CZTS/La_2Ti_2O_7纳米粉体的制备及光催化性能

利用水热法合成路线,通过原位生长的方法,制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)/La2Ti2O7纳米复合材料。并以其为光催化剂,在紫外光和可见光照射下对罗丹明B(RhB)进行降解。采用XRD、SEM对其成分及形貌进行表征,通过UV-vis漫反射吸收曲线表征半导体材料光吸收性能及禁带宽度,并研究CZTS/La2Ti2O7复合物的光催化性能。结果表明:CZTS均匀地分布在La2Ti2O7表面,通过复合有效地减小了La2Ti2O7催化剂的带隙,拓展了光响应范围。在可见光和紫外光下,该复合材料均具有良好的光催化活性。

La_2M_2O_7(M=Ti,Zr)多晶粉末的低温水热合成及表征

低温水热合成是水热化学一个活跃的研究方向，在氧化物粉末的合成方面具有潜在的应用价值．Ｌａ２Ｍ２Ｏ７（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ）陶瓷材料的优良特性使其多晶粉末的合成倍受关注［１，２］．传统的固相反应需在高温（＞１７７３Ｋ）下才能合成Ｌａ２Ｍ２Ｏ７［３］，Ｓｏｌ－...

坩埚下降法生长La_2Ti_2O_7晶体及其光性能研究(英文)

采用高温坩埚下降法生长La2Ti2O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm×12 mm×10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面。X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量。透过光谱显示退火后的La2Ti2O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降。La2Ti2O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近。光折射指数分析表明退火La2Ti2O7晶体具有高的折射率。折射率色散方程确定为n2(λ)=4.61643+0.16198/(λ2-0.01547)-0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值。

Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。

SrCO_3掺杂La_2Ti_2O_7陶瓷的电性能

通过固相反应合成法制备了La2Ti2O7陶瓷,研究了SrCO3掺杂对La2Ti2O7陶瓷的电学性能的影响,并对导电机理做了初步的探讨分析。实验表明,随着Sr量的增加,电导激活能有下降的趋势,导致材料的电导率增加。在100Hz～10MHz频率下未掺杂Sr和掺杂量为x=0.01试样的介电常数分别为46和67,介电损耗都在1×10-3数量级,说明这种材料具有较好的介电性能。

添加剂对La_2Ti_2O_7陶瓷性能的影响

研究了ZnO，Nb2O5和H3BO3的加入对La2Ti2O7陶瓷的烧结和介电性能的影响，并对影响机理作了初步探讨。结果表明选择合适种类和数量的添加剂能够使La2Ti2O7陶瓷在1220-1300℃之间烧结。添加1％（质量分数，下同）ZnO，0．5％Nb2O5和3％的H3BO3的La2Ti2O7陶瓷的介电常数分别为48和40，介电损耗在10^-4数量级；在10kHz下，介电常数的温度系数分别为-24×10^-6／℃和-48×10^-4／℃，是一种性能良好的介质材料。

负载有CuO的La_2Ti_2O_7的光催化还原水制氢性能研究

通过浸渍法制备了负载有CuO的La2Ti2O7(CuO/La2Ti2O7),并对其紫外光催化还原水制氢性能进行了研究。结果表明,当以甲醇作为牺牲剂时,在紫外光照射下CuO/La2Ti2O7是一个高活性的光解水制氢催化剂。CuO的负载量为5%(mol/mol)时,产氢速率可达54.7μmol/(h.g)。在光催化过程中,CuO所起的作用是促进电荷的分离并成为产氢的活性位点。实验结果还表明在CuO/La2Ti2O7催化体系中,CuO是一个良好的助催化剂,完全有可能替代Ag、Pt等常用的贵金属助催化剂。这一研究结果为La2Ti2O7系催化剂在光解水制氢领域的实际应用提供了更为广阔的前景。

后退火处理对La_2Ti_2O_7薄膜结构和介电物理性质的影响（英文）

采用脉冲激光沉积镀膜技术在Si(100)衬底上生长了La_2Ti_2O_7栅介质薄膜.通过X射线衍射、原子力显微及同步辐射红外透射光谱技术探索了不同温度下的后退火处理对薄膜结构及介电性能产生的影响.结果表明,未经退火处理的La_2Ti_2O_7薄膜为非晶态,退火后薄膜结晶形成单斜结构.红外谱表明退火处理能够显著增加薄膜介电常数.沉积的非晶态薄膜具有较低的介电常数是因为损失了一些声子振动模式,尤其在低波数段损失的更加明显.实验结果说明后退火处理对La_2Ti_2O_7薄膜的介电性能有非常重要的影响.

