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Dielectric Barrier Discharge Plasma-Induced Photocatalysis and Ozonation for the Treatment of Wastewater 被引量:3
1
作者 MOK YoungSun JO Jin-Oh LEE Heon-Ju 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第1期100-105,共6页
The physicochemical processes of dielectric barrier discharge (DBD) such as insitu formation of chemically active species and emission of ultraviolet (UV)/visible light were utilized for the treatment of a simulat... The physicochemical processes of dielectric barrier discharge (DBD) such as insitu formation of chemically active species and emission of ultraviolet (UV)/visible light were utilized for the treatment of a simulated wastewater formed with Acid Red 4 as the model organic contaminant. The chemically active species (mostly ozone) produced in the DBD reactor were well distributed in the wastewater using a porous gas diffuser, thereby increasing the gas-liquid contact area. For the purpose of making the best use of the light emission, a titanium oxide-based photocatalyst was incorporated in the wastewater treating system. The experimental parameters chosen were the voltage applied to the DBD reactor, the initial pH of the wastewater, and the concentration of hydrogen peroxide added to the wastewater. The results have clearly shown that the present system capable of degrading organic contaminants in two ways (photocatalysis and ozonation) may be a promising wastewater treatment technology. 展开更多
关键词 dielectric barrier discharge OZONE ultraviolet light PHOTOCATALYST WASTEWATER
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Characterization of Vacuum Ultraviolet (VUV) Radiation for the Development of a Fluorescent Lamp
2
作者 Hasina KHATUN A.K.SHARMA P.K.BARHAI 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期480-485,共6页
A negative unipolar pulsed voltage is applied to study internal electrical parameters of the xenon filled dielectric barrier discharge (DBD) sources. The VUV radiation emitted from these sources is characterized by ... A negative unipolar pulsed voltage is applied to study internal electrical parameters of the xenon filled dielectric barrier discharge (DBD) sources. The VUV radiation emitted from these sources is characterized by means of the photoluminescence intensity of the red phosphor pellet. The red phosphor converts the VUV radiation into visible radiation and the emission spectra include a peak at 619.56 nm. The emission characteristics of the red phosphor are analyzed in terms of the pressure-distance (pd), rise time and frequency of the pulsed voltage waveform. The emission intensity measured at different operational conditions confirms that the formation and decay of the xenon excimer, Xe2^*, increase with the increase in reduced electric field, E/N. After exceeding certain limits of E/N, the intensity of Xe2^* decreases rapidly. 展开更多
