不同晶型Cdse纳米棒的制备及光电性能研究

采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE．CdSe／PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移．

聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒.纳米棒直径约为100nm,长度约为300nm.当外加电极电势为-0·6V时,经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene),P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流,并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13·5%,低于CdSe纳米棒膜电极17·7%的最高IPCE.CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结,p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE.

聚3-甲基噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒,纳米棒直径约100 nm,长度约300nm。当电极电势为-0.7 V时聚3-甲基噻吩(PMeT)修饰CdSe纳米棒有最大光电流。CdSe纳米棒/PMeT中存在p-n异质结,p-n异质结存在使得CdSe纳米棒/PMeT复合膜电极在长波区光电流高于CdSe纳米棒薄膜电极光电流。