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CCSDS Proximity-1空间链路协议吞吐量性能研究
1
作者
史府鑫
程子敬
《电子设计工程》
2016年第21期112-114,117,共4页
Proximity-1空间数据链路协议是CCSDS推荐的4个空间数据链路层协议之一,是专门为邻近空间链路制定,一般用于航天器之间近距测控通信任务。为了提高临近航天器之间通信的吞吐量,本文分析了Proximity-1协议中的COP-P处理过程,并对其的不...
Proximity-1空间数据链路协议是CCSDS推荐的4个空间数据链路层协议之一,是专门为邻近空间链路制定,一般用于航天器之间近距测控通信任务。为了提高临近航天器之间通信的吞吐量,本文分析了Proximity-1协议中的COP-P处理过程,并对其的不足之处进行了改进,推导出吞吐量与误码率、帧长等参数关系公式,并进行了仿真验证,得出误码率不同时,选用不同的帧长,吞吐量最多可提高20%,证明选用不同的帧长发送,可以提高系统吞吐量,为空间数据链路协议的应用提供参考。
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关键词
CCSDS
proximity-1协议
cop-p
吞吐量
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职称材料
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
2
作者
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平...
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
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关键词
检测设备
硅片材料
表面局部平整度
表面COP缺陷
精密/公差
比率
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职称材料
CoP/Co2P/C纳米材料用于全pH值电催化析氢
被引量:
2
3
作者
彭海岳
马媛媛
+2 位作者
刘嘉宁
谭华桥
李阳光
《分子科学学报》
CSCD
北大核心
2017年第6期455-459,共5页
在氮气下一步退火含有植酸和钴的前驱体,合成了一种新型的CoP/Co2P/C复合纳米材料作为电催化剂,该催化剂在全pH值范围下表现出优异的电催化析氢活性和稳定性.在0.5mol/L的硫酸中,电流密度为10mA/cm^2时,过电位为135mV.在1mol/L KOH溶液...
在氮气下一步退火含有植酸和钴的前驱体,合成了一种新型的CoP/Co2P/C复合纳米材料作为电催化剂,该催化剂在全pH值范围下表现出优异的电催化析氢活性和稳定性.在0.5mol/L的硫酸中,电流密度为10mA/cm^2时,过电位为135mV.在1mol/L KOH溶液中,CoP/Co_2P/C催化剂需要141 mV的过电位才能使电流密度达到10 mA/cm^2,在0.1mol/L磷酸盐缓冲溶液中,需要155mV的过电位才能使电流密度达到10mA/cm^2.这种优异的析氢活性主要归因于CoP/Co_2P纳米粒子和C层之间的协同作用.
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关键词
磷化钴
电催化
析氢反应
原文传递
题名
CCSDS Proximity-1空间链路协议吞吐量性能研究
1
作者
史府鑫
程子敬
机构
北京卫星信息工程研究所
出处
《电子设计工程》
2016年第21期112-114,117,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(91538202
91438117)
文摘
Proximity-1空间数据链路协议是CCSDS推荐的4个空间数据链路层协议之一,是专门为邻近空间链路制定,一般用于航天器之间近距测控通信任务。为了提高临近航天器之间通信的吞吐量,本文分析了Proximity-1协议中的COP-P处理过程,并对其的不足之处进行了改进,推导出吞吐量与误码率、帧长等参数关系公式,并进行了仿真验证,得出误码率不同时,选用不同的帧长,吞吐量最多可提高20%,证明选用不同的帧长发送,可以提高系统吞吐量,为空间数据链路协议的应用提供参考。
关键词
CCSDS
proximity-1协议
cop-p
吞吐量
Keywords
CCSDS
proximity-1 protocol
cop-p
throughput
分类号
TN927 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
2
作者
XIAYong
机构
ADECorporation
出处
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
文摘
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
关键词
检测设备
硅片材料
表面局部平整度
表面COP缺陷
精密/公差
比率
Keywords
Metrology
Silicon wafers
Site flatness
Nanotopography
COP free polished wafer
P/T
Ratio
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
CoP/Co2P/C纳米材料用于全pH值电催化析氢
被引量:
2
3
作者
彭海岳
马媛媛
刘嘉宁
谭华桥
李阳光
机构
多酸教育部重点实验室
出处
《分子科学学报》
CSCD
北大核心
2017年第6期455-459,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(21671036,21301166)
多酸科学教育部重点实验室开放资助项目(130014556)
文摘
在氮气下一步退火含有植酸和钴的前驱体,合成了一种新型的CoP/Co2P/C复合纳米材料作为电催化剂,该催化剂在全pH值范围下表现出优异的电催化析氢活性和稳定性.在0.5mol/L的硫酸中,电流密度为10mA/cm^2时,过电位为135mV.在1mol/L KOH溶液中,CoP/Co_2P/C催化剂需要141 mV的过电位才能使电流密度达到10 mA/cm^2,在0.1mol/L磷酸盐缓冲溶液中,需要155mV的过电位才能使电流密度达到10mA/cm^2.这种优异的析氢活性主要归因于CoP/Co_2P纳米粒子和C层之间的协同作用.
关键词
磷化钴
电催化
析氢反应
Keywords
CoP/CO2 P/C
electrocatalyst
hydrogen evolution reaction
分类号
O614 [理学—无机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CCSDS Proximity-1空间链路协议吞吐量性能研究
史府鑫
程子敬
《电子设计工程》
2016
0
下载PDF
职称材料
2
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004
0
下载PDF
职称材料
3
CoP/Co2P/C纳米材料用于全pH值电催化析氢
彭海岳
马媛媛
刘嘉宁
谭华桥
李阳光
《分子科学学报》
CSCD
北大核心
2017
2
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