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改性CMPS树脂对模拟电镀废水的吸附特性
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作者 吴青松 刘震 于彭 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期62-64,共3页
采用苯基丙烯酮对CMPS树脂进行了改性,并将其用于模拟电镀废水的处理。结果表明:改性CMPS树脂对模拟电镀废水中Cu^2+的选择吸附性较高,Cu^2+的吸附量为1.211 mmol/g,Ni^2+对Cu^2+的吸附影响不显著;改性CMPS树脂吸附-解吸7次以上仍对Cu^2... 采用苯基丙烯酮对CMPS树脂进行了改性,并将其用于模拟电镀废水的处理。结果表明:改性CMPS树脂对模拟电镀废水中Cu^2+的选择吸附性较高,Cu^2+的吸附量为1.211 mmol/g,Ni^2+对Cu^2+的吸附影响不显著;改性CMPS树脂吸附-解吸7次以上仍对Cu^2+具有较高的选择吸附性和吸附容量,适合循环使用。 展开更多
关键词 苯基丙烯酮 cmps树脂 吸附
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全景视频中多运动对象检测与跟踪方法
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作者 刘慧彤 王希 +1 位作者 刘威 杨鹏 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2024年第10期188-197,共10页
全景视频多运动对象检测与跟踪技术的通用解决方案是通过投影变换将360°视频转为二维视频后进行检测和跟踪。然而固定球面投影变换会导致全景视频中存在空间上不连续的投影边界,当运动对象处于投影边界时,常规球面投影方法可能将... 全景视频多运动对象检测与跟踪技术的通用解决方案是通过投影变换将360°视频转为二维视频后进行检测和跟踪。然而固定球面投影变换会导致全景视频中存在空间上不连续的投影边界,当运动对象处于投影边界时,常规球面投影方法可能将其切分为多个部分,从而导致该运动对象的漏检或误检。针对该问题,提出了融合等距柱状形投影(equi-rectangular projection,ERP)和立方体投影(cube map projection,CMP)的全景视频多运动对象检测与跟踪方法,利用合适的CMP拼接帧减少ERP两极区域失真并弥补其边界不连续性,解决了处于投影边界和两极扭曲的对象检测问题。进一步,通过感知哈希、球面质心和运动方向等多重特征融合来解决全景视频多运动对象跟踪问题。实验结果表明,提出的方案可以有效减少投影边界不连续导致的误检,且能有效应对遮挡、穿梭帧边界和两极扭曲的对象跟踪问题。 展开更多
关键词 全景视频 多运动对象检测与跟踪 等距柱状形投影(ERP) 立方体投影(CMP)
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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
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作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗
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羧甲基茯苓多糖的生物活性与食品应用
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作者 徐攀 张芳铭 +2 位作者 郑慧 戴鑫汶 杨勇 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2024年第6期213-220,共8页
羧甲基茯苓多糖(CMP)是茯苓水不溶性多糖的羧甲基化修饰产物,具有调节免疫、抑菌抗炎、抗肿瘤、抗氧化、肝损伤保护和调节肠道菌群等多种生物活性,在功能性食品、活性分子载体、药物等领域有着广泛的应用前景。文章聚焦近年来国内外对CM... 羧甲基茯苓多糖(CMP)是茯苓水不溶性多糖的羧甲基化修饰产物,具有调节免疫、抑菌抗炎、抗肿瘤、抗氧化、肝损伤保护和调节肠道菌群等多种生物活性,在功能性食品、活性分子载体、药物等领域有着广泛的应用前景。文章聚焦近年来国内外对CMP的研究,综述了CMP的生物活性、制备鉴定和应用开发,并对CMP的未来发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 羧甲基茯苓多糖(CMP) 生物活性 制备方法 健康应用
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抛光工艺参数对高纯氧化铝陶瓷基材抛光效果的影响 被引量:1
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作者 姚忠樱 崔鸽 +4 位作者 常逸文 任瑞康 任佳乐 张洪波 旷峰华 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期56-63,共8页
高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、... 高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、磨料的粒径、抛光液流速及CMP过程中的抛光压力、转速等工艺参数对抛光效果的影响。结果表明,精研压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为45和50 r/min,多晶金刚石研磨液的粒径为1μm,磨料添加速率为15 mL/min,精研时长达到25 h时,陶瓷基材即可达到抛光工序的表面质量要求。抛光压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为20和25 r/min,硅溶胶抛光液粒径为80 nm,抛光2 h时,高纯氧化铝陶瓷基材的表面粗糙度可达到纳米级别。 展开更多
关键词 高纯氧化铝 机械抛光 化学机械抛光(CMP) 抛光参数 表面粗糙度
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单晶SiC的化学机械抛光及辅助技术的研究进展
6
作者 张佩嘉 雷红 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期289-298,共10页
由于单晶碳化硅(SiC)的传统化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术加工效率低,故提高SiC表面质量和材料去除率成为研究热点.总结了CMP中抛光液的主要成分,比较了CMP辅助抛光技术对单晶SiC抛光性能和作用机理的影响,并对... 由于单晶碳化硅(SiC)的传统化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术加工效率低,故提高SiC表面质量和材料去除率成为研究热点.总结了CMP中抛光液的主要成分,比较了CMP辅助抛光技术对单晶SiC抛光性能和作用机理的影响,并对单晶SiC-CMP技术的未来发展进行了展望. 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 CMP辅助技术 抛光速率
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Construction and Research Progress of the Chinese Meridian Project in 2022–2023
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作者 WANG Chi CHEN Zhiqing XU Jiyao 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期704-711,共8页
