与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。

带高速光窗口的16×16 CMOS-SEED交换芯片

论述了一种带高速光窗口的 1 6× 1 6CMOS SEED交换芯片的设计及制作 .SEED像元光窗口阵列的大小为 1 0 μm× 1 0 μm ,间距为 2 5 0 μm ,光开关速率可达 1 0 ps量级 ,对其电逻辑和光调制特性进行了测试 ,并应用到 1 6× 1 6自由空间Crossbar光学交换实验系统中 ,实现了 1 6× 1 6光信号的Crossbar网络交换 .

MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究

介绍了新型 CMOS- SEED灵巧像素结构原理及相关的 MCM倒装焊混合集成技术 ,采用厚光致抗蚀剂作掩模 ,通过磁控溅射和真空蒸发相结合 ,研究了与 CMOS- SEED有关的 In凸点阵列成型、倒装焊、芯片间隙注入及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。

二维光纤列阵接口器件及其在光互连网络模块中的应用

提出了一种适用于光电子集成ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧像素光互连网络的二维光纤束列阵结构和制作方法， 采用精密加工的光纤列阵定位槽和光学监控系统， 成功地研制出３２×２ 的单模和多模光纤列阵Ｉ／Ｏ接口器件， 光纤列阵层内及层间位移误差均小于２μｍ ， 角向差小于０．０２°。实验中， 已将二维光纤列阵Ｉ／Ｏ接口器件用于１６×１６ ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧像素光电子集成Ｃｒｏｓｓｂａｒ光互连模块中， 实验结果表明， 该光纤束列阵Ｉ／Ｏ接口器件完全满足光互连系统的高精度要求。

带光输入光输出窗口的CMOS—SEED集成芯片

通过国际合作的方式成功研制出了我国首片带光输入光输出窗口的CMOS-SEED集成芯片. 带光输入光输出窗口的CMOS-SEED集成芯片是采用倒装焊的制作工艺把CMOS大规模集成电路和SEED光电子器件结合起来.制作时首先分别利用硅CMOS VLSI工艺及GaAs SEED工艺,制作硅CMOS VLSI电路及SEED列阵,再在两种芯片表面特定位置淀积焊柱,然后将两种芯片面对面精密对准、焊合,最后去除SEED背面的GaAs衬底.作为光接收和光调制器的SEED像元是有高速率、高灵敏度和低功耗,光开关速率可达10 ps量级的光电子器件,SEED像元光窗口的大小为10 μm×10 μm,间距为250 μm.SEED光窗口接收到的光信号进入CMOS电路,经多级放大,由路由控制电路选通路由后,交换到SEED光窗口驱动电路的输入端,调制抽运光源,将交换后的信号由SEED光窗口输出.CMOS电路用16个16选1开关来完成16×16 Crossbar交换矩阵的功能.我们设计完成了CMOS逻辑电路和CMOS集成电路版图,在HP公司采用0.35 μm的生产工艺投片,由Lucent公司Bell实验室提供SEED列阵并完成倒装焊工艺. 用带光输入光输出窗口的CMOS-SEED集成芯片设计制作了自由空间16×16 Crossbar光学交换模块,由二维光纤列阵接口器件及光学系统完成光信号的输入输出,实现了光信号的交换.(OD8)