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70-nanometer DRAM Process Technology Employing the CVD Method
1
作者
赵建才
《当代外语研究》
2005年第2期19-20,共2页
随着物质生活水平的提高,人们对手机、个人电脑和家用电器的使用功能要求越来越高。为了满足人们的需求,采用高性能的动态随机存取存储器是提高电子产品性能的关键,因此韩国三星公司利用化学汽相沉淀法开发出70纳米级的动态随机存取存...
随着物质生活水平的提高,人们对手机、个人电脑和家用电器的使用功能要求越来越高。为了满足人们的需求,采用高性能的动态随机存取存储器是提高电子产品性能的关键,因此韩国三星公司利用化学汽相沉淀法开发出70纳米级的动态随机存取存储器加工技术。该技术克服了目前采用物理汽相沉淀法加工存储器所存在的缺陷,如晶片表面沉积物分布不均,同时该技术可节约20%的制造成本。
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关键词
沉淀法
nanometer
DRAM
Process
technology
Employing
the
cvd
Method
动态随机存取存储器
cvd
原文传递
题名
70-nanometer DRAM Process Technology Employing the CVD Method
1
作者
赵建才
出处
《当代外语研究》
2005年第2期19-20,共2页
文摘
随着物质生活水平的提高,人们对手机、个人电脑和家用电器的使用功能要求越来越高。为了满足人们的需求,采用高性能的动态随机存取存储器是提高电子产品性能的关键,因此韩国三星公司利用化学汽相沉淀法开发出70纳米级的动态随机存取存储器加工技术。该技术克服了目前采用物理汽相沉淀法加工存储器所存在的缺陷,如晶片表面沉积物分布不均,同时该技术可节约20%的制造成本。
关键词
沉淀法
nanometer
DRAM
Process
technology
Employing
the
cvd
Method
动态随机存取存储器
cvd
分类号
F431.26 [经济管理—产业经济]
原文传递
题名
作者
出处
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1
70-nanometer DRAM Process Technology Employing the CVD Method
赵建才
《当代外语研究》
2005
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