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石墨烯与双链DNA分子复合结构电导性的c-AFM研究
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作者 牛冬校 胡钧 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期141-145,共5页
利用导电原子力显微镜(conductive atomic force microscope,c-AFM)的扭转共振隧穿电流模式,在绝缘衬底云母上对还原石墨烯(rGO)和DNA构成的复合体导电性做了初步的测量。测量结果表明,石墨烯能很好地吸附双链DNA分子形成连接复合体,c-... 利用导电原子力显微镜(conductive atomic force microscope,c-AFM)的扭转共振隧穿电流模式,在绝缘衬底云母上对还原石墨烯(rGO)和DNA构成的复合体导电性做了初步的测量。测量结果表明,石墨烯能很好地吸附双链DNA分子形成连接复合体,c-AFM实验证明复合体中的双链DNA分子不具有长程电子输运能力。石墨烯-DNA复合体电导能力的测量对利用石墨烯及DNA分子进行分子器件构建研究具有参考价值,同时实验测量方法具有一定的实用意义。 展开更多
关键词 导电原子力显微镜 石墨烯 脱氧核糖核酸 电子输运 分子器件
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硫铝酸盐水泥基材料抗碳化性能研究进展
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作者 周健 李伟华 +3 位作者 皮振宇 徐名凤 李辉 聂松 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期2711-2725,共15页
碳化是复杂的物理化学过程,主要包括二氧化碳(CO_(2))在水泥混凝土中的扩散、溶解和与可碳化物质的反应,最终造成水泥混凝土碱性的降低和钢筋的锈蚀,显著影响其耐久性能。硫铝酸盐水泥(CSA)具有快硬早强、耐硫酸盐腐蚀性能优异等特点,... 碳化是复杂的物理化学过程,主要包括二氧化碳(CO_(2))在水泥混凝土中的扩散、溶解和与可碳化物质的反应,最终造成水泥混凝土碱性的降低和钢筋的锈蚀,显著影响其耐久性能。硫铝酸盐水泥(CSA)具有快硬早强、耐硫酸盐腐蚀性能优异等特点,但其抗碳化性能较差,易导致水泥内部化学组成的改变和微观结构的劣化,最终将严重危害基础设施的正常服役。因此,明晰影响CSA碳化的因素,揭示CSA碳化机理具有重要的工程和科研意义。首先从CSA的水化产物出发,介绍了三硫型水化硫铝酸钙(AFt)、单硫型水化硫铝酸钙(AFm)及水化硅酸钙(C-S-H)的碳化机理;其次分析了材料因素对CSA抗碳化性能的影响;最后综述了CO_(2)矿化养护对CSA性能的提升作用,总结了目前CSA碳化研究的不足,为进一步研究CSA抗碳化性能提升方法和碳化利用方式提出了建议。 展开更多
关键词 硫铝酸盐水泥 碳化机理 AFt AFM C-S-H 耐久性能
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单根聚苯胺纳米线导电性的研究 被引量:2
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作者 蔡成东 周剑章 +4 位作者 齐丽 席燕燕 蓝碧波 吴玲玲 林仲华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第4期343-346,共4页
纳米线(管)的模板合成和导电原子力显微镜(C鄄AFM)结合是一种近期发展起来研究单根一维纳米结构及阵列导电性的有效方法.本文利用C鄄AFM测量了阳极氧化铝(AAO)模板电化学合成制备的单根聚苯胺纳米线的电导率,研究了直径、氧化还原态对... 纳米线(管)的模板合成和导电原子力显微镜(C鄄AFM)结合是一种近期发展起来研究单根一维纳米结构及阵列导电性的有效方法.本文利用C鄄AFM测量了阳极氧化铝(AAO)模板电化学合成制备的单根聚苯胺纳米线的电导率,研究了直径、氧化还原态对单根聚苯胺纳米线电导率的影响.从I-V曲线可以看到,其导电性质与半导体类似,但又不同于半导体.尚未观察到反向击穿现象,可能原因是,在一定的反向偏压下的离子脱嵌使得它由部分氧化态(导电态)转变为还原态(绝缘态);电导率随纳米线直径减小而线性地增加;以ClO-4离子掺杂的氧化态和还原态比部分氧化态的电导率低二个数量级. 展开更多
关键词 聚苯胺 单根纳米线 c-afm 电导率
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聚苯胺纳米点阵列的制备和库仑台阶现象 被引量:2
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作者 翁少煌 周剑章 +4 位作者 文莉 齐丽 蔡成东 姚光华 林仲华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2179-2181,共3页
PANI nanodots array was fabricated in AAO template with potentiostatic method in a short time.The topographic image of PANI nanodots array was characterized by scanning electron microscopy(SEM) and atomic force micros... PANI nanodots array was fabricated in AAO template with potentiostatic method in a short time.The topographic image of PANI nanodots array was characterized by scanning electron microscopy(SEM) and atomic force microscopy(AFM).The I-V characteristics of conducting PANI nanodots array was measured with conducting atomic force microscope(C-AFM) in atmosphere at room temperature.Coulomb staircase phenomena was observed in the I-V curves. 展开更多
