磁光晶体Bi-YIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。对Bi YIG晶体样品在大范围磁场下的退偏现象进行了测试。结果表明,达到磁饱和或接近磁饱和时,Bi YIG晶体的偏振性能最优;达到磁饱和后,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应。根据实验结果分析了磁致退偏效应的产生机理,并说明了磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。

计算机辅助Bi-YIG磁光薄膜材料设计的专家系统研究

分析了Bi-YIG磁光薄膜材料生长及其性能特点,着重介绍了计算机辅助设计的专家系统在这一领域的应用——Bi-YIG,磁光薄膜材料的设计及性能预测。

掺杂稀土离子的BiY_2Fe_5O_(12)结构与磁性

采用溶胶-凝胶法制备了GdxBiY2-xFe5O12(x=0,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)纳米晶粉体系列样品.利用DTA,TGA,XRD,TEM,IR和VSM等方法对材料的制备过程和产物进行分析.结果表明,Gd的掺入并未改变BiY2Fe5O12的石榴石结构.讨论了Gd离子掺入BiYIG铁氧体的粒径、形貌及磁性规律.

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Bi的YIG薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（YbTbBi）3（FeGa）5O12是采用液相外延技术在CaMgZr：GGG晶片的〈111〉方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝1．31μm和λ＝1．55μm时，插损分别为0．3dB和0．2dB，法拉第旋转角分别为2400°／cm和1600°／cm的薄膜，经抛光至290μm的厚度，法拉第旋转角为45°（波长λ＝1．55μm）。性能参数基本达到实用化器件的要求。

Bi^3+-Li^+-V^5+协同取代对低温烧结YIG铁氧体结构及性能的影响

为了实现石榴石型铁氧体(YIG)的低温烧结以适应LTCC技术,采用传统固相法,制备了多元离子(Bi^3+-Li^+-V^5+)协同取代的YIG铁氧体材料,系统研究了多元离子取代对材料结构特性、微观形貌和电磁性能的影响。结果表明,在900℃下烧结的样品其主晶相为石榴石相。随着取代量的增加,材料的密度、饱和磁化强度(4πMs)先增大后减小,铁磁共振线宽(△H)和矫顽力(Hc)先减小后增大。最终,在x=0.03得到了样品的最佳性能。

掺铋钇铁石榴石薄膜材料磁光性能的计算机辅助设计

从介电张量表达式出发，利用相应模型对微观表达式进行简化，得到了法拉第旋转角和光吸收系数的计算公式．进一步建立了描述Bi－YIG磁光性能的理论模型和参数数据库，在此基础上实现了Bi－YIG磁光性能的计算机辅助设计，其结果与实验符合得较好．

掺Bi钇铁石榴石薄膜光波导的线性双折射及消除方法

分析了光的线性双折射对磁光波导ＴＥ－ＴＭ模式转换、法拉第旋转、波导光隔离器隔离比及插入损耗的影响。研究了掺Ｂｉ钇铁石榴石薄膜光波导中的形状线性双折射、应力感生线性双折射及生长感生线性双折射的来源、特性和消除方法。

Bi^(3+)掺杂对Y_(2.7)Ca_(0.3)Zr_(0.3)Fe_(4.7)O_(12)成相温度及磁性能的影响研究

通过溶胶-凝胶法制备得到Y_(2.7-x)Bi_xCa_(0.3)Zr_(0.3)Fe_(4.7)O_(12)柘榴石纳米颗粒.Bi^(3+)的加入对柘榴石相的成相温度有明显的降低作用,当Bi^(3+)的掺杂量从0增大到0.5时,样品的成相温度从962℃降低到690℃附近.通过谢乐公式计算可知不同Bi^(3+)掺杂量的样品在900℃下烧结2 h,柘榴石相的平均粒径均小于50nm.通过掺杂Bi^(3+)降低成相温度,样品的粒径更加远离单畴临界尺寸,有利于降低样品的矫顽力.