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Power-Dependent Luminescence of CdSe/ZnS Nanocrystal Assembled Layer-by-Layer on a Silver Nanorod Array
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作者 王亚兰 程自强 +3 位作者 马良 彭小牛 郝中华 王取泉 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期56-59,共4页
We investigate the power-dependent luminescence of CdSe/ZnS semiconductor quantum dots closely packed layer- by-layer in the proximity of a silver nanorod array cavity. It is found that the emission peak shifts signif... We investigate the power-dependent luminescence of CdSe/ZnS semiconductor quantum dots closely packed layer- by-layer in the proximity of a silver nanorod array cavity. It is found that the emission peak shifts significantly to the longer wavelengths as the excitation power increases, especially when the longitudinal surface plasmon resonance of the Ag nanorod array cavity is adjusted to be close to the emission wavelength. The equivalent gain varies with the coating layer of CdSe/ZnS semiconductor quantum dots and the excitation power is also studied to explain this interesting spectrum-shifting effect. These findings could find applications in the dynamic information processing of active plasmonic and photonic nanodevices. 展开更多
关键词 ZnS Power-Dependent Luminescence of cdse/ZnS Nanocrystal Assembled Layer-by-Layer on a Silver nanorod Array
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不同晶型Cdse纳米棒的制备及光电性能研究 被引量:5
2
作者 郝彦忠 殷志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期413-417,共5页
采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极... 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移. 展开更多
关键词 cdse纳米棒 光电化学 cdse/PMET复合膜电极
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CdSe纳米棒的制备及光电性能研究 被引量:5
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作者 郝彦忠 殷志刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1997-2000,共4页
采用水热法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征。结果表明,纳米棒直径在100nm左右,长度约300nm;纳米棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在400℃下煅烧30min后制备成纳米棒膜电极,并... 采用水热法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征。结果表明,纳米棒直径在100nm左右,长度约300nm;纳米棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在400℃下煅烧30min后制备成纳米棒膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达74%。 展开更多
关键词 水热法 cdse纳米棒 光电化学
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一维CdSe纳米棒的水热合成及表征 被引量:1
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作者 汪玲 李玉玲 +1 位作者 牛明改 杨术明 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第2期249-252,共4页
用乙二胺辅助水热的方法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、XRD、XPS以及EDX等分析手段对其形貌和结构进行了表征.研究表明这种硒化物的纳米棒结晶性良好,并且晶体沿着特定的方向生长.用中间络合物结构诱导机理解释了这种硒化物纳米棒的形成过程.
关键词 cdse 纳米棒 水热法
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ZnO纳米团簇与CdSe纳米棒复合膜的光电化学性能研究
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作者 郝彦忠 马洁霞 +2 位作者 崔玥 孙宝 丁俊其 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1059-1062,1067,共5页
用水热法合成了粒径均匀、分散良好的花状ZnO纳米团簇和CdSe纳米棒。讨论了ITO/ZnO/CdSe复合膜电极光电性能的影响因素,对比研究了ITO/ZnO纳米团簇及ITO/CdSe纳米棒膜电极的光电化学性能,实验表明:复合膜电极拓展了在长波方向的光吸收,... 用水热法合成了粒径均匀、分散良好的花状ZnO纳米团簇和CdSe纳米棒。讨论了ITO/ZnO/CdSe复合膜电极光电性能的影响因素,对比研究了ITO/ZnO纳米团簇及ITO/CdSe纳米棒膜电极的光电化学性能,实验表明:复合膜电极拓展了在长波方向的光吸收,提高了光电转换效率;当ZnO与CdSe复合摩尔比为1:3时,ITO/ZnO/CdSe纳米复合膜电极在本实验中得到最高光电转换效率(IPCE)25.27%,远远高于单一ITO/ZnO花状纳米团簇膜电极和ITO/CdSe纳米棒膜电极。 展开更多
关键词 ZnO纳米团簇 cdse纳米棒 复合膜电极 光电化学性能