The Chinese Meridian Project(CMP)is a major national science and technology infrastructure constructed in two steps.The first phase of the CMP has been operating for more than a solar cycle.From 2022 to 2023,utilizing... The Chinese Meridian Project(CMP)is a major national science and technology infrastructure constructed in two steps.The first phase of the CMP has been operating for more than a solar cycle.From 2022 to 2023,utilizing the monitoring data collected by the CMP,scientists made major breakthroughs in fields of ionosphere,middle and upper atmosphere,and coupling between layers.The construction of the second phase of the CMP is nearly finished,and the project is expected to operate as a whole in 2025 after national acceptance of the second phase.The whole project was built in an architecture of so-called“One Chain,Three Networks and Four Focuses”.It is promising to make a three-dimensional observation of the whole solar-terrestrial space.The science community is looking forward to the great contribution of the CMP to space weather and space physics research. 展开更多
关键词 Chinese Meridian Project(CMP) MAGNETOSPHERE IONOSPHERE Middle and upper atmosphere
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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响
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作者 陈志博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。 展开更多
关键词 复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率
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半导体材料CMP过程中磨料的研究进展
9
作者 何潮 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期21-34,共14页
对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性... 对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量
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CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
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作者 梁斌 高宝红 +4 位作者 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期38-48,共11页
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外... 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整
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pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展
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作者 董常鑫 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期30-38,共9页
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM... pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CMP中的应用及其作用机理进行综述。无机酸pH调节剂的主要作用机理是快速腐蚀材料表面,但其主要缺点是会将多余的金属离子引入抛光液中污染金属表面。有机酸pH调节剂的主要作用机理是螯合金属离子形成大分子络合物,但其主要缺点是稳定性差,难以保存。无机碱pH调节剂的主要作用机理是在基底表面生成一层软化层,使其在机械作用下更容易被去除,但其主要缺点是仍会引入金属离子污染材料表面。有机碱pH调节剂的主要作用机理是加速钝化膜的形成,但其主要缺点是制备困难、成本高。最后对pH调节剂在CMP中的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 PH调节剂 化学机械抛光(CMP) 抛光液 稳定性 平坦化
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基于流固耦合的碳化硅衬底CMP过程温度场仿真分析
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作者 翟宇轩 李薇薇 +2 位作者 孙运乾 许宁徽 王晓剑 《组合机床与自动化加工技术》 北大核心 2024年第1期145-149,155,共6页
在碳化硅衬底化学机械抛光过程中,抛光界面温度是影响抛光效率的关键因素之一,掌握抛光界面温度分布情况,有助于更深入理解CMP机理并为工艺优化提供理论指导。为此,对碳化硅衬底的CMP过程中温度场分布情况进行了探究,分析了不同抛光工... 在碳化硅衬底化学机械抛光过程中,抛光界面温度是影响抛光效率的关键因素之一,掌握抛光界面温度分布情况,有助于更深入理解CMP机理并为工艺优化提供理论指导。为此,对碳化硅衬底的CMP过程中温度场分布情况进行了探究,分析了不同抛光工艺参数和抛光液组分对抛光界面温度的影响。利用有限元分析软件ANSYS的流固耦合模块,综合考虑抛光垫与抛光液对SiC衬底的磨削作用,得到抛光过程中SiC衬底表面温度分布。仿真结果表明,SiC衬底径向温度从中心到边缘逐渐增大,边缘处上升趋势逐渐减小甚至出现温度小幅下降,最大温差接近0.4℃(约为4%)。通过单因素实验探究不同影响因素与温度之间的关系,得出结论:随着抛光转速和抛光压力的增大,SiC表面平均温度上升,均近似成线性关系,并且边缘点与中心点温度变化相差越来越大;同时,衬底界面温度随着抛光液磨料浓度的增加而上升,但变化相对较小。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 碳化硅 温度 流固耦合 有限元仿真
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E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响
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作者 孙纪元 周建伟 +4 位作者 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期187-195,共9页
针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓... 针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓蚀剂。通过去除速率、表面粗糙度和表面形貌等的实验结果研究了E1310P和FMEE协同作用对CMP过程中表面质量的影响。通过表面张力、电化学性能、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT)揭示了E1310P和FMEE的协同吸附行为及其机理。结果表明,E1310P可以吸附在Cu的表面,降低Cu的去除速率;FMEE的加入能有效屏蔽E1310P离子头基间的电性排斥作用,使更多的E1310P吸附在Cu的表面,在协同作用下形成了更致密的抑制膜,使得CMP抛光性能得以提升。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT)
