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高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测 被引量:7
1
作者 李奇峰 朱世富 +3 位作者 赵北君 蔡力 高德友 金应荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期157-160,共4页
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0~ 4 5 0 cm- 1范围内的红外... 报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0~ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻 展开更多
关键词 单晶生长 性能观测 碲锌镉晶体
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分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究 被引量:3
2
作者 钱永彪 桑文斌 +3 位作者 王林军 史伟民 闵嘉华 吴汶海 《红外技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期17-21,16,共6页
尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高x值(x=0.04~0.60)Cd1-xZnxTe晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了Cd源和CdZn合金温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体... 尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高x值(x=0.04~0.60)Cd1-xZnxTe晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了Cd源和CdZn合金温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、PL光谱等进行了检测和分析。 展开更多
关键词 PVT生长 核探测器 红外光学材料 晶体生长
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InSb光学带隙的掺杂调控研究 被引量:1
3
作者 张兴旺 吴金良 尹志岗 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期420-423,共4页
利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果... 利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径. 展开更多
关键词 红外探测 带隙 布里奇曼法 掺杂 微重力
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由拉伸试样确定材料真实应力应变关系 被引量:6
4
作者 姜云鹏 岳珠峰 韩小平 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期151-153,158,共4页
提出一种借助有限元分析由光滑和切口圆棒试验数据确定应力应变关系的方法。首先分析光滑和切口圆棒 ,得到其各自的应力应变分布。研究在颈部应力应变随变形位移和材料的分布变化 ,得到其间关系的曲线图 ,同时对圆棒颈缩变形进行模拟。... 提出一种借助有限元分析由光滑和切口圆棒试验数据确定应力应变关系的方法。首先分析光滑和切口圆棒 ,得到其各自的应力应变分布。研究在颈部应力应变随变形位移和材料的分布变化 ,得到其间关系的曲线图 ,同时对圆棒颈缩变形进行模拟。对工程上常用的硬化指数差别较大的两种钢材制成的光滑试样及切口试样进行初步的计算与分析 ,对影响拉伸试样颈缩形成的因素进行研究 ,指出试样夹持端状态与外廓直径的细微减少及加载约束方式三者对颈缩有重要影响 ;对工程上常用的bridgeman估算公式进行分析 ,指出其在工程上的适用性。 展开更多
关键词 拉伸试样 真实应力应变关系 有限元 计算模拟 bridgeman估算公式 试样形式 金属材料
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Effect of dimensional expansion on carrier transport behaviors of the hexagonal Bi-based perovskite crystals 被引量:1
5
作者 Qihao Sun Bao Xiao +7 位作者 Leilei Ji Dou Zhao Jinjin Liu Wei Zhang Menghua Zhu Wanqi Jie Bin-Bin Zhang Yadong Xu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第3期459-465,I0013,共8页
All-inorganic Cs_(3)Bi_(2)I_(9)(CBI)halide perovskites are sought to be candidate for photoelectrical materials because of their low toxicity and satisfactory stability.Unfortunately,the discrete molecular[Bi2I9]3−clu... All-inorganic Cs_(3)Bi_(2)I_(9)(CBI)halide perovskites are sought to be candidate for photoelectrical materials because of their low toxicity and satisfactory stability.Unfortunately,the discrete molecular[Bi2I9]3−clusters limit the charge-transport behaviors.Herein,the defect halide perovskite based on trivalent Bi^(3+)is expanded to Cs_(3)Bi_(2)I_(6)Br_(3)(CBIB).Centimeter-size CBIB single crystal(Φ15×70 mm^(3))was grown by the vertical Bridgeman method.The powder X-ray diffraction analysis shows that CBIB has structure with lattice parameters of a=b=8.223Å,c=10.024Å,α=β=90°andγ=120°.The density functional theory(DFT)calculations demonstrate that the charge density distribution was enhanced after