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Cl掺杂对CuI薄膜发光性能增强研究
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作者 杨颖康 邵怡晴 +7 位作者 李柏良 吕志伟 王路路 王亮君 曹逊 吴宇宁 黄荣 杨长 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期687-692,共6页
宽禁带γ-CuI是一种具有优异光电和热电性能的p型透明半导体材料,近年来受到广泛关注。但作为一种新兴材料,其发光性能受材料缺陷影响的物理机理尚不清楚。本工作通过气相反应法制备了Cl掺杂的CuI薄膜,采用电镜表征方法研究Cl掺杂对多晶... 宽禁带γ-CuI是一种具有优异光电和热电性能的p型透明半导体材料,近年来受到广泛关注。但作为一种新兴材料,其发光性能受材料缺陷影响的物理机理尚不清楚。本工作通过气相反应法制备了Cl掺杂的CuI薄膜,采用电镜表征方法研究Cl掺杂对多晶CuI薄膜表面形貌和阴极荧光发光特性的影响,并结合第一性原理计算探究了Cl在CuI薄膜中的主要存在形式,以揭示Cl掺杂CuI薄膜结构与发光性能的联系。研究结果表明,原本晶粒饱满但晶界显著的CuI薄膜掺杂Cl后呈现出致密平整的表面,表明Cl掺杂剂改变了CuI的表面结构。相比未掺杂区域,Cl掺杂区410nm处的荧光信号明显得到双倍增强,而在720nm附近的缺陷峰则略有降低,说明Cl掺杂极大改善了CuI薄膜的发光性能。通过第一性原理计算对该现象进行理论分析,发现引入Cl元素有效抑制了CuI中碘空位等深能级缺陷的产生,降低了激子发生非辐射跃迁的概率,从而改善CuI的发光性能,这与阴极荧光的结果一致。本研究获得的掺杂CuI薄膜带边发光峰的半峰宽仅为7nm,表现出极高的发光单色性。这些发现有助于对卤素掺杂获得的高性能CuI基材料的理解。 展开更多
关键词 cui Cl掺杂 阴极荧光 第一性原理计算
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退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响
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作者 耿方娟 杨磊 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期842-848,共7页
CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退... CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退火方式有效提高了样品的结晶度,而后退火方式则有利于薄膜表面CuI的二维平面移动,从而增加了薄膜表面的致密性。后退火方式将CuI薄膜的透过率提高至80%~90%,层层退火方式将CuI薄膜的电阻率优化至0.034Ω·cm。 展开更多
关键词 P型 cui 后退火 层层退火 透过率 电学性能 光电性能
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CuI介导Reformatsky反应高效合成β-羟基酯类化合物
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作者 钟瑜红 张占义 +3 位作者 税红灵 余柳静 吴小倩 罗年华 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期920-928,共9页
考察了苯甲醛和2-碘乙酸乙酯合成3-羟基-3-苯基丙酸乙酯(1)的反应条件对产物产率的影响,得到的最优反应条件为:以1.0 mmol苯甲醛和1.5 mmol 2-碘乙酸乙酯为原料、0.2 mmol CuI为介导、3.0 mmol锌粉为催化剂、0.2 mmol CF_(3)CO_(2)H为... 考察了苯甲醛和2-碘乙酸乙酯合成3-羟基-3-苯基丙酸乙酯(1)的反应条件对产物产率的影响,得到的最优反应条件为:以1.0 mmol苯甲醛和1.5 mmol 2-碘乙酸乙酯为原料、0.2 mmol CuI为介导、3.0 mmol锌粉为催化剂、0.2 mmol CF_(3)CO_(2)H为添加剂、2 mL V(乙腈)∶V(去离子水)=1∶1的混合液为溶剂,室温下反应。在该反应条件下,合成了32个产率在82%~95%之间的β-羟基酯类化合物1~32,产物结构经^(1)HNMR、^(13)CNMR和MS确证,并提出了可能的反应机理。开发了一种由Cu I介导的简易、高效的Reformatsky催化体系,实现了锌粉高效催化2-碘乙酸乙酯与不同芳醛/芳酮的Reformatsky反应,该催化体系放大至克级,以92%的高产率获得化合物1。 展开更多
关键词 cui Reformatsky反应 β-羟基酯 2-碘乙酸乙酯 精细化工中间体
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γ-CuI纳米粉体的微反应合成及光学性质研究
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作者 王逸舟 刘飞 +2 位作者 王诗瀚 胡国涛 杨晓健 《化工设计通讯》 CAS 2023年第8期65-67,共3页
由于γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能和超快闪烁材料中广泛应用。然而,目前的CuI制备方法很难达到连续制备的要求。基于此,采用微反应法,通过调节表面活性剂用量和沉淀剂种类,结合SEM和XRD,探讨了CuI的晶体结... 由于γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能和超快闪烁材料中广泛应用。然而,目前的CuI制备方法很难达到连续制备的要求。基于此,采用微反应法,通过调节表面活性剂用量和沉淀剂种类,结合SEM和XRD,探讨了CuI的晶体结构和形态,并考察了γ-CuI形貌与其光学特性之间的关系。实验发现,表面活性剂的用量与沉淀剂种类仅对CuI的形貌有影响,对γ-CuI的晶相没有影响。此外,还发现CuI的光学性质对其形貌的改变较为敏感。 展开更多
关键词 形貌调控 γ-cui 表面活性剂 沉淀剂 光学性能
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微反应器策略实现γ-CuI的形貌调控
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作者 占思进 游立 +5 位作者 刘飞 王诗瀚 胡国涛 杨晓健 张丹 王先炜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第10期1887-1896,共10页
γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能利用和超快闪烁材料领域有着广泛的应用。γ-CuI的形貌往往对其结构性质有重要的影响,精准地调控其形貌有很大的意义。因此,本文采用微反应法,通过控制不同NH_(3)·H_(2)O... γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能利用和超快闪烁材料领域有着广泛的应用。γ-CuI的形貌往往对其结构性质有重要的影响,精准地调控其形貌有很大的意义。因此,本文采用微反应法,通过控制不同NH_(3)·H_(2)O用量、Cu源、管内反应停留时间及合成温度等因素,结合SEM、XRD和FT-IR等测试手段,对不同合成条件下制备得到的γ-CuI的晶型与形貌进行了研究。并对传统液相沉淀法和微反应法制备的γ-CuI进行了比较。结果表明,当NH_(3)·H_(2)O使用量(C NH_(3)·H_(2)O/C N_(2)H_(4))为0.4、管内停留时间为10 s、反应温度为20℃的条件下达到90.5%的最高产率。其中,NH_(3)·H_(2)O的使用量对形貌的影响最大,当NH_(3)·H_(2)O的使用量为0.4时,合成了形貌均一的棒状γ-CuI。对比不同的铜源,除Cu(CH 3 COO)2·H 2 O制备得到棒状的γ-CuI,其余Cu源均主要生成颗粒状γ-CuI。增加管内时间则有助于棒状γ-CuI的形成,但进一步增长时间会导致样品在管内损失。此外,过高的反应温度会导致棒状γ-CuI逐渐向颗粒状γ-CuI转化。 展开更多
关键词 γ-cui N_(2)H_(4)·H_(2)O 微反应器 微流控法 微筛孔板 形貌调控
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One‑Step Gas-Solid‑Phase Diffusion‑Induced Elemental Reaction for Bandgap‑Tunable Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI Thin Film Solar Cells
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作者 Erchuang Fan Manying Liu +9 位作者 Kangni Yang Siyu Jiang Bingxin Li Dandan Zhao Yanru Guo Yange Zhang Peng Zhang Chuantian Zuo Liming Ding Zhi Zheng 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期261-271,共11页
Lead-free inorganic copper-silver-bismuth-halide materials have attracted more and more attention due to their environmental friendliness,high element abundance,and low cost.Here,we developed a strategy of one-step ga... Lead-free inorganic copper-silver-bismuth-halide materials have attracted more and more attention due to their environmental friendliness,high element abundance,and low cost.Here,we developed a strategy of one-step gas-solid-phase diffusioninduced reaction to fabricate a series of bandgap-tunable Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI bilayer films due to the atomic diffusion effect for the first time.By designing and regulating the sputtered Cu/Ag/Bi metal film thickness,the bandgap of Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI could be reduced from 2.06 to 1.78 eV.Solar cells with the structure of FTO/TiO_(2)/Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI/carbon were constructed,yielding a champion power conversion efficiency of 2.76%,which is the highest reported for this class of materials owing to the bandgap reduction and the peculiar bilayer structure.The current work provides a practical path for developing the next generation of efficient,stable,and environmentally friendly photovoltaic materials. 展开更多
关键词 Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/cui Elemental reaction Bandgap tuning Solar cells Gas-solid phase
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崔骃《四巡颂》与东汉洛阳为“天下之中”的地理观
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作者 王德华 方嘉源 《杭州师范大学学报(社会科学版)》 2024年第2期21-29,共9页
东汉崔骃《四巡颂》是对汉章帝元和年间四次巡狩的颂美。《四巡颂》的文本序列和出巡时间,反映了章帝顺时出巡对阴阳中和之气的尊奉;对章帝巡狩时敬天保民的书写,构建了天人和合的宇宙秩序,体现了东汉对“中和”的神圣王权空间的建构;... 东汉崔骃《四巡颂》是对汉章帝元和年间四次巡狩的颂美。《四巡颂》的文本序列和出巡时间,反映了章帝顺时出巡对阴阳中和之气的尊奉;对章帝巡狩时敬天保民的书写,构建了天人和合的宇宙秩序,体现了东汉对“中和”的神圣王权空间的建构;巡历之地的历史感怀,始终贯穿着洛阳为“天下之中”的地理文化的审视视角。崔骃《四巡颂》以上三个方面的书写,反映了东汉洛阳为“天下之中”的地理观的深刻影响。 展开更多
关键词 崔骃 《四巡颂》 汉章帝 洛阳 天下之中 巡狩文学
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染料敏化太阳能电池中PEDOT/PSS-CuI复合电解质的研究 被引量:4
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作者 胡志强 许芳怡 +2 位作者 周红茹 王仁博 高宏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期42-44,114,共4页
以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试... 以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试了染料敏化太阳能电池的性能。结果表明:当CuI在PEDOT/PSS中添加量为20%时,PEDOT/PSS-CuI复合电解质组装电池的性能最好。且PEDOT/PSS-CuI复合电解质的性能稳定性要优于纯CuI固体电解质。 展开更多
