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光照对BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜铁电和输运性质的影响 被引量:3
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作者 彭增伟 刘保亭 +4 位作者 魏大勇 马继奎 王宽冒 李曼 赵光 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期388-391,共4页
采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/SrRuO3/BFMO/Pt型电容器。X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜。紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变... 采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/SrRuO3/BFMO/Pt型电容器。X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜。紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布。研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7S增大到6.63×10-7S。通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制。 展开更多
关键词 光照 bife0.95mn0.05o3薄膜 铁电性质 输运性质
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含Ni-Al阻挡层硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3铁电电容器的结构及物理性能 被引量:3
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作者 陈剑辉 刘保亭 +5 位作者 魏大勇 王宽冒 崔永亮 王英龙 赵庆勋 韦梦袆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期33-37,共5页
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器。X射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构。在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电... 以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器。X射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构。在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电滞回线。实验发现,SRO/BFMO/SRO铁电电容器具有良好的抗疲劳性能。漏电机制研究表明,外加电场小于210 kV/cm时,SRO/BFMO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在电场大于210kV/cm时,满足空间电荷限流传导机制。 展开更多
关键词 bife0.95mn0.05o3 NI-AL 阻挡层 漏电机制
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Sol-gel法制备(Ba_(0.95)Ca_(0.05))(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_3薄膜及升温速度对形貌的影响 被引量:2
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作者 何琴玉 张进修 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期34-36,共3页
用溶胶 -凝胶法制备了光滑的 (Ba0 .95Ca0 .0 5) (Sn0 .0 5Ti0 .95)O3(以下称BCST)薄膜。研究了热处理的升温速率和处理温度对薄膜形貌的影响。SEM测试结果表明快速升温和低温 (刚高出成晶温度 )有利于获得好质量的BCST薄膜。
关键词 SOL-GEL法 (Ba0.95Ca0.05)(Sn0.05Ti0.95)O3aigfeajd ym 制备 升温速度 薄膜形貌 成晶温度 钛酸钡基薄膜
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Mn掺杂的Na_xCoO_2多晶制备与电输运性质研究 被引量:1
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作者 虞澜 晏国文 +3 位作者 刘玉坤 邵太平 张鹏翔 孙加林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期260-263,共4页
采用固相反应法制备了沿(00l)面高度择优取向的γ相NaxCoO2(x=0.5+δ,0.7)和Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2系列多晶,且微量Mn掺杂阻碍了晶粒的长大。77~300K电阻率-温度曲线表明,NaxCoO2为金属的电输运行为,在相同烧结工艺下,Mn掺杂导致Na0.5... 采用固相反应法制备了沿(00l)面高度择优取向的γ相NaxCoO2(x=0.5+δ,0.7)和Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2系列多晶,且微量Mn掺杂阻碍了晶粒的长大。77~300K电阻率-温度曲线表明,NaxCoO2为金属的电输运行为,在相同烧结工艺下,Mn掺杂导致Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2电阻率有很大提高且为绝缘体行为,但经920℃/10h进一步烧结后,转变为电阻率大大降低的金属行为。分析认为,Mn4+的3d轨道交叠能带e′g+a1g的电子数比Co3.5+少,使得载流子数量降低;并且Mn4+的t2g轨道的电子最高占据能级比Co3.5+低,使电子在Mn4+和Co3+/Co4+之间跃迁时存在能隙,从而电子跃迁几率降低,载流子局域化。晶界增多导致的晶界散射,也增加了电阻率。 展开更多
关键词 NaxCoO2 Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2 X射线衍射 电阻率-温度曲线 3d电子轨道
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硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3集成薄膜的结构及其铂电极电容器的性能 被引量:1
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作者 马闻良 刘保亭 +3 位作者 王宽冒 边芳 李晓红 赵庆勋 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期42-46,共5页
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(001)基片上制备了BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3(BFMO/PZT/BFMO)集成薄膜,采用X射线衍射仪分析了其物相结构;采用铁电测试仪考察了该集成薄膜与铂极构成的... 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(001)基片上制备了BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3(BFMO/PZT/BFMO)集成薄膜,采用X射线衍射仪分析了其物相结构;采用铁电测试仪考察了该集成薄膜与铂极构成的铁电电容器的性能。结果表明:该集成薄膜结晶较好,除BFMO、PZT及基片的衍射峰外没有其它衍射峰存在;当电场强度为0.7 MV·cm^(-1)时,Pt/BFMO/PZT/BFMO/Pt电容器的电滞回线对称性良好,剩余极化强度为17.9μC·cm^(-2),矫顽力为0.12 MV·cm^(-1);在电场强度为0.4 MV·cm^(-1)下测得的铁电电容器漏电流密度为2×10^(-5)A·cm^(-2),电容器在经过10^(10)次反转后未出现明显的疲劳现象。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 掺锰铁酸铋 锆钛酸铅 漏电流 集成薄膜
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Effect of Sn-doping on the structural,electrical and magnetic properties of(In_(0.95-x)Sn_xFe_(0.05))_2O_3 films 被引量:2
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作者 邢鹏飞 陈延学 孙少华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第2期15-18,共4页
Room-temperature ferromagnetism was observed in (In0.95-xSnxFe0.05)203 (x = 0-0.09) films deposited by pulsed laser deposition. XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into ... Room-temperature ferromagnetism was observed in (In0.95-xSnxFe0.05)203 (x = 0-0.09) films deposited by pulsed laser deposition. XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into the In2O3 lattice. The carrier concentration in the films is obviously increased by the Sn-doping, while the ferromagnetic properties are rarely changed. We think that in our Fe-doped In2O3 films, the oxygen vacancy-related bound magnetic polaron model, rather than the carrier-mediated RKKY coupling, is the main mechanism for the observed ferromagnetism. 展开更多
关键词 pulsed laser deposition room-temperature ferromagnetism (In0.95-xSnxFe0.05)2O3 films carrier concentration bound magnetic polaron model
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