功率裸芯片的质量与可靠性保证方法

论述了常规裸芯片质量与可靠性保证的标准和技术,针对功率器件裸芯片,提出了高性能和高可靠性设计、制造工艺保障、验证筛选等质量与可靠性保证方法和技术途径;讨论了采用临时封装夹具技术,对功率裸芯片进行热敏参数筛选、结温控制老化筛选、高温高压反偏筛选等,最终实现对功率裸芯片100%的筛选,满足MCM和HIC对功率裸芯片的质量与可靠性要求。

基于裸芯片封装的金刚石/铜复合材料基板性能研究

基板是裸芯片封装中热传导的关键环节。随着微电子技术的发展,组件热流密度越来越大,对新型基板材料的要求越来越高,要求具有高的热导率、低的热膨胀系数以及较低的密度。金刚石/铜复合材料作为新一代基板材料正得到愈来愈多的关注。文中分别通过实验和计算机仿真分析了金刚石/铜复合材料的镀覆性、焊接性以及作为基板材料的热性能。结果表明,金刚石/铜复合材料性能良好,可以作为裸芯片封装的基板材料。

军用裸芯片KGD筛选方法探讨

军用SIP、MCM、混合IC等先进封装产品对裸芯片的需求日益增大,选用通过可靠性筛选后的KGD是确保最终产品成品率和可靠性的有效保障。基于现有的国内外标准、检测设备和检验环境,针对KGD获取方式中的分立形态裸芯片,通过对单个芯片进行临时夹具装载/卸载,开展电老炼和三温测试,建立分立裸芯片的KGD筛选方法和环境控制方法,使筛选后的裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求。对筛选后的合格产品进行可靠性验证,证明提出的KGD筛选方法可以获得满足用户使用要求的KGD产品。

微波裸芯片的测试技术

鉴于目前对微波裸芯片的旺盛需求,介绍了几种测试技术,主要包括探针台测试技术、夹具测试技术和非侵入式测试技术,并对不同的测试技术进行了对比,分析了各种测试方法的优缺点及存在的问题。

裸芯片封装技术的发展与挑战

随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一些不足之处,使得人们能够更加客观地看待一种新的技术,并且扬长避短地利用好它。一方面裸芯片的引入能够提高系统集成度和速度,这是裸芯片应用技术发展的必然性;另一方面针对裸芯片应用技术存在的问题,文章着重介绍了两种解决方法,即通过发展KGD技术和改进工艺的方法来提高裸芯片的质量和可靠性。

KGD技术发展与挑战

军用和民用电子系统中模块化和小型化发展的迫切需求使裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠性保证一直是人们关注的热点。本文论述了国外KGD技术发展现状,以及国内发展KGD技术面临的机遇与挑战。论述了已知良好芯片(KGD)保证的主要技术要求,重点介绍了KGD夹具技术和工艺流程,为国内KGD技术的发展提供了技术指导。

微波多芯片组件裸芯片自动贴装吸嘴设计

介绍了微波多芯片组件中常用的三类裸芯片结构、特点,并分析了每类裸芯片自动贴装的要求。针对每类裸芯片详细阐述了自动贴片吸嘴的材料选择、特点分析和设计方法,提供了一套完整的微波多芯片组件裸芯片自动贴装吸嘴设计的方法。

基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器

该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。

星载高可靠裸芯片设计

通过研究裸芯片的可靠性保证技术,提出了集成的已知良好芯片(KGD-确优裸片)的可靠性保证指南,并制定了完善的裸芯片设计、生产、过程控制和可靠性评估等技术流程。文章确定了KGD的规范线,作为裸芯片可靠性测试的检验标准。根据KGD规范线对裸芯片进行全频测试,并进行3MHz老化试验。通过试验,可以确保KGD的可靠性指标达到IC封装的要求,最终实现使用裸芯片的星载电子装备小型化、轻量化、高可靠、多功能和低成本。

砷化镓裸芯片环氧导电胶自动贴片技术

砷化镓裸芯片是微电路微波组件的核心器件,砷化镓裸芯片与微波电路基板的连接是微波多芯片组件微组装的关键工序。主要分析了砷化镓裸芯片吸嘴的设计对砷化镓裸芯片自动贴装的影响,并在显微镜下对芯片外观进行了目检,对芯片进行了剪切力强度测试。测试表明,通过设计自动贴片机吸嘴和优化贴片参数,实现了砷化镓裸芯片环氧导电胶自动一次无损贴装。

