CdIn_(2)S_(4)光电薄膜材料的制备及光电性能研究

以氯化镉(CdCl_(2)·2.5H_(2)O)、氯化铟(InCl_(3)·4H_(2)O)和硫代乙酰胺(TAA)为原料,利用水热法在FTO导电基底上制备CdIn_(2)S_(4)薄膜材料。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)等手段对所得薄膜的物相结构、表面形貌、成分及光吸收性能等进行表征。借助瞬态表面光电压(TSPV)技术探究CdIn_(2)S_(4)薄膜的光生载流子的分离、传输及复合过程。结果表明:制备的CdIn_(2)S_(4)薄膜结晶良好、表面均匀平整且具有良好的光吸收性能和光电响应。构建了以CdIn_(2)S_(4)和P3HT为吸收层、TiO_(2)为电子传输层的异质结薄膜太阳能电池器件(FTO/TiO_(2)/CdIn_(2)S_(4)/P3HT/Au)。目前其光电转化效率最高为0.022%,光电性能有待进一步提高。

CdIn_2S_4光催化降解亚甲基蓝的试验

以CdIn2S4为光催化剂,钨灯模拟可见光,探讨其对活性染料亚甲基蓝的光催化降解过程.考察了光照时间、催化剂用量、亚甲基蓝的初始浓度、反应体系的pH值和温度以及光强对光催化过程的影响.结果表明:对于4mg/L的亚甲基蓝溶液,200W钨灯照射下,CdIn2S4的用量为0.04g/L,pH为3.0,1.5h内其降解率可达97.83%.温度对反应影响很小.

直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。

一种新型保温薄膜材料——CdIn_2O_4的研究

研究了射频反应溅射三元化合物 Cd In2 O4 薄膜的电学和光学性质 ,讨论了反应气体中氧气浓度和热处理对Cd In2 O4 薄膜红外反射率的影响 ,实验结果表明 ,Cd In2 O4 薄膜在红外区域具有很高的反射率 ,是一种极好的红外反射膜。用它作为冰箱内保温膜和室内及冷库保温窗玻璃 ,效果十分明显 。

热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响

在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。

Mn^(2+)掺杂多孔CdIn_2S_4光催化剂的制备及催化制氢性能

为提高光催化剂的比表面积,以十二烷基磺酸钠(SDS)为模板剂,采用水热法制备出系列Mn2+掺杂的CdIn2S4多孔光催化剂.通过XRD、FESEM、UV-Vis、XPS等分析手段对催化剂进行了表征,考察了掺杂Mn2+浓度对多孔CdIn2S4光催剂的形貌结构和可见光催化产氢性能的影响.结果表明,Mn2+掺杂影响催化剂的晶体结构及其微观形貌,掺杂后的CdIn2S4光催化剂产氢活性显著提高,其中Mn2+(0.7%)-CdIn2S4光催化剂表现出最优产氢活性,产氢速率达到1296.2μmol/(h.g).

CdIn2O4薄膜性质及其应用研究

利用射频反应溅射法在玻璃衬底上在Ar和O2气氛中从Cd-In合金靶上制备出了CdIn2O4薄膜.实验结果表明退火处理对CdIn2O4薄膜的光电性质有重要的影响.退火处理进一步降低了CdIn2O4膜的电阻率,在可见光区域内该膜的最高光透射率超过了90%.研究还发现CdIn2O4膜电阻在CO气氛中十分敏感的发生变化,并且提高温度和在膜上生长不连续的Pt粒子可进一步增强气敏特性.实验研究还表明CdIn2O4膜气敏传感器响应时间比通用的气敏元件快得多.

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.

CdIn_2O_4薄膜气敏特性的研究

在 Ar+O2 混合气体中用射频反应性溅射方法制备了纯的和 Pt掺杂的 Cd In2 O4薄膜 ,用 XRD,AES等方法分析了薄膜的结构和化学成分 .测试了两种薄膜对酒精气体的气敏特性 ,包括灵敏度随温度、气体浓度的变化以及传感器元件的响应曲线 ,并对气敏机理进行了讨论 .

CdIn_2S_4光催化剂分解硫化氢制氢研究

采用水热合成法制备系列CdIn_2S_4光催化剂,并通过XRD、UV-Vis分析手段对上述催化剂进行了表征。CdIn_2S_4是具有立方尖晶石结构的半导体光催化剂,当n=0时,吸收边约为550 nm。将CdIn_2S_4光催化剂应用于光催化分解硫化氢制氢,实验结果表明,当n=0时,CdIn_2S_4具有较好的光催化分解硫化氢制氢性能,制氢速率为245.6μmol/(h·g)。

一步水热合成In2S3/CdIn2S4异质结微球及其光催化性能

利用一步水热法成功制备了In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂,通过降解甲基橙(MO)、酸性橙Ⅱ(AOⅡ)和罗丹明B(RhB)来评价所制备催化剂的活性。实验结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球对MO、AOⅡ和RhB的光催化降解率分别达到了87%、75%和96%,明显高于催化剂In2S3和CdIn2S4。瞬态光电流和阻抗测试结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球受光激发产生的电子空穴对能快速得到分离。捕获主要活性物种实验表明,该反应体系中主要是超氧自由基和空穴起关键性作用。In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂重复使用四次,其催化能力依然保持较高水平。In2S3/CdIn2S4异质结微球活性的增强归因于异质结的形成有助于电子的转移,从而降低了电子空穴对的复合概率。并且合适的能带结构有助于产生大量的光生电子,电子与活性氧的结合最终引起氧化能力的增强。

