CCFL荧光粉的现状及其发展趋势

简述了作为液晶显示背光源主流的冷阴极荧光灯(CCFL)的应用情况,重点介绍了CCFL三基色荧光粉的现状及发展趋势。商用CCFL红粉主要是Y2O3∶Eu3+,其次是YVO4∶Eu3+;绿粉、蓝粉主要是铝酸盐基质和磷酸盐基质两大体系。对CCFL三基色荧光粉各体系的发光性能、应用特性和制备条件等进行了详细地对比分析。

表面无立方相层功能梯度硬质合金的研究进展

综述了目前应用于涂层基体的无立方相层含氮功能梯度硬质合金的研究进展;详细介绍无立方相层的形成热力学基础、梯度结构特征、机理和动力学研究进展以及力学性能和切削性能;重点评述C、N含量以及组分对无立方相层的影响规律;提出获取合金系统真实的热力学相图和动力学数据是今后研究工作的重点。

一种侧光式LED背光源的电路设计

设计了一款侧光式LED背光源。LED阵列选择长条式设计,用铝基板加工制作。驱动模块采用升压转换器,支持过压保护。控制模块通过单片机产生PWM波对LED灯条进行亮度控制。所设计的背光源电路简单,支持按键式调光,中、大尺寸LED背光源均可借鉴使用。

脱β层梯度硬质合金表层元素分布的电子探针微区分析

利用WC,Co,(Ti,W)C,Ti(C,N)等原料粉末,采用1步烧结法制备脱β层梯度硬质合金,利用扫描电镜观察合金表层的微观组织结构,采用电子探针微区分析技术(electron probe micro analysis,EPMA)定性分析合金表层的金属元素W、Ti、Co及轻元素C、N的分布规律,采用EPMA定量技术分析金属元素尤其是Co的复杂分布规律,并对其形成机制进行深入讨论。定性分析结果表明:脱β层内W元素的含量稍高于合金芯部的平均W含量;所有含Ti相均已完全脱除;脱β层不仅是缺立方相层,同时也是富Co层;脱β层中C元素的含量略有下降;N元素含量并不为零,某些区域甚至高于芯部。定量分析结果表明:脱β层中Ti元素含量基本为零,但在界面靠近芯部一侧Ti元素含量明显高于芯部的平均值;从合金表层至芯部依次存在低钴层、高钴层及贫钴层3个钴含量不同的区域。合金整个表层钴含量的复杂分布情况是由钴原子的空位扩散机制与液相迁移机制联合形成的。

基于双CCFL的玻璃缺陷检测技术研究

针对浮法玻璃生产过程中产生的玻璃缺陷,提出了基于双CCFL的玻璃缺陷检测方法,在待检测玻璃上形成两个周期的光强呈正弦分布的光栅,采用透射式光路,线阵CCD采集匀速移动的玻璃缺陷图像.通过双阈值的图像分割方法,将缺陷图像进行二值化处理,利用对缺陷坐标的连通性判断和二值化数据的分布实现了缺陷大小的计算和缺陷类型的识别,测试结果表明,该方法的检测精度为0.1mm.

基于PWM调光的冷阴极荧光灯动态特性研究

本文在分析了冷阴极荧光灯(CCFL)特性的基础上,对CCFL的驱动电路的工作原理、电路参数选择和设计进行了详细的介绍。研究表明,在脉冲调宽(PWM)方式下,CCFL的驱动电路呈阻尼衰减振荡特征,其起振和衰减振荡特征直接影响CCFL的调光特征,是改善CCFL亮度可调节比的主要因素,文章从理论和实验两方面对亮度调节的动态特性进行了详细分析。

CCFL补光对黄秋葵种子萌发和幼苗生长的影响

通过不同波长和强度的CCFL组合对黄秋葵种子和幼苗进行定时补光,研究不同光质对黄秋葵种子萌发和幼苗生长的影响。结果显示:不同波长和强度的光照对黄秋葵种子的萌发有很大影响,60 W红光与20 W紫光组合处理下的种子发芽效果最好。对比试验组和对照组,60 W红光与20 W蓝白光组合的补光处理能有效增加黄秋葵幼苗的株高、叶片数量、叶长、叶幅、干重和鲜重。60 W红光与20 W紫光组合的补光处理能有效增加幼苗茎粗。用60 W红光与20 W蓝白光组合补光处理的叶绿素含量对比其他各组高。综合比较,在夜间用红光与蓝光组合进行补光处理的黄秋葵幼苗的生长效果更好。

TFT-LCD中高效率背光模块驱动电路

冷阴极荧光灯(CCFL)的伏安特性与齐纳二极管十分相似,可用基于Royer推挽式振荡器的逆变电路驱动CCFL.分析了CCFL的电气特性,在此基础上,进一步描述了CCFL驱动电路的工作原理,并给出了获得高效率驱动电路的器件定量计算公式以及确定各元件参数的步骤和方法。

基于C8051F350冷阴极荧光观片仪调光系统设计

提出一种基于单片机C8051F350的冷阴极荧光灯(CCFL)观片仪的全自动调光系统,当环境光强发生变化后自动调节观片仪背景照明光源的亮度,使观片仪亮度与环境光强比值达到最佳,系统闲置时,自动进入节能状态,大大提高了观片仪的使用寿命。实验表明该系统很好地实现了观片仪亮度动态调节,具有功耗低、稳定性好等特点。

