CuO掺杂对Ba_(0.96)(Bi_(0.5)K_(0.5))_(0.04)TiO_3陶瓷烧结行为和介电性能的影响

采用固相法制备了Ba0.96（Bi0.5K0.5）0.04TiO3-xCuO（x=0-0.05）陶瓷,通过XRD、SEM和阻抗分析仪等测试手段研究了CuO掺杂对Ba0.96（Bi0.5K0.5）0.04TiO3陶瓷烧结温度、相组成、显微结构和介电性能的影响。结果表明：在x=0-0.05掺杂浓度范围内,所有陶瓷样品均为钙钛矿结构,且没有第二相的生成。当x≤0.03时,CuO与Ba0.96（Bi0.5K0.5）0.04TiO3形成固溶体,Cu^2＋进入晶格取代Ti^4＋的位置。在x=0.02时,陶瓷样品的四方率c/a达到最大,居里温度TC最高为148.5℃。当x≥0.04时,过量的CuO在晶界处形成液相,显著降低烧结温度。当x=0.05时,烧结温度降为1275℃,由于液相的产生,陶瓷样品致密度提高,内部缺陷减少,介电损耗最小。在掺杂CuO的陶瓷样品中,介电常数先增大后减小,在x=0.01时达到最大。

[Bi_(0.5)(Na_(1-x-y)K_xAg_y)_(0.5)]_(0.96)Ba_(0.04)TiO_3无铅压电陶瓷的制备及性能研究

采用传统固相法制备出了新型BNT基多组元的[Bi0.5(Na1-x-yKxAgy)0.5]0.96Ba0.04TiO3(简称BNKABT-X-Y)无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的微结构和电学性能.X-射线衍射分析结果表明所研究组分陶瓷均能形成单一的钙钛矿结构.电学性能参数测试表明该陶瓷具有较好的压电性能,其中[Bi0.5(Na0.823K0.175Ag0.02)0.5]0.96Ba0.04TiO3陶瓷具有高的压电常数(d33=134 pC/N),高的机电耦合系数(kp=0.165),高的相对介电常数(εr=1295),机械品质因子Qm为94,介电损耗tanδ为0.036.

高性能无铅压电陶瓷(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3的制备与性能

采用企业的电子陶瓷工艺制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(BNTBT-6)无铅压电陶瓷,研究了制备工艺对BNTBT-6陶瓷的晶相、微观结构与介电压电性能的影响。研究结果表明,烧结方式会对BNTBT-6陶瓷的晶相和性能产生一定的影响。电学性能研究结果表明,湿磨盖烧BNTBT-6陶瓷样品的压电性能优良,室温下陶瓷样品的压电常数d33达到195pC/N,机电耦合系数kp为35%,机械质量因子Qm达到130,介电损耗tgδ为0.025。

KNNS-BNKZ无铅压电陶瓷的制备及其电性能研究

采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性能的影响规律。结果表明,采用直接合成法得到的KNNS-BNKZ陶瓷在室温下为四方相,而采用两步合成法得到的陶瓷在室温下为正交-四方两相共存,且随着Sb摩尔分数的增加,陶瓷材料的密度增大,室温下的相对介电常数增大,压电常数增大,居里温度降低。采用两步合成法制备的Sb摩尔分数为0.06的KNNS-BNKZ陶瓷具有最佳电性能:室温下,相对介电常数εr=1 659,介电损耗tanδ=0.038,居里温度T_C=243℃,压电常数d_33=138pC/N。