关键词 dielectric barrier discharge vacuum ultraviolet PHOTOLUMINESCENCE RGB
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Design and Performance of an AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetector 被引量:1
3
作者 Xing-Li Zhou Mo-Hua Yang Jiang-Feng Du 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2009年第3期272-276,共5页
An AIGaN-based back-illuminated ultraviolet p-i-n detector is designed and its performance is analysed both simulately and experimentally. The width of p- and i-regions has been optimized to the best theoretic values.... An AIGaN-based back-illuminated ultraviolet p-i-n detector is designed and its performance is analysed both simulately and experimentally. The width of p- and i-regions has been optimized to the best theoretic values. It is indicated that the changing of responsivity with increase of bias can not be attributed to the expansion of depletion layer as it is believed, but to two reasons: 1) the effect of GaN/AlGaN heterojunction barrier to block the electrons decreases with higher bias and 2) the recombination rate of excess carriers decreases due to the building up of an electric field in depletion region. At zero bias, the simulated responsivity reaches its maximum of 0.12 A/W with quantum efficiency of 55.1%. The measured peak responsivity is more than 0.09 A/W with quantum efficiency greater than 41.6%. The experimental data are almost consistent with the results of the simulation. 展开更多
关键词 Hetero-junction barrier recombination rate RESPONSIVITY ultraviolet photodetector
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Physical Processes in Barrier Discharge Lamp Working in He/D2O Mixture
4
作者 Dmitry Levko Alexandr Shuaibov +2 位作者 Alexandr Minya Roksolana Gritzak Zoltan Gomoki 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2193-2200,共8页
This paper presents both results of a numerical modeling and an experimental study of the influence of various parameters on the radiation characteristics of barrier discharge lamp working in He/D2O mixture.It is obta... This paper presents both results of a numerical modeling and an experimental study of the influence of various parameters on the radiation characteristics of barrier discharge lamp working in He/D2O mixture.It is obtained that the intensity of ultraviolet radiation is a non-monotonic function of both the water and the helium pressures.The experimental results also show that the increase of both the discharge voltage and the discharge pulse frequency leads to the increase of radiation intensity.The comparison between the experimentally obtained data and the results of numerical modeling allows us to define the mechanism controlling the ultraviolet radiation in He/D2O mixture at various parameters. 展开更多
