba(Sn_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷介电性质的调节作用
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作者 张明福 邢庆刚 +3 位作者 韩杰才 左洪波 谭舒平 肖鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期395-398,共4页
采用传统的固相反应烧结工艺制备出了Ba1-3xBi2x(Ti0.9Sn0.1)O3(x=0,0.1%,0.2%,0.4%,0.6%,0.8%,1.0%,1.2%,1.4%)9种铁电陶瓷,利用XRD和介电温谱对陶瓷的物相结构与相变特性进行了研究。结果表明,产物为单相钙钛矿结构,Bi的A位轻量替代... 采用传统的固相反应烧结工艺制备出了Ba1-3xBi2x(Ti0.9Sn0.1)O3(x=0,0.1%,0.2%,0.4%,0.6%,0.8%,1.0%,1.2%,1.4%)9种铁电陶瓷,利用XRD和介电温谱对陶瓷的物相结构与相变特性进行了研究。结果表明,产物为单相钙钛矿结构,Bi的A位轻量替代可以对陶瓷的介电性质和相变温度产生很大影响,随Bi元素在A位替代量的增加陶瓷从一般铁电体向驰豫铁电体转变,且弥散相变特征加重。 展开更多
关键词 ba(SnxTi(1-x)o3 弥散相变 介电性质
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含NiTi阻挡层的硅基(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3铁电电容器异质结 被引量:1
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作者 刘保亭 闫小兵 +4 位作者 程春生 李锋 马良 赵庆勋 闫正 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期157-160,共4页
应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁... 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层。 展开更多
关键词 铁电存储器 NITI 阻挡层 Pb(zrxti1-x)o3
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(1-x)Ba_4LiNb_3O_(12)-xBaTiO_3(x=0~0.40)钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能
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作者 田彩兰 岳振星 张杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期171-174,共4页
采用传统的固相法合成了(1-x)Ba4LiNb3O12-xBaTiO3(x=0~0.40)钙钛矿陶瓷。通过XRD,Raman,SEM以及电学测试对材料的结构和性能进行表征。XRD和Raman结果表明,Ti4+不利于六方相的稳定,一旦出现,部分或全部六方相即转变为立方相。随着x增... 采用传统的固相法合成了(1-x)Ba4LiNb3O12-xBaTiO3(x=0~0.40)钙钛矿陶瓷。通过XRD,Raman,SEM以及电学测试对材料的结构和性能进行表征。XRD和Raman结果表明,Ti4+不利于六方相的稳定,一旦出现,部分或全部六方相即转变为立方相。随着x增大,陶瓷的介电常数(εr)逐渐增加,品质因数(Q×)逐渐降低,频率温度系数(τ)逐渐增加。立方相陶瓷与六方的相比,有较高的εr,较低的Q×和较大的τ。讨论了六方相的稳定性以及结构与性能之间的关系。 展开更多
关键词 (1-x)ba4LiNb3o12-xbaTio3 六方钙钛矿 稳定 微波介质
原文传递
组合法制备Pb(Zr_xTi(1-x))O_3组分梯度薄膜
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作者 彭超 何岗 +3 位作者 何明中 洪建和 栗海峰 公衍生 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期7-11,共5页
在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM... 在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。 展开更多
关键词 组合合成 Pb(zrxti1-x)o3 组分梯度薄膜 铁电性
原文传递
铌掺杂锆钛酸钡陶瓷制备及介电性能的研究
15
作者 马厂 《湖北理工学院学报》 2012年第6期41-44,48,共5页
采用传统的固相反应法制备了BaZr0.15Ti0.85-xNbxO3陶瓷,其中x分别为:0,0.1%,0.2%,0.3%,1.5%,1.8%,2.0%,2.5%,3.0%,0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,并研究了最佳烧结工艺。在Ba(Zr0.15Ti0.85)O3陶瓷中掺铌时能起到压峰和移峰作用,在Ba(Zr0.15... 采用传统的固相反应法制备了BaZr0.15Ti0.85-xNbxO3陶瓷,其中x分别为:0,0.1%,0.2%,0.3%,1.5%,1.8%,2.0%,2.5%,3.0%,0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,并研究了最佳烧结工艺。在Ba(Zr0.15Ti0.85)O3陶瓷中掺铌时能起到压峰和移峰作用,在Ba(Zr0.15Ti0.85)O3中掺杂微量的铌时,可以使Ba(Zr0.15Ti0.85)O3陶瓷的介电常数最大值有轻微的增大,但增大掺杂量时,可以起到较为明显的压峰作用。Nb的移峰效应约为-20℃/mol%。结果表明:Nb微量掺杂改性后的陶瓷在介电性能上总体都有所提高,当掺杂Nb的物质的量分数为0.2%时,陶瓷介电性能的改善最为显著,介电常数在100 Hz时达17 000,而介电损耗较小(1 kHz时在0.05左右)。通过掺杂改性后,介-温特性得到不同程度的改善。 展开更多
关键词 弛豫铁电体 电容器陶瓷 ba(zrxti1-x)o3 介电常数
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