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水溶液法制备CdSe和ZnSe纳米棒 被引量:4
6
作者 张显春 林燕 +1 位作者 禚林海 唐波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期722-725,共4页
用水溶液法直接合成了水溶性、发荧光的ZnSe和CdSe纳米棒。ZnSe纳米棒的直径约20~30nm,长度可达60~70nm;CdSe纳米棒的直径约30~60nm,长度可达150~450nm。用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HR-TEM)、荧光仪等仪器... 用水溶液法直接合成了水溶性、发荧光的ZnSe和CdSe纳米棒。ZnSe纳米棒的直径约20~30nm,长度可达60~70nm;CdSe纳米棒的直径约30~60nm,长度可达150~450nm。用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HR-TEM)、荧光仪等仪器对纳米棒进行了表征。XRD和HRTEM的结果显示纳米棒具有立方结构,结晶度较高。讨论了纳米棒的形成机理以及pH对纳米棒发光强度的影响。合成的纳米棒在水溶液中至少稳定半年,表面被氨基和羧基化,在生物分析中具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 cdse ZNSE 纳米棒 水溶性
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CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能 被引量:1
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作者 田乐成 杨海滨 +8 位作者 李云辉 绍晶 孙晶 董群 凌宏志 王硕 温祖旺 张鑫 丁娟 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期878-882,共5页
在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长CdSe纳米棒阵列,并利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光... 在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长CdSe纳米棒阵列,并利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光电化学性能;在标准三电极体系下,测试CdSe纳米棒阵列电极的光电化学性能.结果表明:样品沿[001]方向择优生长,并具有明显的光响应特性;在光强为100 mW/cm^2的模拟太阳光照射下,该电极光电流密度Jsc=2.93 mA/cm^2,开路电压Voc=1.16 V,填充因子FF=0.278,该电池的光电转化效率η=0.947%. 展开更多
关键词 cdse纳米棒 电化学沉积 光电化学性能
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CdSe纳米颗粒敏化的TiO_2纳米棒阵列的制备及其光电和光催化性能
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作者 谭帼英 黄盼 +2 位作者 弓程 孙岚 林昌健 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期466-471,共6页
CdSe是一种具有可见光响应的半导体材料,利用CdSe对TiO_2进行敏化有望使复合材料具有可见光吸收,有效促进光生电荷的分离.采用水热法在掺杂F的SnO2(FTO)导电玻璃表面制备金红石TiO_2纳米棒阵列,再采用连续离子层吸附反应法在TiO_2纳米... CdSe是一种具有可见光响应的半导体材料,利用CdSe对TiO_2进行敏化有望使复合材料具有可见光吸收,有效促进光生电荷的分离.采用水热法在掺杂F的SnO2(FTO)导电玻璃表面制备金红石TiO_2纳米棒阵列,再采用连续离子层吸附反应法在TiO_2纳米棒阵列表面复合CdSe纳米颗粒,制得CdSe纳米颗粒敏化的TiO_2纳米棒阵列,并对其进行了表征.实验结果表明,CdSe纳米颗粒敏化的TiO_2纳米棒阵列在可见光区有较强的光吸收,其光电流密度是TiO_2纳米棒阵列的10倍,对亚甲基蓝的可见光催化降解速率较亚甲基蓝的自降解和TiO_2纳米棒阵列分别提高了85%和75%. 展开更多
关键词 TiO2纳米棒阵列 cdse纳米颗粒 光电性能 光催化
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Growth Kinetics of Nanocrystals and Nanorods by Employing Small-angle X-ray Scattering (SAXS) and Other Techniques 被引量:2
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作者 Kanishka BISWAS Neenu VARGHESE C.N.R.Rao 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第4期615-627,共13页
In this article, we report the results of our detailed investigations of the growth kinetics of zero-dimensional nanocrystals as well as one-dimensional nanorods by the combined use of small angel X-ray scattering (S... In this article, we report the results of our detailed investigations of the growth kinetics of zero-dimensional nanocrystals as well as one-dimensional nanorods by the combined use of small angel X-ray scattering (SAXS), transmission electron microscopy (TEM) along with other physical techniques. The study includes growth kinetics of gold nanocrystals formed by the reduction of HAuCl4 by tetrakis(hydroxymethyl) phosphonium chloride in aqueous solution, of CdSe nanocrystals formed by the reaction of cadmium stearate and selenium under solvothermal conditions, and of ZnO nanorods formed by the reaction of zinc acetate with sodium hydroxide under solvothermal conditions in the absence and presence of capping agents. The growth of gold nanocrystals