关键词 放电灯 混合物 物理过程 紫外线辐射 势垒 数值模拟 辐射强度 非单调函数
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有源区掺杂的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
5
作者 尹孟爽 张傲翔 +4 位作者 张鹏飞 贾李亚 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第3期170-175,共6页
为了改善深紫外激光二极管的性能,本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件,对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究,比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和... 为了改善深紫外激光二极管的性能,本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件,对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究,比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和能带图.仿真结果表明,有源区量子势垒n-p掺杂结构的性能更优,其阈值电压和阈值电流分别为4.40V和23.8mA;辐射复合速率达到1.64×10^(28)cm^(-3)/s;同一注入电流下电光转换效率达到42.1%,比原始结构增加了3.9%;改善了深紫外激光二极管的工作性能. 展开更多
关键词 ALGAN 有源区 量子势垒 掺杂 深紫外激光二极管
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薰衣草精油对皮肤屏障紫外损伤的保护机制研究
6
作者 刘菲 王倩 +3 位作者 韩婷婷 杨素珍 王文翠 郭凤娇 《生物学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期46-53,共8页
为探究薰衣草精油(Lavender essential oil,LEO)对皮肤屏障紫外损伤的保护作用及相关机制,采用气相色谱-质谱联用(Gas chromatography-mass spectrometry,GC-MS)法对LEO的成分进行鉴定分析,并采用3D表皮皮肤模型,以600 mJ/cm^(2)剂量的... 为探究薰衣草精油(Lavender essential oil,LEO)对皮肤屏障紫外损伤的保护作用及相关机制,采用气相色谱-质谱联用(Gas chromatography-mass spectrometry,GC-MS)法对LEO的成分进行鉴定分析,并采用3D表皮皮肤模型,以600 mJ/cm^(2)剂量的中波紫外线(Ultraviolet B,UVB)进行辐照,建立皮肤屏障紫外损伤模型;实验设置未给药+UVB未照射组、未给药+UVB照射组、维生素E/地塞米松+UVB照射组及LEO+UVB照射组,通过苏木精-伊红染色法、酶联免疫吸附测定法、免疫组化法和免疫荧光法等探究不同组别对氧化应激、炎症反应、屏障结构相关蛋白以及CD44受体的影响。结果显示,LEO经GC-MS检测分析后,共鉴定出51种化学成分,主要成分为乙酸芳樟酯、芳樟醇、乙酸薰衣草酯等。UVB会造成皮肤屏障损伤,表现为ROS水平升高,SOD酶活性降低,炎症因子表达增多,屏障相关蛋白及CD44受体表达减少。LEO对UVB诱导的皮肤屏障损伤具有一定的保护效果,主要通过抑制UVB诱导的白介素1α、肿瘤坏死因子α和前列腺素E2表达量增加及ROS水平上升(P<0.05),提升受损皮肤模型中4种屏障相关蛋白和CD44受体蛋白表达量及SOD酶活力来实现(P<0.01)。以上结果表明LEO在减少皮肤屏障紫外损伤方面具有较大的应用前景,为其在护肤品中的应用提供一定的理论基础。 展开更多
关键词 薰衣草精油 3D表皮皮肤模型 保护机制 屏障 紫外损伤
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Al组分阶梯型渐变电子阻挡层深紫外LED性能研究
7
作者 陈颖 黄丽莹 +2 位作者 张悦 冯镜如 钟伟 《赣南师范大学学报》 2024年第3期85-89,共5页
为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组... 为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组分阶梯型渐变EBL结构的深紫外LED(样品B、样品C)最大内量子效率(IQE)分别提高了7.9%、14.2%,光输出功率(LOP)在200 mA下分别提升了73.3%、80.1%.这是因为Al组分阶梯型渐变EBL结构有效改善了EBL处极化效应引起的电场强度,进而减少了电子泄漏. 展开更多
关键词 深紫外LED 极化效应 电子泄漏 电子阻挡层 光输出功率
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四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
8
作者 方文浚 万垂铭 +2 位作者 李深海 谢子敬 谭礼军 《赣南师范大学学报》 2024年第3期90-94,共5页
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率... 本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率在200 mA下分别提升了31.04%和21.62%.这主要是因为四层插入层量子垒结构可有效增加有源区内量子垒的能带势垒高度,提升量子阱对载流子的束缚能力. 展开更多
关键词 AlGaN深紫外LED 量子垒 插入层 内量子效率 辐射复合率
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超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响
9
作者 刘举 曹一伟 +4 位作者 吕全江 杨天鹏 米亭亭 王小文 刘军林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期393-401,共9页
