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CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为 被引量：5
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作者 李思维 张立同 +5 位作者 刘永胜 成来飞 冯祖德 栾新刚 张伟华 杨文彬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1199-1203,共5页
针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提... 针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提升.基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道,而后可被B-C氧化产物B2O3封填,抑制内部C消耗.CVI B-C与其氧化产物一同参与缺陷愈合.在60h内,B-C改性层愈合能力尚未完全发挥,可服役更长时间. 展开更多
关键词 C/SIC复合材料 基体改性 cvi b-c涂层 自愈合 SEM TEM
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