does not follow the diffusion-limited Ostwald ripening, and instead follows a Sigmoidal rate curve. The heat change associated with the growth determined by isothermal titration calorimetry is about 10 kcal·mol^-1 per I nm increase in the diameter of the nanocrystals. In the case of CdSe nanocrystals also, the growth mechanism deviates from diffusion-limited growth and follows a combined model containing both diffusion and surface reaction terms. Our study of the growth kinetics of uncapped and poly(vinyl pyrollidone) (PVP)-capped ZnO nanorods has yielded interesting insights. We observe small nanocrystals next to the ZnO nanorods after a lapse of time in addition to periodic focusing and defocusing of the width of the length distribution. These observations lend support to the diffusion-limited growth model for the growth of uncapped ZnO nanorods. Accordingly, the time dependence on the length of uncapped nanorods follows the L3 law as required for diffusion-limited Ostwald ripening. The PVP-capped nanorods, however, show a time dependence, which is best described by a combination of diffusion (L^3) and surface reaction (L^2) terms. 展开更多
关键词 Growth kinetics Gold nanocrystals cdse nanocrystals ZnO nanorods Small angle X-ray scattering Transmission electron microscopy Ostwald ripening and sigmoidal growth
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CdSe纳米棒制备及光学特性分析
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作者 林志远 《科技创新与应用》 2019年第8期94-95,共2页
文章通过热合成法成功制备出CdSe纳米棒,并对其进行光学特性表征,且发现在室温下随着放置时间的增加,其荧光强度逐渐增加。
关键词 cdse纳米棒 荧光强度增加 分析
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Hierarchical ZnO nanorod-on-nanosheet arrays electrodes for efficient CdSe quantum dot-sensitized solar cells
11
作者 李龙斌 吴武强 +4 位作者 饶华商 陈洪燕 冯浩霖 匡代彬 苏成勇 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2016年第10期807-816,共10页
Two-dimensional(2D) ZnO nanosheet arrays were prepared via vanadium(V)-doping assisted hydrothermal method, and then the nanosheet was successfully converted to a nanorod-on-nanosheet ZnO hierarchical structure by tre... Two-dimensional(2D) ZnO nanosheet arrays were prepared via vanadium(V)-doping assisted hydrothermal method, and then the nanosheet was successfully converted to a nanorod-on-nanosheet ZnO hierarchical structure by treating with Na_2S solution and subsequent hydrothermal reaction. Hierarchical films with different nanorod growth time(1–8h) were prepared and their photovoltaic properties were also investigated after electrodeposition of CdSe quantum dots. For the hierarchical nanorod-on-nanosheet ZnO films, increasing the ZnO nanorod growth time can enormously enlarge the length of branched nanorods and light-scattering ability, resulting in better light-harvesting efficiency and higher photo-generated electron concentration, which leads to higher short-circuit current density(J_(sc)) and open-circuit voltage(V_(oc)). However,further increasing nanorod growth time to 8h leads to the over-dense coverage of nanorods, which is harmful for light-harvesting efficiency and leads to severe electron recombination, eventually diminishes the power conversion efficiency(PCE). With the optimized nanorod modification and Cu_2S counter electrode, the PCE reaches a maximum value of 4.26%, which to the best of our knowledge, is among the highest PCE record for CdSe sensitized solar cells based on ZnO photoanodes. 展开更多