关键词 聚苯胺(PANI) 纳米点 库仑台阶 导电原子力显微镜(c-afm)
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硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究 被引量:1
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作者 刘静静 赵占霞 +1 位作者 张承龙 马忠权 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2017年第6期75-80,共6页
以硅业副产物四氯化硅(SiCl_4)为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯(PC)为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄膜结构和表面形貌... 以硅业副产物四氯化硅(SiCl_4)为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯(PC)为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄膜结构和表面形貌对其电学性质的影响。拉曼光谱结果证实沉积的硅薄膜是非晶态结构,在质量比为1:3的常温电解液中沉积1h制备出的硅薄膜具有很好的均匀性和电学性质。 展开更多
关键词 离子液体 四氯化硅 c-afm 硅薄膜 电学性质
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原子力显微镜对细胞色素C分子结构的形态研究 被引量:4
6
作者 阮湘元 谭琰 陈小明 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期34-37,共4页
用原子力显微镜(AFM)对不同浓度下细胞色素C的分子形态,以及加入蛋白质降聚和变性剂脲后的形态变化进行了考察。实验结果显示,在50μmol/L的低浓度溶液中细胞色素C分子主要以直径为3nm的类球形单体形式存在。浓度增大,细胞色素C分子发... 用原子力显微镜(AFM)对不同浓度下细胞色素C的分子形态,以及加入蛋白质降聚和变性剂脲后的形态变化进行了考察。实验结果显示,在50μmol/L的低浓度溶液中细胞色素C分子主要以直径为3nm的类球形单体形式存在。浓度增大,细胞色素C分子发生聚集,且随着浓度的进一步增大,细胞色素C分子倾向于形成更大的聚集体。浓度为200μmol/L时,聚集体分子间相互缠绕,形成链状结构。浓度低于0.8mol/L的脲的加入基本不影响细胞色素C分子的形态。加入较高浓度的脲,细胞色素C聚集体的聚集数降低,聚集体分子间没有明显的链状结构。 展开更多
关键词 细胞色素C 原子力显微镜(AFM) 分子形态
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硅基片上C_(60)薄膜的生长特性和结构特性研究 被引量:2
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作者 刘波 王豪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期147-151,共5页
本文采用物理气相沉积 (PVD)法在不同预处理的Si(10 0 )衬底上沉积了C6 0 膜 ,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性。结果表明 ,C6 0 膜的生长特性不仅与C6 0 分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关 ,而且还受衬底表面先前... 本文采用物理气相沉积 (PVD)法在不同预处理的Si(10 0 )衬底上沉积了C6 0 膜 ,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性。结果表明 ,C6 0 膜的生长特性不仅与C6 0 分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关 ,而且还受衬底表面先前淀积的C6 0 膜的有序性影响 ;H Si(10 0 )面上生长的C6 0 膜与普通抛光Si(10 0 )面上的相比更具有 111 取向。 展开更多
关键词 碳60 薄膜生长硅基片 结构特性
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常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质 被引量:1
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作者 王立 莫春兰 +4 位作者 熊传兵 蒲勇 陈玉凤 彭绍琴 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期393-395,i001,共4页
用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结... 用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结晶 ,表面平整 ,粗糙度 (RMS)为 6 .2 5 7nm ,平均晶粒直径达 1.895 μm。室温PL测量该样品在 380nm处有很强的近带边发射 ,半峰全宽为 15nm。使用Hall测量检查了薄膜的电学性质。室温下该样品的载流子浓度为 2× 10 17cm-3 ,迁移率为 75cm2 ·V-1·s-1。用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射 /沟道效应研究了薄膜的结晶质量 ,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为 0 .0 4° ,沟道效应的最小产额比χmin为 3.1%。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 氧化锌 原子力显微镜 光致发光 X射线双晶衍射 卢瑟福背散射/沟道效应