the dimensional expansion.The enhancement of carrier transport ability of(00l)in-plane is characterized before and after dimensional improvement.The obtained CBIB(001)exhibited an electron mobility up to 40.03 cm^(2)V^(−1)s^(−1)by time-of-flight(TOF)technique,higher than 26.46 cm^(2)V^(−1)s^(−1)of CBI(001).Furthermore,the X-ray sensitivity increases from 707.81μC Gy^(−1)cm^(−2)for CBI(001)to 3194.59μC Gy−1 cm^(−2)for CBIB(001).This research will deepen our understanding of Bi-based perovskite materials and afford more promising strategies for lead-free perovskite optoelectronic devices modification. 展开更多
关键词 Bi-based perovskite Dimensional expansion Carrier transport bridgeman method Radiation detection
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锑化物磁性半导体体材料研究
6
作者 尹志岗 吴金良 张兴旺 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期424-427,共4页
利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线... 利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.01.3μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性. 展开更多
关键词 磁性半导体 锑化物半导体 布里奇曼法 MN掺杂
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6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
7
作者 周春锋 兰天平 +2 位作者 边义午 曹志颖 罗惠英 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期383-389,共7页
为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采... 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。 展开更多
关键词 GAAS 半绝缘单晶 单晶生长 垂直梯度凝固(VGF)法 垂直布里奇曼(VB)法
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高温高压制备Cr^(2+):ZnSe单晶及其光学性质 被引量:2
8
作者 王云鹏 王飞 赵东旭 《中国光学》 EI CAS CSCD 2015年第4期615-620,共6页
为了得到高质量、大尺寸Cr2+∶Zn Se中红外激光晶体,以适应高功率全固态中红外激光器的发展要求,在高温高压下全石墨腔内运用布里奇曼晶体生长方法,生长出了高质量Ф30×120 mm Cr2+∶Zn Se单晶。采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(... 为了得到高质量、大尺寸Cr2+∶Zn Se中红外激光晶体,以适应高功率全固态中红外激光器的发展要求,在高温高压下全石墨腔内运用布里奇曼晶体生长方法,生长出了高质量Ф30×120 mm Cr2+∶Zn Se单晶。采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外稳态吸收及荧光光谱等测试方法对晶体的结构及光谱特性进行了表征,并探讨了Cr2+∶Zn Se晶体中Cr2+的能级结构及跃迁机理。结果表明:所生长的Cr2+∶Zn Se单晶结构均匀,性质稳定,1.97μm激发的荧光光谱覆盖1.9~3μm范围,可用于获得2~3μm全固态中红外激光。 展开更多
关键词 Cr^2+:Zn Se单晶 布里奇曼方法 红外吸收 红外荧光 全固态中红外激光器
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红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究 被引量:3
9
作者 马英俊 林泉 +4 位作者 于洪国 马会超 许兴 李万朋 许所成 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1555-1561,共7页
GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载... GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10000 cm^-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污。 展开更多
关键词 砷化镓 水平布里奇曼法 位错密度 熔区长度 窄熔区技术 载流子浓度分布
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大功率暖白光LED用Dy:BGSO单晶的生长及其发光性能 被引量:3
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作者 田甜 宋晨 +4 位作者 冯海威 李雨萌 郭芸芸 张彦 徐家跃 《应用技术学报》 2017年第3期201-206,共6页
采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy^(3+)和Ge^(4+)的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy^(3+)和Ge^(4+)的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54 cm(1 in),长度达8 cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy^(3+)和Ge^(4+)能够有效改善BSO晶... 采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy^(3+)和Ge^(4+)的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy^(3+)和Ge^(4+)的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54 cm(1 in),长度达8 cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy^(3+)和Ge^(4+)能够有效改善BSO晶体的偏析现象;双摇摆曲线半峰全宽为24″表明晶体具有较高的结晶质量.Dy:BGSO晶体的荧光光谱包含Bi^(3+)和Dy^(3+)的特征峰,Bi^(3+)吸收的能量能够传递给Dy^(3+).色坐标和色谱计算结果表明,其在多种波长的紫外光激发下均可以发射暖白光.该晶体在365 nm紫外光灯辐照下的实际发光效果说明,其能够高效率、360°全方位立体发射肉眼可见的明亮暖白光.故Dy:BGSO单晶是一种可用于大功率LED器件的候选荧光单晶材料. 展开更多
