混合型MMC器件损耗分布与电容纹波电压综合优化方法

针对现有全桥-半桥混合型模块化多电平换流器(MMC)控制难以兼顾逆变工况下半桥子模块下部绝缘栅双极晶体管(简称半桥子模块中T2管)损耗降低与电容纹波电压抑制的问题,提出半桥子模块中T2管损耗降低及电容纹波电压抑制的综合优化方法。分析电容电荷对半桥子模块中T2管损耗及电容纹波电压的影响路径,指出半桥子模块中T2管通态损耗降低与电容纹波电压抑制间的矛盾。计及2倍频环流注入,分析模组解耦与主动旁路控制间的相互作用。考虑主动旁路控制降低半桥子模块中T2管损耗的优势及模组解耦控制抑制电容纹波电压的能力,提出模组平均开关函数及主动旁路半桥子模块个数的设计原则,并给出整体控制框图。在MATLAB/Simulink及PLECS中建立仿真模型,仿真结果表明:在调制比取0.827及单位功率因数下,相比主动旁路控制,所提方法可使半桥子模块中T2管损耗与电容纹波电压分别降低约20%和28%。

高速PCB的电源完整性分析

随着微电子技术的不断发展,高速信号的上升沿越来越快,电源完整性已经成为高速互连系统设计中不可忽略的问题。借助Cadence公司SQPI仿真软件,对高速PCB进行电源完整性分析,可以指导并优化电源分配系统(PDS)设计,从而在设计阶段解决电源完整性问题。根据电源完整性问题的形成机理、影响因素,阐述了高速PCB电源完整性解决办法。对电源分配系统设计具有指导作用。

基于旁路电容的L型滤波光伏并网逆变器漏电流抑制方法

传统无变压器非隔离光伏并网逆变器系统中,通常采用增加交流旁路开关或直流旁路开关的方式解决系统漏电流问题。然而系统中加入旁路开关增加了系统成本,同时需要增加旁路开关的驱动电路,系统电路结构和控制方式复杂。为了解决该问题,提出一种基于旁路电容的漏电流抑制方案。首先以典型L滤波的光伏逆变器为研究对象,在分析其共模模型的基础上,提出旁路电容法实现漏电流抑制,并对不同旁路电容对系统共模特性的影响进行分析。该方案通过引入旁路电容改变系统共模回路,有效地滤除共模电压高频分量,消除系统寄生电容电压高频分量,从而实现漏电流的有效抑制。最后对提出的方案进行仿真和实验研究,验证了提出方案的可行性和有效性。

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。

旁路开关用CYA8G大功率液压弹簧操动机构试制

笔者介绍LW□-1100型支柱式双断口高压交流旁路开关用CYA8G大功率液压弹簧操动机构的设计及试制,说明在设计及试制过程中旁路开关及其操动机构与普通断路器及其操动机构依据的标准不同,从而导致设计思想及设计基准不同。差别主要体现在操作循环和对合闸动作及特性的要求上,根据要求的特点,采用了反向操作旁路开关的方法,技术性能达到了设计时的预想要求,试验结果符合标准和产品技术规范的要求。

用于串补的激光触发与电脉冲触发火花间隙对比实验研究

目前串补电容常采用电脉冲触发火花间隙作为其快速旁路保护,实现这种触发方式的难点在于确保整个触发装置与高压端的电气隔离。为解决此问题,研制了一种激光触发火花间隙,对其进行了自击穿和触发击穿测试,通过实验比较了相同形状尺寸的激光触发火花间隙与电脉冲触发火花间隙在不同极性、不同间隙距离下的触发击穿电压,并对2种火花间隙的放电机理进行了初步分析。实验结果表明：激光触发火花间隙的最小可靠触发击穿电压在自击穿电压的26%-48%之间;电脉冲触发火花间隙的最小可靠触发击穿电压在自击穿电压的43%-64%之间;两种火花间隙正极性下的最小可靠触发击穿电压均低于负极性下的最小可靠击穿电压。

一种新型无大电解电容软起动变频器

提出了一种带逆流电阻的无大电解电容通用型变频器,较传统变频器体积减小、节省成本。由于无电解电容,使之具有输出旁路的软起动器功能。在电动机起动完成后,可以自行退出,实现一机多用。对新拓扑形式的电路结构及工作原理做详细描述;并对其变频起动和旁路切换所采用的控制策略进行相关研究。最后应用MATLAB中的Simulink仿真软件搭建仿真模型,验证该研究方法的可行性。

阻容耦合放大电路里耦合电容及旁路电容的深度分析

具有稳定静态工作点的单管共射放大电路是模拟电路里的一款经典电路,包含很多的模拟电路知识,其中耦合电容和旁路电容是该电路的重要组成部分。通过电容的特性使电路的交直流通路进行分离,使得该电路的动态性能得到很好的改善。文章将对该电路中耦合电容及旁路电容的工作原理及对频率特性的影响进行深入讨论,并结合仿真软件multisim12进行仿真分析。