CuS/La2Ti2O7光催化剂的制备及光催化产氢性能研究

通过水热-溶剂热法合成了CuS/La2Ti2O7复合光催化剂,以乳酸为牺牲剂,在模拟太阳光下考察了制备样品的光催化分解水产氢性能,并采用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜、低温氮吸-脱附、紫外-可见漫反射、电化学表征等手段对样品的理化性能进行了详细表征,探究了影响其光催化性能的关键因素。结果表明复合CuS后La2Ti2O7样品在模拟太阳光下能催化分解水产氢,当CuS复合量质量分数为0.5%时,复合样品光催化产氢的活性最佳,产氢速率为12.57μmol/h,并具有良好的活性稳定性;La2Ti2O7复合CuS后,样品的光响应性能增强,瞬态光电流增强,阻抗降低,有利于光生电荷的有效分离,从而提高了复合样品的光催化活性。

Influence of the Annealing Temperature on the Thickness and Roughness of La<SUB>2</SUB>Ti<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>Thin Films

In this work, the impact of the substrate annealing temperature on the thickness and roughness of La2Ti2O7 thin films was verified. A group of LTO Thin films was grown on Si (100) substrates successfully via pulsed laser deposition technique (PLD) at various annealing temperatures with a constant numbers of pulses and energy per pulse. Scanning Electron Microscope (SEM) and Atomic Force Microscope (AFM) were used to investigate the thickness and roughness of the deposited La2Ti2O7 thin films. The average thickness of the thin films was decreased due to the increasing in the annealing temperature linearly;the maximum thickness was found (231 nm) when LTO thin film deposited at 500°C. The root mean square roughness was increased linearly with increasing the substrate Temperatures. The minimum roughness was found (0.254 nm) when LTO deposited at (500°C). From the obtained results, its clear evidence that the annealing temperature has an influence on the thickness and roughness of the LTO thin films.

烧结条件对La_2Ti_2O_7陶瓷铁电性的影响

本文通过传统固相法制备La_2Ti_2O_7陶瓷,研究不同烧结温度和时间对La_2Ti_2O_7陶瓷的铁电性影响,通过XRD和铁电测试手段分别对其晶体结构和铁电性进行表征,并对影响机理作了初步探讨,以探索最佳的制备工艺。结果表明:当烧结温度为1400℃及烧结时间为24 h时,La_2Ti_2O_7陶瓷的铁电性较好,漏电流最小,其剩余极化Pγ为3.96μC/cm^2,矫顽场Ec为27.8 k V/cm。

异质结型La_2Ti_2O_7/TiO_2复合纳米纤维的制备及光催化降解

以静电纺丝技术制备的TiO_2纳米纤维为模板和反应物,采用水热法合成了具有异质结构的La_2Ti_2O_7/TiO_2复合纳米纤维。将其作为光催化剂,在紫外光和可见光环境中,对模拟有机污染物罗丹明B进行光催化降解。采用XRD,SEM和HRTEM等分析测试手段对样品的组成及形貌进行表征,通过UV-vis漫反射光谱表征其光吸收性能及禁带宽度,测试光催化性能。结果表明:TiO_2纳米纤维形貌得以完好保持,La_2Ti_2O_7纳米晶粒均匀地生长在TiO_2纳米纤维表面形成异质结,减小了TiO_2的带隙宽度,光催化活性提高,光谱响应范围拓宽到可见光区。在紫外光和可见光下均具有良好的光催化活性。

Er^(3+)和Yb^(3+)共掺杂La_2Ti_2O_7纳米晶的上转换发光

采用溶胶-凝胶法制备了Er3+单掺杂A2Ti2O7(A=La,Y,Gd)和Er3+,Yb3+共掺杂的La2Ti2O7纳米晶样品。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱仪分别对样品的结构、形貌和光吸收性质进行了表征;测试了样品在980 nm激光激发下的室温上转换光谱。结果发现,样品都发出了很强的绿光(大约在525和549 nm)和红光(大约660 nm)。通过研究这些基质的晶体结构对上转换发光的影响,发现La2Ti2O7基质中Er3+离子的上转换发射最强。对La2Ti2O7纳米晶的上转换发光研究表明,Yb3+离子能够有效地敏化Er3+离子的上转换发射。对上转换发光强度与泵浦功率的依赖分析,发现红光和绿光的发射均属于双光子吸收过程,最后讨论了Er3+和Yb3+的上转换发光机制。

Ta掺杂钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能研究

采用传统固相反应法制备La2Ti2-xTaxO7(Ta摩尔分数x=0、0.1、0.2、0.3)陶瓷,对其晶体结构、表面形貌、铁电性能和介电性能进行了研究,实验结果表明,Ta掺杂La2Ti2O7陶瓷,Ta5+取代B位的Ti 4+,形成La2Ti2-xTaxO7固溶体,提高钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能,在x=0.2时,La2Ti2-xTaxO7陶瓷的铁电性能和介电性能达最大值(剩余极化强度Pr=0.3μC/cm2,介电常数εr=5 600)。同时研究发现该陶瓷在高频区性能稳定。