关键词 cui固体电解质 PEDOT/PSS-cui复合电解质 染料敏化太阳能电池
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六边形纳米CuI及其超疏水性 被引量:1
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作者 高书燕 李政道 +1 位作者 贾晓霞 陈艳丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1035-1037,共3页
采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的... 采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 超疏水 六边形纳米cui 表面修饰 低表面能
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CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5四元系快Cu^+离子玻璃的形成范围和性质 被引量:1
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作者 张家权 李法科 +1 位作者 韩崇家 贺猛震 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期278-282,共5页
本文研究了四元系CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5快Cu^+离子玻璃的性质。包括玻璃形成范围、离子输运、热稳定性、离子电导率以及取代量(MoO_3)和掺杂盐(CuI)的影响。实验指出,用MoO_3取代P_2O_5的办法可以得到性能优良的玻璃导体。
关键词 离子玻璃 快离子导体 cui CU2O
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低维纳米材料CuI的制备 被引量:5
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作者 周海成 徐晟 李亚栋 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第6期621-623,共3页
Low dimensional CuI nanomaterials were synthesized in microemulsions containing cyclohexane, Triton X 100, n pentanol and aqueous solution. The redox reaction took place in this system and the final products CuI were ... Low dimensional CuI nanomaterials were synthesized in microemulsions containing cyclohexane, Triton X 100, n pentanol and aqueous solution. The redox reaction took place in this system and the final products CuI were obtained. It′s found that the morphology of CuI could be influenced a great deal by the experimental parameters such as w0 (the molar ratio of water to surfactant), reactant concentration and the aging time. Hexagonal or shuttle like CuI flakes, nanoparticles and nanofibers could be prepared respectively under certain conditions. 展开更多
关键词 低维纳米材料 微乳软模板 半导体材料 碘化铜 制备
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CuI半导体膜的电化学制备与性质 被引量:1
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作者 王钦忠 汪正浩 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1161-1165,共5页
用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体... 用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大。在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE)。 展开更多
关键词 cui半导体 交流阻抗 平带电位
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具有内孔道的层状超分子化合物[(CuI)_2(o-phen)_2]的水热合成与晶体结构 被引量:4
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作者 王树涛 王恩波 +4 位作者 李阳光 王力 胡长文 胡宁海 贾恒庆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1241-1242,共2页
A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 ... A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 with a =0.775 9(2) nm, b =0.907 0(2) nm, c =0.918 94(10) nm, α =96 306(14)°, β = 104.567(16)°, γ =109.421(19)°, V =0.576 8(2) nm 3, Z=1, R=0.034 8, wR =0.092 0. 展开更多
关键词 层状超分子化合物 [(cui)2(o-phen)2] 氢键水热合成 晶体结构 双核铜卤化合物
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微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究 被引量:3
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作者 刘飞 祝博 +1 位作者 王晓丹 曹建新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期5-7,15,共4页