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Progress of International Meridian Circle Program
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作者 WANG Chi BLANC Michel +13 位作者 ZHANG Shunrong DENARDINI Clezio Marcos LIU William SHEN Xuhui WU Jian XU Jiyao LI Hui ZHANG Qinghe REN Liwen ZHU Yajun LI Guozhu DING Zonghua LIU Zhengkuan YANG Fang 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期741-745,共5页
In 2024,the Chinese Meridian Project(CMP)completed its construction,deploying 282 instruments across 31 stations.This achievement not only provides a robust foundation but also serves as a reference template for the I... In 2024,the Chinese Meridian Project(CMP)completed its construction,deploying 282 instruments across 31 stations.This achievement not only provides a robust foundation but also serves as a reference template for the International Meridian Circle Program(IMCP).The IMCP aims to integrate and establish a comprehensive network of ground-based monitoring stations designed to track the propagation of space weather events from the Sun to Earth.Additionally,it monitors various disturbances generated within the Earth system that impact geospace.Over the past two years,significant progress has been made on the IMCP.In particular,the second phase of construction for the China-Brazil Joint Laboratory for Space Weather has been completed,and the North Pole and Southeast Asia networks are under active construction.The 2024 IMCP joint observation campaign was successfully conducted.To facilitate these developments,the scientific program committee of IMCP was established,following the success of 2023 IMCP workshop and the space weather school,which was co-hosted with the Asia-Pacific Space Cooperation Organization(APSCO)and sponsored by Chinese Academy of Sciences(CAS)and Scientific Committee on Solar-Terrestrial Physics(SCOSTEP).Preparations are now underway for the 2024 workshop in collaboration with the National Institute for Space Research(INPE)in Brazil. 展开更多
关键词 Chinese Meridian Project(CMP) International Meridian Circle Program(IMCP) China-Brazil Joint Laboratory for Space Weather North Pole and Southeast Asia networks
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CMP抛光液中SiO_(2)磨料分散稳定性的研究进展
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作者 程佳宝 石芸慧 +6 位作者 牛新环 刘江皓 邹毅达 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期25-35,共11页
对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过... 对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过分析Zeta电位绝对值的范围、凝胶时间的长短、粒径随时间的变化和接触角等,总结了小粒径(35 nm左右)SiO_(2)磨料在抛光液中的分散机理,同时探讨了弱碱性环境对磨料Zeta电位的影响,阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对磨料表面的作用机理和复配使用的效果,以及表面疏水化或亲水化改性对磨料分散稳定性的影响。最后对该领域未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) SiO_(2)磨料 表面活性剂 分散稳定性 PH值
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单晶SiC超精密加工研究进展
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作者 田壮智 班新星 +3 位作者 韩少星 段天旭 郑少冬 朱建辉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期35-49,共15页
单晶碳化硅(SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。对于单晶SiC的化学机械抛光(CMP),分别从材料去除和工艺优化两个维度出发,阐述了CMP SiC的影响因... 单晶碳化硅(SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。对于单晶SiC的化学机械抛光(CMP),分别从材料去除和工艺优化两个维度出发,阐述了CMP SiC的影响因素和规律,指出了该方法的不足。介绍了光催化、超声振动、电场、等离子体、磁流变、表面预处理等辅助CMP抛光方法,分析了复合增效抛光的去除机理和优势。通过对比发现,辅助能场的介入有助于改善SiC表面质量,并能获得较好的加工效果,然而,复合抛光技术涉及的能场复杂,多能场作用下的材料去除机制和工艺参数匹配仍需进行深入研究。最后,对未来单晶SiC超精密加工的研究给出了建议,并进行了展望。 展开更多
关键词 单晶碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 材料去除率(MRR) 表面粗糙度 增效抛光
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老龄化下的挑战:农业保险是否能促进环境友好型农业技术的采纳?