关键词 hierarchical ZnO NANOSHEET nanorod cdse quantum dot-sensitized solar cells
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TiO_2纳米棒和CdSe纳米棒复合膜与聚3-甲基噻吩杂化太阳能电池研究 被引量:7
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作者 郝彦忠 马洁霞 +2 位作者 孙宝 李英品 任聚杰 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期33-40,共8页
采用水热法制备了TiO2和CdSe两种纳米棒材料,将两种纳米材料制备成TiO2/CdSe复合纳米棒膜电极,并在复合膜上电化学聚合生成聚3-甲基噻吩poly(3-methylthiophene)(PMeT),研究了其光电化学性能.实验表明,当TiO2与CdSe的物质的量复合比为2:... 采用水热法制备了TiO2和CdSe两种纳米棒材料,将两种纳米材料制备成TiO2/CdSe复合纳米棒膜电极,并在复合膜上电化学聚合生成聚3-甲基噻吩poly(3-methylthiophene)(PMeT),研究了其光电化学性能.实验表明,当TiO2与CdSe的物质的量复合比为2:1,PMeT的聚合时间为40s,在电极电势为-0.2V下ITO/TiO2/CdSe/PMeT电极光电转换效率(IPCE)达到56%,对比ITO/TiO2/CdSe复合膜电极在长波方向的光电转换效率明显提高,光吸收截止波长发生了明显的红移.同时以ITO/TiO2/CdSe/PMeT组装了简易的杂化太阳电池,初步研究了光电池性能,光电池总效率为0.08%,Voc=0.4V,jsc=0.61mA/cm2,ff=0.33. 展开更多
关键词 TiO2纳米棒 cdse纳米棒 聚3-甲基噻吩 杂化太阳电池
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CdS、CdSe协同敏化ZnO薄膜电极及光电化学性能
13
作者 赵文燕 田传进 +3 位作者 谢志鹏 汪长安 付乌有 杨海滨 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第S1期383-387,共5页
首先采用提拉法,在透明导电玻璃(FTO)表面制备ZnO籽晶层,然后用水热法制备ZnO纳米棒阵列,再用连续离子层吸附法(SILAR)成功地将Cd S、Cd Se量子点沉积在ZnO表面,形成光阳极。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM),电化学工... 首先采用提拉法,在透明导电玻璃(FTO)表面制备ZnO籽晶层,然后用水热法制备ZnO纳米棒阵列,再用连续离子层吸附法(SILAR)成功地将Cd S、Cd Se量子点沉积在ZnO表面,形成光阳极。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM),电化学工作站研究了样品的结构、形貌和光电化学性能。结果表明:与ZnO纳米棒相比,复合Cd S、Cd Se以后,样品的光电性能有很大的提高。其中,Cd S、Cd Se的沉积圈数均为4圈时,Cd Se(4c)/Cd S(4c)/ZnO样品的光电转换效率最大,为1.894%,是纯ZnO电极的17倍。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 CDS量子点 cdse量子点 光电转换效率
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Chiral CdSe/CdS quantum dot (in rod)-light-emitting diodes with circularly polarized electroluminescence
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作者 Tianwei Duan Jing Ai +5 位作者 Sujie Chen Gufeng He Xiaojun Guo Lu Han Shunai Che Yingying Duan 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2022年第10期9573-9577,共5页
Chiral quantum dot(in rod)-light-emitting diodes(CQLEDs)with circularly polarized electroluminescence(CPEL)have driven interest in the future display,communication,and storage industries.However,the preparation of CQL... Chiral quantum dot(in rod)-light-emitting diodes(CQLEDs)with circularly polarized electroluminescence(CPEL)have driven interest in the future display,communication,and storage industries.However,the preparation of CQLEDs is still a challenging unresolved.Herein,we fabricated CQLEDs through spin-coating evaporation of chiral CdSe/CdS quantum rods(CCCQs)colloidal solution on indium tin oxide substrate.The CCCQs were synthesized via an isotropically epitaxial growth with cholic acid as the symmetry breaking agent,which induced one-direction chiral dislocation around the c axis of their hexagonal crystal structure.The CCCQs were ranked side-by-side in right-handed chiral arrangement with helical axis perpendicular to substrate due to chiral driving force of the cholic acid arrangement.The CQLEDs exhibited a negative CPEL signal at 600 nm with a|gEL|of 2×10^(−4),which is ascribable to the selective filtration on emission arising from the circular Bragg resonance by quasi-photonic crystal structures. 展开更多
关键词 ELECTROLUMINESCENCE circularly polarized light emission helical assembly chiral nanoparticle cdse/CdS nanorods
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