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制... 以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响。适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸。CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI。 展开更多
关键词 γ-cui 微乳液法 六边形薄片状 晶体尺寸 微观形貌
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CuI微晶掺杂硅凝胶玻璃及其薄膜的制备与光谱性质 被引量:6
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作者 陈红兵 朱从善 干福善 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期427-430,共4页
抄采用溶胶-凝胶工艺制成Cul微晶掺杂硅凝胶玻璃及其薄膜。通过X射线粉末衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析观察到玻璃中的晶相及其分布;由薄膜的室温透射光谱发现,随着热处理温度提高和时间延长,薄膜的特征透射谱谷向长彼... 抄采用溶胶-凝胶工艺制成Cul微晶掺杂硅凝胶玻璃及其薄膜。通过X射线粉末衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析观察到玻璃中的晶相及其分布;由薄膜的室温透射光谱发现,随着热处理温度提高和时间延长,薄膜的特征透射谱谷向长彼方向移动(红移),并源于玻璃中的量子尺寸效应。 展开更多
关键词 Cul微晶 掺杂 玻璃 晶相 透射光谱 硅凝胶
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喷涂法制备缓冲层CuI薄膜的生长(英文)
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作者 阎有花 刘迎春 +3 位作者 方玲 卢志超 李正邦 周少雄 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期359-363,共5页
采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的... 采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的微结构与乙腈溶液中碘掺杂量有关;当乙腈溶液中掺杂碘为0.025g时,所制备的CuI薄膜均匀、致密,在可见光区域光学透过率可达75.4%,禁带宽度接近2.96eV。 展开更多
关键词 cui薄膜 缓冲层 喷涂法 碘掺杂
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衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响
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作者 赵海花 方玲 +3 位作者 卢志超 阎有花 赵栋梁 王先友 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1505-1507,共3页
采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时... 采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时CuI薄膜的结晶性较好,薄膜表面相对均匀致密。可见光透过率随着衬底温度升高先增大后减小,在衬底温度为120℃时最高,近76%,适合作Al:ZnO/p-CuI/n-CIS薄膜太阳能电池的缓冲层。 展开更多
关键词 cui薄膜 衬底温度 缓冲层 太阳能电池
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CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟
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作者 顾牡 刘峰松 张睿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期339-343,共5页
利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验... 利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中 ,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成 ,其中Cu3d→ 4s跃迁能量为 3.2eV 。 展开更多
关键词 cui晶体 密度泛函理论 电子结构 发光机理
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2-碘代硒苯与苯甲酰胺在CuI催化下的C-N偶联反应机理的理论研究 被引量:2
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作者 王佩怡 胡启山 何云清 《四川文理学院学报》 2010年第2期49-52,共4页
采用密度泛函理论方法,在GGA/PW 91/DND基组与水平上研究了2-碘代硒苯与苯甲酰胺在CuI催化下的微观反应机理,优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物.通过频率振动分析证实了中间体和过渡态的真实性.计算结果表明此反应无CuI... 采用密度泛函理论方法,在GGA/PW 91/DND基组与水平上研究了2-碘代硒苯与苯甲酰胺在CuI催化下的微观反应机理,优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物.通过频率振动分析证实了中间体和过渡态的真实性.计算结果表明此反应无CuI催化的活化能要比CuI催化高76kJ.mol-1.说明CuI催化剂可以较大的降低反应能垒,有利于反应进行. 展开更多
关键词 2-碘代硒苯 苯甲酰胺 反应机理 活化能
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n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究 被引量:1
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作者 熊超 朱锡芳 +5 位作者 陈磊 陆兴中 袁洪春 肖进 丁丽华 徐安成 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期787-790,803,共5页
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流... 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 p-cui/n-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
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