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斜切基片上台阶流动生长的YBCO薄膜及BST/YBCO双层薄膜
1
作者
王天生
田永君
+2 位作者
彭炜
漆汉宏
李林
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期542-545,共4页
用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征.结果表明,在1°~3°...
用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征.结果表明,在1°~3°斜切的SrTiO3基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜,呈现台阶流动(step flow)到三维岛状生长的转变;而6°~15°斜切基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜为完全台阶流动生长.在1.2°斜切的LaAlO3基片上原位制备了良好异质外延生长的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜.在77 K,1 MHz频率和±30 V直流偏压下,测定了其电容-电压特性,确定其介电常数、可调谐性和品质因数分别为1200,60%和133.表明该Ba0.1Sr0.9TiO3薄膜可应用于在液氮温度下工作的可调谐微波器件.
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关键词
yba
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7
-δ超导薄膜
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7-δ异质结构
外延生长
脉冲激光沉积
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职称材料
题名
斜切基片上台阶流动生长的YBCO薄膜及BST/YBCO双层薄膜
1
作者
王天生
田永君
彭炜
漆汉宏
李林
机构
燕山大学亚稳材料制备技术与科学重点实验室
中国科学院物理研究所超导国家重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期542-545,共4页
基金
国家自然科学基金重点基金资助(59832050)
文摘
用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征.结果表明,在1°~3°斜切的SrTiO3基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜,呈现台阶流动(step flow)到三维岛状生长的转变;而6°~15°斜切基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜为完全台阶流动生长.在1.2°斜切的LaAlO3基片上原位制备了良好异质外延生长的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜.在77 K,1 MHz频率和±30 V直流偏压下,测定了其电容-电压特性,确定其介电常数、可调谐性和品质因数分别为1200,60%和133.表明该Ba0.1Sr0.9TiO3薄膜可应用于在液氮温度下工作的可调谐微波器件.
关键词
yba
2
cu
3
o
7
-δ超导薄膜
ba
0.1
sr
0.9
tio
3
/yba
2
cu
3
o
7-δ异质结构
外延生长
脉冲激光沉积
Keywords
yba
2
cu
3
o
7
-delta
superc
o
nducting film
ba0.1sr0.9tio3/yba2cu3o7-delta heterostructure
epitaxial gr
o
wth
pulsed laser dep
o
si
tio
n
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
斜切基片上台阶流动生长的YBCO薄膜及BST/YBCO双层薄膜
王天生
田永君
彭炜
漆汉宏
李林
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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