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作者 都晶晶 贺娟 《世界农业》 2024年第1期104-115,共12页
农业劳动力老龄化对农业绿色高质量发展提出了挑战,老龄化引致的人力资本的弱化和风险态度的转变,会影响到高质量发展中对广泛应用环境友好型农业技术的要求。政策性农业保险是否能缓解老龄农户在绿色技术采纳中存在的困难是值得研究的... 农业劳动力老龄化对农业绿色高质量发展提出了挑战,老龄化引致的人力资本的弱化和风险态度的转变,会影响到高质量发展中对广泛应用环境友好型农业技术的要求。政策性农业保险是否能缓解老龄农户在绿色技术采纳中存在的困难是值得研究的问题。本文基于华中三省785份农户的微观数据,考虑了多种环境友好型技术,利用有序Probit模型,从理论和实证上探讨了农业保险的作用。研究结果显示:农业保险对农户环境友好型农业技术采纳具有显著的正向影响,并且能有效缓解农业劳动力老龄化对技术采纳的抑制作用。在影响机制上,农业保险主要通过影响老龄农户学习能力和务农风险承担两个渠道促进环境友好型农业技术的采纳。因此,为充分发挥农业保险的技术促进作用,应在加强老龄农户技术培训的同时,积极宣传农业保险政策,有效推动农业高质量发展。 展开更多
关键词 老龄化 农业保险 环境友好型农业技术 有序PROBIT模型 CMP估计法
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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
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作者 李相辉 张祥龙 +3 位作者 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期131-137,共7页
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。 展开更多
关键词 浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比
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基于CMP模型的人工砂混凝土级配优化研究
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作者 潘婧 《水利规划与设计》 2024年第3期85-90,122,128,共8页
混凝土骨料颗粒级配的优劣直接影响混凝土成型质量。以人工砂混凝土骨料级配为研究对象,采用CMP(Concrete Mixture Proportioning)可压缩颗粒堆积模型对人工砂混凝土中的细骨料和粗骨料进行级配优化,并对优化级配和常规级配的砂浆及混... 混凝土骨料颗粒级配的优劣直接影响混凝土成型质量。以人工砂混凝土骨料级配为研究对象,采用CMP(Concrete Mixture Proportioning)可压缩颗粒堆积模型对人工砂混凝土中的细骨料和粗骨料进行级配优化,并对优化级配和常规级配的砂浆及混凝土性能展开研究,分析级配优化对水泥基材料性能的影响。结果表明,优化级配的砂浆在流动性、抗压强度、抗折强度、孔隙率等性能指标上均有提升,优化级配的混凝土在强度、孔隙率、氯离子电通量等性能指标上均高于常规级配混凝土。 展开更多
关键词 人工砂 CMP模型 级配优化 砂浆性能 混凝土性能
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Isolated Hyperacute T-Waves in West Nile Encephalitis Indicating Atypical Variant of Stress-Induced Cardiomyopathy
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作者 Soomal Rafique Nadeem Khan Momin Siddique 《Journal of Biosciences and Medicines》 2024年第2期303-310,共8页
Several cardiac outcomes have been reported with West Nile-encephalitis;however, the underlying pathophysiology remains complex. We present a 42-year-old female, with multiple sclerosis, whose neurological symptoms an... Several cardiac outcomes have been reported with West Nile-encephalitis;however, the underlying pathophysiology remains complex. We present a 42-year-old female, with multiple sclerosis, whose neurological symptoms and respiratory decline were finally explained by the diagnosis of West Nile-encephalitis. During her admission, the isolated peaked T-waves indicated the underlying stress-induced cardiomyopathy. The absence of all other causes of hyperacute T-waves, their subsequent resolution with the resolution of infection and improvement in wall motion abnormalities, further supported the association. This case highlights the importance of considering hyperacute T-waves in an approach towards the diagnosis of WNV-encephalitis related atypical variant of stress-induced cardiomyopathy. 展开更多
关键词 West Nile Virus encephalitis WNV Hyperacute T-Waves Takotsubo Cardiomyopathy Atypical/Inverted Variant of Stress-Induced Cardiomyopathy CMP
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