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C-90%SiC涂层加热处理前后形貌特征及其阻氢性能的研究 被引量:1
9
作者 曾俊辉 杜良 +5 位作者 张东 杜纪富 杨淑勤 张瑞谦 任丁 黄宁康 《真空》 CAS 北大核心 2009年第3期27-30,共4页
对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-90%SiC涂层进行不同温度的加热处理及H+注入。对加热处理前后H+注入涂层表面进行了SEM的观察,研究涂层表面加热处理前后鼓泡数量及分布的变化。通过AFM分析,研究涂层内沉积颗粒大小、形状以及分布... 对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-90%SiC涂层进行不同温度的加热处理及H+注入。对加热处理前后H+注入涂层表面进行了SEM的观察,研究涂层表面加热处理前后鼓泡数量及分布的变化。通过AFM分析,研究涂层内沉积颗粒大小、形状以及分布与加热处理温度的关系。通过SEM-EDAX测量,研究涂层内组元分布的变化。涂层的H+注入的二次离子深度分布测量表明,试样经加热处理后,涂层的阻氢能力得到进一步的提高。 展开更多
关键词 C-90%SiC涂层 SEM AFM 阻氢性能
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两种不同取代结构C_(60)-苯乙烯共聚物薄膜微摩擦性能的研究 被引量:5
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作者 黄兰 于颖 +2 位作者 沈显峰 李俊伟 史兵 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第4期523-529,共7页
用自由基聚合法合成星状C6 0 苯乙烯共聚物和用原子转移自由基聚合法 (ATRP)合成单取代C6 0 苯乙烯共聚物 ,利用LB技术考察了它们的成膜性能并制备了多层薄膜 ,运用原子力显微镜 摩擦力显微镜(AFM FFM)初步研究比较这两种不同取代结... 用自由基聚合法合成星状C6 0 苯乙烯共聚物和用原子转移自由基聚合法 (ATRP)合成单取代C6 0 苯乙烯共聚物 ,利用LB技术考察了它们的成膜性能并制备了多层薄膜 ,运用原子力显微镜 摩擦力显微镜(AFM FFM)初步研究比较这两种不同取代结构C6 0 苯乙烯共聚物薄膜的表面形貌和在极轻载荷下的微摩擦性能 .研究结果显示了星状C6 0 展开更多
关键词 苯乙烯 共聚物 薄膜 微摩擦性能 AFM/FFM 碳60 原子转移自由基聚合 表面形貌
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CuCl_2·2N(C_5D_5)中的孤子激发 被引量:3
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作者 许长谭 朱敏 庞小峰 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期99-105,共7页
采用双子格模型和相干态表示,考虑磁-声子耦合作用和磁子间的相互作用,研究了具有最近邻和次近邻相互作用的一维反铁磁分子晶体CuCl2·2N(C5D5)的非线性集体激发特性,分析了孤子的峰值、宽度、能量和有效质量的特... 采用双子格模型和相干态表示,考虑磁-声子耦合作用和磁子间的相互作用,研究了具有最近邻和次近邻相互作用的一维反铁磁分子晶体CuCl2·2N(C5D5)的非线性集体激发特性,分析了孤子的峰值、宽度、能量和有效质量的特点,结果表明CuCl2·2N(C5D5)中出现孤子激发是可能的。 展开更多
关键词 反铁磁 分子晶体 CPC 双子格模型 孤子激发
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Pressure-mediated contact quality improvement between monolayer MoS_2 and graphite
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作者 Mengzhou Liao Luojun Du +5 位作者 Tingting Zhang Lin Gu Yugui Yao Rong Yang Dongxia Shi Guangyu Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期178-182,共5页
Two-dimensional(2D) materials and their heterostructures have attracted a lot of attention due to their unique electronic and optical properties. MoS_2 as the most typical 2D semiconductors has great application poten... Two-dimensional(2D) materials and their heterostructures have attracted a lot of attention due to their unique electronic and optical properties. MoS_2 as the most typical 2D semiconductors has great application potential in thin film transistors, photodetector, hydrogen evolution reaction, memory device, etc. However, the performance of MoS_2 devices is limited by the contact resistance and the improvement of its contact quality is important. In this work, we report the experimental investigation of pressure-enhanced contact quality between monolayer MoS_2 and graphite by conductive atom force microscope(C-AFM). It was found that at high pressure, the contact quality between graphite and MoS_2 is significantly improved. This pressure-mediated contact quality improvement between MoS_2 and graphite comes from the enhanced charge transfer between MoS_2 and graphite when MoS_2 is stretched. Our results provide a new way to enhance the contact quality between MoS_2 and graphite for further applications. 展开更多