关键词 Dy:BGSO单晶 坩埚下降法 成分偏析 大功率暖白光发光二极管
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布里奇曼法制备KPb_2Cl_5单晶
11
作者 承刚 杨春和 +2 位作者 陈建荣 王海丽 周南浩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1567-1570,共4页
在500℃高真空条件下,制备了KPb2Cl5原料,对原料进行了XRD分析,表明该方法能得到纯相的KPb2Cl5。利用改进的布里奇曼法进行了生长KPb2Cl5单晶的实验,得到了直径15mm的原晶,并测试了晶体样品的基本红外透过性能。结果显示:不镀膜的情况... 在500℃高真空条件下,制备了KPb2Cl5原料,对原料进行了XRD分析,表明该方法能得到纯相的KPb2Cl5。利用改进的布里奇曼法进行了生长KPb2Cl5单晶的实验,得到了直径15mm的原晶,并测试了晶体样品的基本红外透过性能。结果显示:不镀膜的情况下,3~20μm的中红外波段,透过率约为80%,具有很好的红外光学性能。 展开更多
关键词 KPb2Cl5 单晶 布里奇曼法 红外透过
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Optical and scintillation properties of Bi_4Si_3O_(12):RE(RE=Eu^(3+), Sm^(3+),Ho^(3+), Tb^(3+))single crystals 被引量:2
12
作者 Xuefeng Xiao Jiayue Xu +3 位作者 Haicheng Wei Yaoqing Chu Bobo Yang Xuefeng Zhang 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期260-264,共5页
Bi_4 Si_3 O_(12):RE(BSO:RE, RE = Eu^(3+), Sm^(3+), Ho^(3+), Tb^(3+)) crystals were grown by the modified vertical Bridgeman method, and doping effects on scintillation properties were investigated. Under γ-ray irradi... Bi_4 Si_3 O_(12):RE(BSO:RE, RE = Eu^(3+), Sm^(3+), Ho^(3+), Tb^(3+)) crystals were grown by the modified vertical Bridgeman method, and doping effects on scintillation properties were investigated. Under γ-ray irradiation, the light yield of BSO doped with small doses of Eu^(3+) increases slightly, and the energy resolution improves significantly compared to pure BSO, therefore the ability of distinguishing between particles will be improved for BSO crystals with a small amount of Eu^(3+) dopant. The results show that a small amount of Eu^(3+) doping can sensitize the Bi^(3+) ions. The sensitization effect enables the reduction of intrinsic defects, and thus improves the scintillation properties. However, the relative light yield of BSO:Tb(1.0 mol%) crystal is 4.3%, which is smaller than 5.0% of pure BSO. The improved light yield and energy resolution in the BSO:Eu and BSO:Sm crystals are considered an impressive achievement in the optimization of this scintillator which is already suitable for applications such as dual-readout calorimeters and homogeneous hadron calorimeters. 展开更多
关键词 BSO crystal Vertical bridgeman method Scintillation characteristics RELATIVE light YIELD RARE earths
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Dy^(3+)掺杂TeO_2单晶的生长及其发光性能研究 被引量:2
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作者 田甜 崔庆芝 +2 位作者 雷云 沈志杰 徐家跃 《中国照明电器》 2017年第9期15-19,共5页
通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Dy^(3+)的TeO_2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO_2:Dy晶体的荧光光... 通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Dy^(3+)的TeO_2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO_2:Dy晶体的荧光光谱,观察到了Dy^(3+)离子外层4f电子能级跃迁产生的特征激发峰和吸收峰,并给出了简单的能级跃迁发光机理图。结果表明,它在363nm近紫外光激发下,能够发射中性白光,在348nm和387nm近紫外光、453nm蓝光激发下,能够发射稳定的暖白光,从而实现通过改变激发光波长调节该晶体发射不同的白光。因此,TeO_2:Dy是一种能够实现可调谐白光发射的荧光单晶候选材料。 展开更多
关键词 Dy3+掺杂 二氧化碲单晶 坩埚下降法 白光LED
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