花球状CdIn_2S_4/CdS的制备及其光电流的研究

利用CdS纳米颗粒作为载体及乙二醇络合剂对CdS中Cd^(2+)离子的释放调节作用,以InCl_3·4H_2O、L-半胱氨酸作为原料,通过溶剂热反应,在200℃下反应1h,成功合成了CdIn_2S_4纳米片/Cd S纳米颗粒一维超结构。产物经XRD、FE-SEM、TEM等手段详尽表征。CdIn_2S_4纳米片/CdS纳米颗粒被构筑成光电极,在1V(对可逆氢电极)电压下,能取得2m A·cm^(-2)的可观光电流密度,相比较单一的CdS纳米颗粒和CdIn_2S_4片球,CdIn_2S_4纳米片/CdS纳米颗粒具有更高的光电流。

CdIn_2S_4纳米材料的制备及其应用进展

CdIn_2S_4是一种尖晶石结构的三元化合物,在可见光范围内具备优良的光吸收性能,同时具有良好的光催化活性和光化学稳定性,非常适合用作光催化剂。分别对CdIn2S4粉体和CdIn_2S_4薄膜的制备技术进行了介绍,然后对其在光催化降解有机污染物、光水解制氢以及光电化学领域的研究进展进行了整理总结,望其为进一步开展相关研究提供参考。

可见光光催化剂CdIn_2S_4的制备及应用研究进展

可见光光催化是当前的热点课题。近年来,由于CdIn2S4对可见光有较强吸收且具有良好的稳定性而备受关注,是极具发展潜力的新型可见光光催化材料。本文对CdIn2S4的制备方法及其在光催化降解染料方面的应用进行整理总结,以期为进一步开展相关研究提供参考。

MOFs诱导中空Co3O4/CdIn2S4合成及光催化CO2还原性能研究

光催化二氧化碳转化技术,不仅可以利用取之不尽用之不竭的太阳光能,而且可将二氧化碳转化为高附加值的碳基燃料,受到研究者们的广泛关注。实验设计合成了新颖的中空结构的Co3O4/CdIn2S4异质结光催化剂。两种半导体的高效耦合作用极大地促进了光生载流子分离,同时形成更多暴露活性位点。基于异质结独特的结构优势,表现出高效的CO2还原性能,5%Co3O4/CdIn2S4的CO生成速率达74μmol·g^−1·h^−1,与单体CdIn2S4相比,不仅活性得到很大提升,同时CO选择性达到100%。

Effect of Oxygen Concentration and Annealing Theatment on the Optical Properties of the Transparent Conductive CdIn_2O_4 Thin Films

Transparent conductive cadmium indium oxide films (CdIn2O4) were prepared by r.f. reactive sputtering from Cd-In alloy targets under an Ar-O2 atmosphere. Electrical conductivity of the order of 105Ω-1.m-1 and the optical transmission as high as 94% are easily attained by postdeposition annealing treatment. The effects of oxygen concentration in the reactive gas mixture and post-deposition annealing treatment on the optical transmittance as well as optical parameters, such as refractive index (n), extinction coefficient (k), real part (ε') and imaginary part (ε') of the dielectric constant, were studied in the visible and near-infrared region. The highfrequency dielectric constant ε∞ the plasma frequency ωP, and the conduction band effective mass mc of different samples were also investigated

CDIN 120V-100000μF超大型铝电解电容器

为研制适用于军用及其他特别设备的超大型铝电解电容器CDIN 120V-100000μF φ100 mm×250 mm产品,分析了影响铝电解电容器损耗角正切的各种因素。通过研制工作电解液,研究铆装工艺和老练工艺,设计特殊芯包结构和芯包固定方式,使得该型号产品的损耗角正切较小,成品率很高,且产品性能完全满足其技术标准。

CdS/CdIn2S4:对希夫碱光合成具有优异光催化性能的一种新型异质结复合材料（英文）

通过简单的溶剂热法制备一种新型CdS/CdIn2S4异质结光催化剂.结果表明CdS/CdIn2S4是一种具有大量纳米片组成的异质结构,在可见光照射下制备的CdS/CdIn2S4异质结构在苯甲醇和硝基苯耦合体系中合成希夫碱化合物具有优异的光催化性能,希夫碱产率分别是纯CdS和CdIn2S4样品的19.1和1.54倍.光催化活性提高的原因可归因于CdS和CdIn2S4异质结构的构建,从而导致光生载流子在空间上的有效分离.

透明导电CdIn_2O_4薄膜光学常数的计算

针对射频反应性溅射 Cd－ In合金靶沉积的透明导电 CdIn2O4薄膜可见光区和近红外透射区透射和反射谱，分别采用包络线法迭代计算和 Szczyrbowski提出的非均匀膜模型计算出了薄膜的光学常数。根据 Drude理论求出了自由载流子有效质量，并与通过等离子体波长λ p所确定的有效质量进行了比较。