高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系,并运用高温(800℃)烧银技术,可实现压敏电压低压化,并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V/mm左右,电压极性为1V以下,非线性系数大30以上,泄漏电流5μA以下,限制电压比约1.5(2.5A),芯片Φ10mm产品经1300A雷电流(8/20μS)冲击,压敏电压变化率为-3%左右,产品已实现产业化。