关键词 MoS2/graphite HETEROJUNCTION c-afm PRESSURE CONTACT quality
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4H-SiC同质外延层的质量表征
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作者 李佳 冯志宏 +1 位作者 陈昊 蔡树军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期535-539,共5页
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶... 在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。在同质外延7.5μm的外延层后,其半高宽从衬底的30.55arcsec减小到27.85arcsec;外延层表面10μm×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm;室温下,样品的掺杂浓度为1×1015cm-3时,霍尔迁移率高达987cm2/(V.s);浓度为1.5×1016cm-3时,霍尔迁移率为821cm2/(V.s)。77K时,霍耳迁移率分别为1.82×104cm2/(V.s)和1.29×104cm2/(V.s)。掺杂浓度的汞探针C-V测试结果与霍尔效应的实验数据一致。 展开更多
关键词 4H-SIC XRD AFM 同质外延 汞探针C-V 迁移率
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含C_(60)的聚电解质自组装膜微摩擦性能的研究 被引量:6
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作者 黄兰 顾倩颐 +3 位作者 何元康 罗国宾 赵新生 曹维孝 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1193-1197,共5页
通过自由基引发溶液聚合反应 ,合成星状 C6 0 -苯乙烯 -丙烯酸聚合物 ,其钠盐作为高聚物负离子 ,与高聚物正离子的重氮树脂在云母上自组装成膜 ,利用紫外光照射反应 ,使膜层间连接的离子键转化成共价键 .用原子力显微镜 (AFM)和摩擦力... 通过自由基引发溶液聚合反应 ,合成星状 C6 0 -苯乙烯 -丙烯酸聚合物 ,其钠盐作为高聚物负离子 ,与高聚物正离子的重氮树脂在云母上自组装成膜 ,利用紫外光照射反应 ,使膜层间连接的离子键转化成共价键 .用原子力显微镜 (AFM)和摩擦力显微镜 (FFM) 展开更多
关键词 星状C60-苯乙烯-丙烯酸聚合物 自组装膜 表面形貌 微摩擦性能 原子力显微镜 摩擦力显微镜 摩擦材料
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Cu含量对Zn_(1-x)Cu_xO薄膜光学性能的影响
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作者 王存勇 周智涛 +5 位作者 王峰 刘昌龙 龚万兵 吕建国 刘峰 黄凯 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2227-2230,2237,共5页
采用溶胶-凝胶法制备Cu x Zn1-x O薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减... 采用溶胶-凝胶法制备Cu x Zn1-x O薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减小,表面RMS粗糙度先减小后增大,紫外吸收边发生蓝移,薄膜在可见光波段范围内的平均透过率在80%左右。未掺杂ZnO薄膜中出现一个相对较弱紫光发射带和一个很强的绿光发射带,其它薄膜中出现一个紫光发射和一个蓝光发射带;紫光发射归因于导带以下的局域能级与价带之间的电子跃迁,绿光发射来自于氧空位缺陷能级与价带之间的电子跃迁。 展开更多
关键词 Zn1-xCuxO薄膜 微结构 AFM 光致发光
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Li、Li-C电极表面化学和形态表征研究方法
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作者 庄全超 武山 《光谱实验室》 CAS CSCD 2003年第2期186-192,共7页
本文综述了 L i、Li- C电极表面化学、形态研究的特点 ,论述了 FTIR、XPS和 AFM在研究 Li、Li- C电极的表面化学和形态中的应用及优缺点。
关键词 表面化学 形态 表征 锂电极 锂碳电极 傅里叶变换红外光谱 X光电子能谱 原子力显微镜 锂离子电池
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碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究
17
作者 朱泓达 《黑龙江科学》 2022年第4期38-39,共2页
介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半... 介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解。 展开更多