浅谈裸芯片的质量控制及应用管理

随着装备国产化、小型化、高可靠的发展,同时受进口元器件禁运风险的影响,裸芯片的使用越来越广泛。而目前生产厂家缺少对芯片进行筛选、试验的有关标准。组件模块级的电老练应力无法剔除装入其中存在早期失效缺陷的芯片,组件的长期可靠性难以保证。本文结合我所实际情况,针对不同的类别的芯片形成了详细的质量管理方法。阐述了通过设计过程控制、制造工艺过程监视、筛选试验过程表格化、数据包过程规范化并细化芯片应用要求等质量控制流程,有效保证产品实物质量与可靠性。

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。

基于SiP技术的微系统设计与实现

介绍了系统级封装(System in Package,SiP)技术,基于SiP技术设计了一款由FPGA、ARM、SRAM等裸芯片组成的微系统,介绍了微系统的工作原理,描述了产品的实现流程。该系统具有重量轻、体积小、功能齐全等优点。

三维存储芯片堆叠封装技术探研

新的3D封装设计能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺;采用机械芯片3D封装原型成功地进行了验证,创建了最新设计的三维(3D)存储芯片堆叠封装。3D封装的制造工艺包括:把晶圆切割成为芯片分段;包含侧墙绝缘的芯片钝化;在原始I/O焊盘上的通道开口;从中心焊盘到侧墙的再分配;采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术;侧墙互连技术;焊球粘附。与传统3D封装相比,在此新的3D封装设计中,进行了显著的改进。此新研发封装的特点是:在芯片的I/O再分布之前,完成芯片的侧墙绝缘,这形成了芯片相对于晶圆更高的集成度;以及在随后的制造步骤中显著的工艺简化。按照此设计,可得到与传统晶圆设计相比,芯片对封装面积的比为100%。不会造成邻近芯片的任何损失,这在传统3D封装设计的I/O再分布工艺期间是常常发生的。证明3D堆叠式封装原型的机械完整性,完全满足JEDECⅢ级和85℃/85%试验的各项要求。

基于DOB工艺的卫星导航抗干扰专用裸芯片测试板设计

针对卫星导航抗干扰专用芯片,为了在裸芯片封装前能够更快速地进行芯片功能测试,采用DOB工艺,将芯片裸片分别装联到常规矩形排列的PCB焊盘和优化后交错排列的PCB焊盘上,通过破坏性拉力实验对比发现,键合强度存在较大差异,经过优化的PCB焊盘设计更能满足DOB工艺需求,此外通过对比焊盘优化后承载裸芯片的PCB和承载封装后芯片的PCB电性能参数,验证了基于DOB工艺裸芯片测试的可行性,提高芯片测试效率,为芯片优化和上市节约时间,降低成本。

功率裸芯片的测试与老化筛选技术

由于存在高温度、大电流等问题,传统的测试与老化筛选功率管的方法不能完全适用于功率裸芯片。介绍了采用临时封装夹具来测试与老化筛选功率裸芯片的技术,并根据功率裸芯片的实际情况,阐述了测试与筛选功率裸芯片的方法。

R200系列标准配模和标准拉伸参数

介绍了 R2 0 0系列标准配模和标准拉伸参数的内容和如何应用。论述了将模孔尺寸和拉伸系数标准化 ,可大量地减少模具库存量 ,充分利用模具的固有寿命 ,并且为简化拉丝机设计计算和配模计算创造了条件。文中还进行实例分析和计算。

铜大拉机拉线试验及模具选择的分析

从铜大拉机的拉线工艺改进试验的分析,提出了在铜材拉制过程中,断线与模具定径区长度、变形区角度和摩擦系数有着重要的关系。

新型埋入式板级封装技术

越来越多的高密度、多功能和小型化需求给封装和基板都带来了新的挑战,很多新的封装技术也应运而生,包括引起众多关注的埋入式封装技术.在本文中,我们首先对埋入封装技术的优势、挑战以及发展现状进行了介绍.然后通过将功能性有源器件埋入到有机基板中的尝试说明了设计、制造和测试埋入式封装这一新兴技术的可行性.制定一个切实可行的解决方案,有利于降低制造成本和市场的产品开发周期.我们提出的这种埋入式板级封装技术,与传统的封装和基板工艺都兼容.此外,本文设计了将功能性的MOSFET有源芯片埋入到有机基板中的板级封装模块结构,对该模块进行了热机械仿真分析,找到了最大应力点,优化了工艺设计.最后,结合传统的基板工艺,制备了埋入式板级封装样品,并完成了埋入式板级封装模块的电阻通断测试和功能测试,验证了该工艺设计的可行性.