在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的... 在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合. 展开更多
关键词 深紫外发光二极管 电子阻挡层 可靠性 外量子效率
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纳米材料TiO_2在汽车面漆中的应用研究探讨 被引量:14
10
作者 曹鹏军 范培耕 +1 位作者 仵海东 周安若 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期7-11,共5页
分析了纳米材料对汽车面漆涂料性能的影响机理 ,提出了利用纳米材料TiO2 提高汽车面漆涂料耐老化性能的设想。对于金红石型纳米TiO2 ,屏蔽紫外线的最佳粒径为 65~ 13 0nm。制订了纳米涂料的研制方案 。
关键词 纳米材料 汽车面漆 应用 研究 二氧化钛 纳米涂料 紫外线屏蔽 耐老化性能 分散性
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高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 被引量:2
11
作者 刘宗顺 赵德刚 +8 位作者 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期592-596,共5页
制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长35... 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2. 展开更多
关键词 肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态
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介质阻挡放电中的紫外线预电离 被引量:10
12
作者 詹花茂 李明 李成榕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期62-63,66,共3页
为解决大气体下尤其是空气辉光放电产生等离子体的困难,通过采用脉冲火花放电产生的紫外线对介质 阻挡放电预电离试验研究了紫外线预电离对降低空气击穿场强、“点燃”主放电的作用和气压与主放电频率对预电 离的影响;探讨了与气体... 为解决大气体下尤其是空气辉光放电产生等离子体的困难,通过采用脉冲火花放电产生的紫外线对介质 阻挡放电预电离试验研究了紫外线预电离对降低空气击穿场强、“点燃”主放电的作用和气压与主放电频率对预电 离的影响;探讨了与气体流动等条件相结合,用预电离方法实现大气压下空气中辉光放电的可能性。 展开更多
关键词 紫外线预电离 介质阻挡放电
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紫外线和臭氧在屏障设施消毒中的应用及职业防护 被引量:7
13
作者 翟青新 邱春冬 +1 位作者 钱丽萍 瞿叶清 《实验动物科学》 2010年第6期39-42,共4页
紫外线消毒灯和臭氧空气消毒机在屏障设施物体表面消毒、水的消毒、空气消毒除臭等方面有一定的应用。本文阐述了紫外线消毒和臭氧消毒、除臭的原理,分析了影响消毒效果的众多因素并提出相应对策,重视"紫外线辐射强度"监测,... 紫外线消毒灯和臭氧空气消毒机在屏障设施物体表面消毒、水的消毒、空气消毒除臭等方面有一定的应用。本文阐述了紫外线消毒和臭氧消毒、除臭的原理,分析了影响消毒效果的众多因素并提出相应对策,重视"紫外线辐射强度"监测,加强职业防护,并提出在屏障设施如何正确使用紫外线灯值得商榷。 展开更多
关键词 屏障设施 消毒 紫外线 臭氧 辐照强度 职业防护
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Pt/CdSSchottky势垒紫外探测器的研制 被引量:9
14
作者 秦强 朱惜辰 杨文运 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第4期234-237,共4页
介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应... 介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%。 展开更多
关键词 紫外探测器 肖特基势垒 CDS
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CdS肖特基紫外探测器的研制 被引量:1
15
作者 李忠贺 王新宇 李海燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1109-1111,共3页
基于微电子平面工艺,采用电子束蒸发Pt方法,制备了基于Cd S材料的肖特基紫外探测器。对该器件的I-V特性、光谱响应率、量子效率等参数进行了测试,结果表明器件具有良好的整流特性,室温零偏压下光谱响应范围250~500 nm,在500 nm波长处达... 基于微电子平面工艺,采用电子束蒸发Pt方法,制备了基于Cd S材料的肖特基紫外探测器。对该器件的I-V特性、光谱响应率、量子效率等参数进行了测试,结果表明器件具有良好的整流特性,室温零偏压下光谱响应范围250~500 nm,在500 nm波长处达到最大光谱响应率0.285 A/W,量子效率为75.3%。并根据热电子发射理论对测试结果进行了计算得到理想因子为1.024,肖特基势垒高度为0.859 e V。 展开更多
关键词 硫化镉 肖特基势垒 紫外探测器
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不同年龄人群曝光部位皮肤claudin 1蛋白表达及其与经皮水分丢失的关联 被引量:1
16
作者 张好 王波 +1 位作者 陈鸿超 王懿娜 《临床皮肤科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期340-343,共4页