关键词 碳化硅材料 辐照试验 原子平均离位损伤 c-afm测试
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溅射效应对离子注入聚合物表面形貌的影响
18
作者 吴瑜光 张通和 +1 位作者 刘安东 张荟星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期755-758,共4页
采用 MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究 ,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关 ,所以选用质量大小不等的 3种离子 Cu,Si和 C为注入离子 ,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化 ,用原子力显微镜观察... 采用 MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究 ,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关 ,所以选用质量大小不等的 3种离子 Cu,Si和 C为注入离子 ,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化 ,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化 ,表面粗糙度与注入离子质量密切相关 .实验结果表明 ,注入前聚酯薄膜表面粗糙 ,表面突起密集地分布在表面 ,其高度可达 2 0~ 2 5 nm,C和 Si注入后表面突起高度下降到 5 nm,随注入离子质量的增加 ,在注入层粗糙度增加 ,Cu注入后在表面形成了弥散分布 Cu原子的析出纳米颗粒 . Cu颗粒起伏高度可达到 5 0 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响 . 展开更多
关键词 溅射效应 离子注入 聚合物 C SI Cu 聚酯膜 表面形貌 原子力显微镜 表面改性
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Surface Mapping of Resistive Switching CrOx Thin Films
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作者 Kim Ngoc Pham Kieu Hanh Thi Ta +2 位作者 Lien Thuong Thi Nguyen Vinh Cao Tran Bach Thang Phan 《Advances in Materials Physics and Chemistry》 2016年第3期21-27,共7页
In this work, we investigated resistive switching behavior of CrO<sub>x</sub> thin films grown by using sputtering technique. Conventional I-V measurements obtained from Ag/CrO<sub>x</sub>/Pt/T... In this work, we investigated resistive switching behavior of CrO<sub>x</sub> thin films grown by using sputtering technique. Conventional I-V measurements obtained from Ag/CrO<sub>x</sub>/Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si structures depict the bipolar switching behavior, which is controlled by formation/dissolution processes of Ag conducting filaments through electrochemical redox reaction under external electric field driven. Conductive atomic force microscopy (C-AFM) technique provides the valuable mapping images of existing Ag filaments at low resistance state as well as the characteristics of filament distributions and diameters. This study also reveals that where the higher amplitude of topography is, the easier possibility of forming conducting filament paths is on CrO<sub>x</sub> surface films. 展开更多
关键词 Resistive Switching Chromium Oxide c-afm Surface Mapping Metal Filament
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AlN压电薄膜的制备工艺 被引量:2
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作者 陈颖慧 王旭光 +2 位作者 席仕伟 施志贵 姚明秋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期506-511,共6页
采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对Al... 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。 展开更多
关键词 ALN薄膜 射频反应磁控溅射 c轴择优取向 X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM)
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