串联电容器旁路开关接入电流模拟试验回路研究

分析了串联电容器旁路开关的主要用途及其特殊运行条件,根据其主要技术标准提出的技术要求,设计了两种适用于串联电容器旁路开关接入电流试验的合成试验回路,并计算了试验回路参数,给出了两种试验回路的电流和电压波形,结果符合预期要求。

贺州变电站串联补偿工程电气二次设计综述

文中介绍了贺州变电站串联补偿工程(简称贺州变串补工程)的建设规模和控制、保护及测量等电气二次系统的设计思路与实现方式。重点阐述了贺州变串补工程设计、设备选型和工程实施中遇到的设备布置、控制保护系统组网结构、保护配置、测量系统的实现、供能方式的选择等关键难点问题及改进方案,以供其它高压串补工程参考。

传导频谱分析

传导发射是沿电源线或信号线传输的电磁发射,在低频范围内,传导发射是电磁干扰的主要形式。如不采取措施,几乎所有的电子、电气设备电源线的传导发射都得超标,它严重地威胁着其他设备的正常工作。本文对典型的干扰源—开关电源的传导发射频谱进行了分析,并介绍了降低传导干扰的设计方法。

平果可控串补工程电气二次系统及相关问题介绍

介绍了平果可控串补工程控制、保护及测量等电气二次系统的设计与实现,并阐述了平果串补装置设计、设备和工程实施中出现的相关问题及改进方式,同时阐述了串补装置电容对线路保护、断路器暂态恢复电压和潜供电流的影响及解决方案,以供其它串补工程参考。

自偏置低噪放的设计与改进

分析了贴片电容的非理想特性在C波段及以上频率的自偏置电路旁路应用中对低噪放设计的不利影响。分析表明,贴片电容用做自偏置旁路时将严重恶化电路的稳定性和噪声指标。提出了对自偏置电路的改进方法及工艺实现,从而避免了电容对指标的负面影响。为了验证改进电路的优势,采用改进的自偏置电路设计了6GHz～9GHz低噪放,实验结果很好地验证了其分析。

MOSFET寄生电容对E类功率放大器影响的研究

针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法。通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET自身的输出寄生电容,以达到提高输出效率的目的。计算及仿真结果表明该方法在13.56 MHz下,可以将Class-E的旁路电容的值提高到120～160 pF,大大超过了IRF510的102.98 pF的寄生输出电容。最后,通过MSO3012混合信号示波器测量电路的传输效率,并对解决方案评估和改进,将Class-E的能量传输效率从改进前的37.1%提高到改进后的54.4%。据此,实现了Class-E在神经假体中数据与能量传输的应用。

高速PCB中旁路电容器的分析

针对旁路电容器的滤波特性及理想电容器和实际电容器之间的差别,提出选择旁路电容器的一些建议。在此基础上,探讨电源扰动及地弹噪声的产生机理,给出旁路电容器放置的解决方案。

特高压高补偿度串补线路的潜供电流问题

在特高压线路上加装串补可以提高通道的输电能力,同时也使线路单相故障时的潜供电流存在高幅值的低频振荡现象,潜供电弧难以熄灭,对断路器单相重合闸不利。远距离特高压线路有加装更高补偿度串补的需求,使得串补对线路潜供电流及恢复电压的影响更加值得关注。目前一般采取线路保护联动旁路措施来抑制串补线路的潜供电流问题,但对于高补偿度串补其效果有待分析。另外,串补旁路前,高幅值的低频振荡电流流经线路高抗可能致其饱和,这使得潜供电流及恢复电压特性与将高抗视作线性元件时存在差别,现有研究对此未有涉及。分析了串补对特高压线路潜供电流及恢复电压问题的影响机制,基于典型系统条件仿真研究了提高串补度、高抗饱和对潜供电流及恢复电压的影响特性,并分析了联动旁路时间差异对抑制效果的影响。研究结果可为特高压远距离高补偿度串补线路的工程设计、设备选型提供参考。

RC耦合单级放大电路下限频率的分析

本文从基本方法出发，求取放大电路低频特性，计入其参数条件，获得下限频率的近似公式和它的误差估计。导出公式可作为有关教材中的处理方法的补充。引导初学者对放大电路频率特性的分析方法有更深入的理解。

印制板极电磁兼容性设计

主要对印刷板的电磁兼容性问题进行了探讨,包括多层印刷板的设计原则,印制线条间距和边距、地线、旁路电容和去藕电容、时钟电路的电磁兼容设计等内容,提出了电磁兼容性是保证产品性能的手段,同时也是净化环境的需要。

固定串联补偿装置结构和主设备的分析

介绍了固定串联补偿装置的结构，并对主要设备（串联电容器组，MOV，火花间隙，旁路断路器，阻尼回路，隔离开关，电流互感器等）进行了分析，以及使用串补装置所带来的一些问题。