目的:观察不同年龄阶段健康人群曝光皮肤组织中紧密连接蛋白claudin1分子的表达情况,探讨其与表皮屏障功能之间的关联性,并分析慢性紫外线照射对皮肤组织中claudin1蛋白的表达及表皮屏障功能的影响。方法:收集不同年龄共39人曝光部... 目的:观察不同年龄阶段健康人群曝光皮肤组织中紧密连接蛋白claudin1分子的表达情况,探讨其与表皮屏障功能之间的关联性,并分析慢性紫外线照射对皮肤组织中claudin1蛋白的表达及表皮屏障功能的影响。方法:收集不同年龄共39人曝光部位皮肤组织(包括颈项部、手背部或额面部),其中〈20岁组9例,20~50岁组14例,〉50岁组16例。分别以RT—PCR检测皮肤组织中的claudin1分子转录情况,以免疫组化法检测claudin1蛋白的表达,并检测不同皮肤组织的经皮水分丢失(TEWL)值。结果:RT—PCR检测显示cluadin 1分子的转录水平均随年龄增大而下调,〉50岁组claudin1分子的mRNA表达较〈20岁组明显降低(P=0.0370)。免疫组化结果显示曝光部位皮肤组织中claudin1蛋白的表达强度随年龄增长而减弱,与年龄呈负相关,与RT—PCR结果一致。老年组(〉50岁组)曝光部位皮肤的TEWL值较中年组(20—50岁组)及青年组(〈20岁组)均升高,TEWL值与claudin1蛋白的表达呈负相关(P=0.0475)。结论:慢性紫外线照射可引发人曝光部位皮肤的屏障功能损伤,而这种屏障功能受损可能与claudin1蛋白的下调表达有关。 展开更多
关键词 claudin1蛋白 经皮水分丢失 皮肤屏障功能 紫外线
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利用纳米材料TiO_2提高漆膜老化性能的研究 被引量:4
17
作者 曹鹏军 范培耕 +1 位作者 仵海东 周安若 《重庆工业高等专科学校学报》 2002年第4期34-38,共5页
分析了纳米材料对汽车面漆涂料性能的影响机理 ,提出了利用纳米材料TiO2 提高汽车面漆涂料耐劳化性能的设想。对于金红石型纳米TiO2 ,屏蔽紫外线的最佳粒径为 6 5~ 130mm。制订了纳米涂料的研制方案 ,关键是解决纳米材料在涂料中的分... 分析了纳米材料对汽车面漆涂料性能的影响机理 ,提出了利用纳米材料TiO2 提高汽车面漆涂料耐劳化性能的设想。对于金红石型纳米TiO2 ,屏蔽紫外线的最佳粒径为 6 5~ 130mm。制订了纳米涂料的研制方案 ,关键是解决纳米材料在涂料中的分散和稳定问题。 展开更多
关键词 漆膜 纳米材料 TiO2 纳米涂料 紫外线屏蔽 耐老化性能 分散性 稳定性 二氧化钛 汽车 面漆
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紫外辐照对EVOH/纳米SiO_2复合材料性能的影响 被引量:2
18
作者 范淑红 刘亦武 +1 位作者 温乾 段利艳 《包装学报》 2010年第2期6-10,共5页
用硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)对纳米SiO2进行改性,采用熔融共混法制备了含SiO2的质量分数为5%的乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)/纳米SiO2复合材料,并吹塑成薄膜,将复合膜进行不同时间、不同强度的紫外辐照处理。利用FTIR、TEM、... 用硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)对纳米SiO2进行改性,采用熔融共混法制备了含SiO2的质量分数为5%的乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)/纳米SiO2复合材料,并吹塑成薄膜,将复合膜进行不同时间、不同强度的紫外辐照处理。利用FTIR、TEM、SEM对纳米SiO2和复合材料进行了表征分析,测试了复合材料紫外辐照处理前后的阻隔性能和力学性能。结果表明:纳米SiO2与偶联剂KH550形成化学键合,经紫外辐照处理的EVOH/纳米SiO2复合膜的力学性能、阻隔性能得到了较大地提高。 展开更多
关键词 EVOH 纳米SIO2 紫外辐照 阻隔性能
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紫外线照射对裸鼠表皮角质层超微结构的影响 被引量:3
19
作者 吴晋蓉 吴波 +1 位作者 周晓军 姜少军 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第5期404-408,共5页
目的:探讨中波紫外线(ultraviolet B,UVB,270nm~320nm)照射对裸鼠表皮角质层超微结构的影响。方法:雄性裸鼠经剂量为0.15J/cm2的UVB照射,取材后经多聚甲醛、锇酸和四氧化钌固定后分别进行光镜及透射电镜观察。结果:UVB照射后,表皮细胞... 目的:探讨中波紫外线(ultraviolet B,UVB,270nm~320nm)照射对裸鼠表皮角质层超微结构的影响。方法:雄性裸鼠经剂量为0.15J/cm2的UVB照射,取材后经多聚甲醛、锇酸和四氧化钌固定后分别进行光镜及透射电镜观察。结果:UVB照射后,表皮细胞发生改变,表现为表皮增厚并具有一定时间滞后性,即照射后24h和48h未见明显改变,而在72h可见明显增厚。电镜观察显示紫外线照射后72h角质层脂质正常的板层状膜性结构消失,呈现出排列紊乱的中等电子致密絮凝块状结构。照射后96h变化更为明显,可查见角质层角化不全,在其细胞间隙内出现一些大小不等空泡和指纹样结构。结论:UVB照射可导致表皮角质层的形态学变化并有一定时间滞后性。 展开更多
关键词 紫外线 角质层脂质 超微结构 皮肤屏障
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不规则H形量子势垒增强AlGaN基深紫外发光二极管性能 被引量:1
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作者 鲁麟 郎艺 +7 位作者 许福军 郎婧 M SADDIQUE A K 吕琛 裴瑞平 王莉 王永忠 代广珍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期714-718,共5页
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组... 针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管。 展开更多
关键词 ALGAN 深紫外发光二极管 量子势垒
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