新型光源冷阴极荧光灯(CCFL)下白掌组织培养

以亮叶白掌为试验植物材料,采用以性能稳定的新型光源冷阴极荧光灯(CCFL)为光源材料,探讨了新型光源CCFL对白掌试管苗生长的影响,研究了适合白掌组培苗生长的光质条件及新型光源CCFL在植物组培中的应用和发展前景。结果表明:新型光源冷阴极荧光灯(CCFL)对白掌试管苗生长的影响:白光处理下白掌组培苗的株高、叶长、叶幅、根数和根长均达到最大值,并且白掌组培苗的鲜重也在此处理下也达到最大值,其次为70%R+30%B处理,且这2个处理都优于对照处理。干物率和根系活力的最大值出现在对照处理下,而在70%R+30%B处理下白掌组培苗的可溶性糖含量达到最大值。白光处理和70%R+30%B处理下的白掌组培苗生长状况最佳,且优于对照处理。

新型光源冷阴极荧光灯(CCFL)下白掌组培苗移栽后生长状况研究

以亮叶白掌为试验植物材料,以性能稳定的新型光源冷阴极荧光灯(CCFL)为光源材料,探讨了新型光源CCFL对白掌试管苗移栽后生长的影响,研究了适合白掌组培苗移栽后生长的光质条件。结果表明,白掌组培苗的株高、叶长、叶幅、叶数、根数和根长等生理指标在白光处理下均达到最大值,且明显优于其他处理,处理70%红光+30%蓝光次之。白光处理下白掌组培苗的鲜质量和干质量均高于其他处理,白掌组培苗的干物率和根系活力的最大值也出现在白光处理下,但叶绿素含量在100%红光处理下达到最大值。综上分析,白光处理下白掌组培苗移栽后生长状况最好。

LCD背光照明CCFL罗耶(Royer)谐振变换器设计

大屏幕LCD背光照明使用的CCFL驱动电路大多采用推挽拓扑结构。文中介绍了基于FAN7548控制器的CCFL罗耶(Royer)谐振变换器的工作原理与设计方法。

冷段大破口失水事故长期冷却及硼浓度特性研究

文章采用先进的热工水力分析程序CATHAR,对百万千瓦级ACP1000核电厂冷段大破口失水事故冷热段同时安注时CCFL作用下的上腔室及堆芯的流动换热特性、硼浓度特性进行了研究,并分析了破损环路热段安注流量大小对堆芯冷却的影响。研究表明:在热段安注总流量为614 m3/h时,破损环路对应热段安注流量的不同,不会对流入堆芯冷却有较大影响,破损环路热段安注流量差异不会对堆芯冷却有较大影响;切换至同时安注后堆芯硼浓度很快与系统达到平衡。

TFT-LCD背光源用CCFL玻管的工艺性能要求与发展趋势

随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)产业的迅猛发展,冷阴极荧光灯(CCFL)凭借其优良性能成为背光源的重要光源之一。叙述了国内外CCFL玻管的工艺性能要求和化学组成,并指出了CCFL玻管的发展趋势。

CCFL背光源在液晶电视中的应用及改进

本文对CCFL背光源的结构、优缺点进行了简单说明,较详细地介绍CCFL背光源的改进技术。

提高改善液晶电视性能的LED背光源

从2002年至今,CRT、LCD、PDP电视经过几年的激烈竞争,CRT电视逐渐萎缩,以LCD、PDP为代表的平板电视成为我国家电市场的主导产品。其中,LCD凭借上游链厂和生产厂的优势,在我国家电市场上占有80%以上的份额,正在各领域逐步代替CRT显示设备。由于液晶本身不发光,需要通过外来光源实现透射或反射来显示。目前LCD主要以CCFL为背光源,但CCFL的固有缺陷,使LCD电视显示的图像质量在彩色鲜艳度、图像柔和、自然、真实性等方面不如采用RGB自发光的CRT、PDP电视机。为此,具有色域宽、彩色还原性好等一系列优点的LED背光源开始逐步走向舞台。

采用UCC3972的可调光冷阴极荧光灯控制电路与应用

CC3972主要用于便携式电器 ,如小形、高效的电器和笔记本电脑的背光光源冷阴极荧光灯 (CCFL)照明的电子电路。为 8引脚TSSOP和SOIC封装的BiMOS集成电路 ,内含了作为笔记本电脑背光光源的高效冷阴极荧光灯照明控制所需的控制功能。UCC3972的正常工作电流低于 1mA ,而采用双极性集成电路的相同功能集成电路的工作电流则为 5mA～ 10mA。

液晶显示器常见背光源的比较及发展趋势

简单地介绍了目前液晶显示器常用的背光源,并对LED(发光二极管)背光源和CCFL(冷阴极荧光管)背光源进行比较。

显示器的新兴护眼技术

显示器自阴极射线管技术全面过渡到液晶技术以来，体积与功耗得到了有效控制，尺寸面积也同时得到了极大地解放。后继的LED背光技术则进一步提升了画面效果，优化了功耗。在绿色环保健康的理念背景下，一些更新式的技术出现在了显示器中，本人主要就显示器中于眼睛健康相关的“不闪屏”与“滤蓝光”两种技术进行简单地分析，并将它们与当下的主流方案进行对比，继而对其应用进行探讨。

竖直管内液泛及两相逆流数学模型研究

针对竖直管内液泛形成时管子入口截面含液率与液膜厚度增加的特点 ,本文建立了分析管内液泛问题的数学模型 ,并对数学模型进行数值计算 ,计算结果与管内液泛的实验值能较好的吻合 ,为研究管内液泛的问题提供了一种较好的分析计算方法 .