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制备室温CdSe探测器的研究
被引量:
2
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作者
宋芳
赵北君
+6 位作者
朱世富
金应荣
邵双运
杨文彬
王学敏
于丰亮
李正辉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期25-29,共5页
报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45~ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理...
报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45~ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .
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关键词
多级提纯垂直气相法
cdse
单晶体
半导体探测器
下载PDF
职称材料
利用改进的气相法生长CdSe单晶体的研究
被引量:
1
2
作者
邵双运
朱世富
+5 位作者
赵北君
金应荣
宋芳
高德友
蔡力
李正辉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期21-24,共4页
作者分析了以富Cd的CdSe多晶为原料生长高电阻率CdSe单晶体的可能性 ,并采用改进的垂直气相无子晶法 ,生长出了电阻率为 1 0 7Ω·cm、位错密度 1 0 4 cm- 2 且尺寸为 1 0mm× 30mm的富Cd的CdSe单晶体 .
关键词
cdse
单晶体
电阻率
下载PDF
职称材料
题名
制备室温CdSe探测器的研究
被引量:
2
1
作者
宋芳
赵北君
朱世富
金应荣
邵双运
杨文彬
王学敏
于丰亮
李正辉
机构
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期25-29,共5页
基金
国家教育部重点科技基金
教育部骨干教师基金
文摘
报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45~ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .
关键词
多级提纯垂直气相法
cdse
单晶体
半导体探测器
Keywords
muti-step purification vertical vapor translation method
cdse sin gle crystal
semicounductor detector
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
利用改进的气相法生长CdSe单晶体的研究
被引量:
1
2
作者
邵双运
朱世富
赵北君
金应荣
宋芳
高德友
蔡力
李正辉
机构
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期21-24,共4页
基金
国家教育部重点科技基金
教育部骨干教师基金
文摘
作者分析了以富Cd的CdSe多晶为原料生长高电阻率CdSe单晶体的可能性 ,并采用改进的垂直气相无子晶法 ,生长出了电阻率为 1 0 7Ω·cm、位错密度 1 0 4 cm- 2 且尺寸为 1 0mm× 30mm的富Cd的CdSe单晶体 .
关键词
cdse
单晶体
电阻率
Keywords
cdse
sin
gle
-
crystal
resistivity
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
制备室温CdSe探测器的研究
宋芳
赵北君
朱世富
金应荣
邵双运
杨文彬
王学敏
于丰亮
李正辉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
下载PDF
职称材料
2
利用改进的气相法生长CdSe单晶体的研究
邵双运
朱世富
赵北君
金应荣
宋芳
高德友
蔡力
李正辉
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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