Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析

通过改进推舟液相外延技术,成功地在（211）晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,（211）Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规（111）CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为（5~8）×10^5cm^-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70＂左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.

水溶性CdTe量子点及其复合物的电化学发光研究

通过水热法制备了高荧光效率的巯基丙酸修饰的水溶性CdTe量子点,对不同取样时间的CdTe量子点进行电化学发光强度测试,并对其电化学发光的测试条件(包括扫描速度、共反应剂浓度、缓冲液的pH等)进行了优化,得到最佳测试条件;同时,在水合肼还原剂作用下用微波快速有效的合成了石墨烯,并在超声作用下制备了石墨烯-CdTe量子点复合物,进一步提高了水溶性CdTe量子点的电化学发光强度.

CdTe太阳能电池的制备及电子辐照对电池影响的研究

作者将用共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe多晶太阳能电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7d后,发现性能无明显变化.该电池经能量为1.6MeV,辐照注量为1013～1015电子/cm2的电子束辐照后,其性能有不同程度的下降,但经真空下150℃退火后,又恢复到接近辐照前的值.

用于太阳电池的p-ZnTe/n-CdTe异质结的研究

从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。

电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究

阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ与Ｃｄ在ＳｉＡｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值．由此确定了在ＳｉＡｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ、Ｃｄ原子层的方法．在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与ＡＥＳ研究了所得样品表面形貌与成分．

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。欠电势沉积是电化学原子层外延的关键，它是化合物形成过程中放出自由能的结果。并研究了Si-Au多晶衬底上沉积CdTe的电化学原子层外延，给出了初步实验结果。

化合物半导体薄膜太阳能电池研究现状及进展

薄膜太阳能电池具有节约原材料、衬底成本低、转换效率高、性能稳定等优点,近年来得到了快速发展。本文从发展历史及现状、结构特征及制备方法、优缺点等几个方面对碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、铜锌锡硫薄膜太阳能电池等化合物半导体薄膜太阳能电池进行了对比分析,指出提高转换效率、降低成本、解决实用化过程中的关键问题等是薄膜太阳能电池的发展趋势及挑战。