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CdWO4纳米带的制备及其光学性质研究
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作者 周萍 顾伟华 +2 位作者 韩玉翠 刘方先 丁美娟 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期80-83,共4页
在十二胺为表面活性剂、正辛烷为油相形成的油包水(W/O)型反胶束体系中,使Na2WO4和CdCl2发生反应,制得了长约2μm、带宽约20~30nm的CdWO4纳米带.测试了其拉曼光谱和荧光发射光谱,结果表明该CdWO4纳米粒子具有较好荧光发射性能.
关键词 反胶束 钨酸镉 纳米带 十二胺 正辛烷
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Hydrothermal synthesis of uniform CdWO4:Eu^3+microrods as single component for UV-based WLEDs 被引量:3
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作者 雷芳 殷录桥 +3 位作者 施鹰 谢建军 章蕾 范灵聪 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第12期1179-1187,共9页
A series of single-composition emission-tunable CdWO4:Eu^3+ uniform size nanorods were synthesized by polyvinylpyrrolidone(PVP) assisted hydrothermal process. The products were measured by powder X-ray diffraction... A series of single-composition emission-tunable CdWO4:Eu^3+ uniform size nanorods were synthesized by polyvinylpyrrolidone(PVP) assisted hydrothermal process. The products were measured by powder X-ray diffraction(PXRD), scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM), photoluminescence, and fluorescent decay test. The results showed that reaction time, temperature, p H values and Eu^3+ doped concentration played important roles in determining the morphologies and photoluminescent properties. And we also investigated its use in Ga N LED, warm-white-light could be obtained by the combination of the bright blue light originated from the charge transfer transition in the tungstate groups and the near UV light from LED chip with the red emission from 4f-4f transition of Eu^3+, respectively. By properly tuning the doping concentration of Eu^3+, chromaticity coordinates(0.30 0.22) could be achieved under the 380 nm excitation and its color rendering index was 80.6. So it has potential application in warm-WLED and replacing the commercial YAG:Ce phosphor which absence of red band emission. 展开更多
关键词 cdwo4:Eu3+ hydrothermal synthesis WLED photoluminescence single-component rare earths
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Tm^(3+)掺杂CdWO_4单晶的发光特性 被引量:3
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作者 胡皓阳 万云涛 +3 位作者 胡建旭 夏海平 张约品 陈红兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期377-382,共6页
用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800℃的氧化处理,测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外... 用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800℃的氧化处理,测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外光谱。经氧气退火处理后,由于氧空位缺陷减少,晶体的颜色明显变淡。在吸收光谱中观测到421,684,805 nm的吸收带。其中421 nm的吸收峰随退火温度的升高而逐步减弱,经800℃处理后基本消失。在808 nm激光二极管激发下,观察到中心波长为1.5μm和1.8μm的荧光发射,分别对应于Tm3+的3H4→3F4,3F4→3H6的能级跃迁。 展开更多
关键词 cdwo4单晶 坩埚下降法 光谱性质 Tm3+掺杂
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表面活性剂辅助合成CdWO_4纳米棒和纳米线 被引量:10
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作者 陈友存 张元广 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第13期1314-1318,共5页
以Na2WO4?2H2O和CdCl2为主要原料,分别在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)表面活性剂中,在180℃反应16h,水热制备了CdWO4纳米棒和纳米线.利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM... 以Na2WO4?2H2O和CdCl2为主要原料,分别在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)表面活性剂中,在180℃反应16h,水热制备了CdWO4纳米棒和纳米线.利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对产物进行了表征,并对其在室温下的发光特性进行了测定.实验结果表明:产物均为具有单斜结构的单相CdWO4.其中CdWO4纳米棒具有单晶属性,平均粒径约为63nm,长度近1μm;而CdWO4纳米线具有多晶特性,平均粒径约为12nm,长度达十几微米.当激发波长为253nm时均有460nm强的发射峰,其中CdWO4单晶纳米棒的发光强度大于CdWO4多晶纳米线.分别对CdWO4纳米棒和纳米线形成的可能机理进行了初步分析. 展开更多
关键词 cdwo4 合成 表面活性剂 纳米棒和纳米线
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CdWO_4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究 被引量:8
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作者 罗丽明 陶德节 王英俭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期922-926,共5页
本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试... 本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致。此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的。 展开更多
关键词 cdwo4晶体 晶体生长 光学性能
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制备条件对CdWO_4纳米棒的光致发光性能的影响 被引量:1
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作者 宋旭春 郑遗凡 +2 位作者 杨娥 陈海芳 马荣 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1743-1746,共4页
以Na2WO4和CdCl2为主要原料,在130℃水热制备了CdWO4纳米棒,并用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、粉末X射线衍射(XRD)和能谱元素分析(EDS)对产物进行了表征。结果表明,产物为长约100nm,直径10~30nm的CdWO4纳米棒。研究了不同反应条件下... 以Na2WO4和CdCl2为主要原料,在130℃水热制备了CdWO4纳米棒,并用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、粉末X射线衍射(XRD)和能谱元素分析(EDS)对产物进行了表征。结果表明,产物为长约100nm,直径10~30nm的CdWO4纳米棒。研究了不同反应条件下制备的CdWO4纳米棒的光致发光性能。 展开更多
关键词 cdwo4 纳米棒 光致发光
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CdWO_4、CsI(Tl)和PbWO_4晶体在9MeV工业CT中探测效率比较 被引量:1
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作者 张爱东 李炬 +1 位作者 孙灵霞 周瑛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1202-1204,共3页
为找出更适合于9 MeV加速器工业CT系统应用的闪烁晶体,对常用的工业CT闪烁晶体CdWO4、CsI(Tl)、PbWO4在系统上进行了实验。利用CCD相机、准直器、闪烁晶体等组成探测系统,在同一实验条件下对截面积相同,长度为25 mm~45 mm的CsI(Tl)、Cd... 为找出更适合于9 MeV加速器工业CT系统应用的闪烁晶体,对常用的工业CT闪烁晶体CdWO4、CsI(Tl)、PbWO4在系统上进行了实验。利用CCD相机、准直器、闪烁晶体等组成探测系统,在同一实验条件下对截面积相同,长度为25 mm~45 mm的CsI(Tl)、CdWO4、PbWO4晶体在同一位置的探测计数进行反复测量,得到不同晶体长度对应探测计数图。实验结果表明:不同晶体材料探测效率不同,闪烁晶体在未包裹反光膜状态,35 mm长度CsI(Tl)探测效率最好,而在包裹反光膜状态下45 mm长度CdWO4探测效率最好。 展开更多
关键词 工业CT cdwo4 CsI(Tl) PBWO4
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水热法合成纳米CdWO_4及其光催化性能研究 被引量:1
8
作者 马延会 田晓璇 《工业催化》 CAS 2019年第3期33-37,共5页
通过水热法合成光催化性能良好的纳米CdWO_4。采用粉末X射线衍射、扫描电子显微镜研究溶液pH值及水热温度对CdWO_4微观形貌、晶体结构的影响。在紫外线光照下甲基橙降解实验中测试制备的CdWO_4纳米颗粒的光催化活性。结果表明,合成的催... 通过水热法合成光催化性能良好的纳米CdWO_4。采用粉末X射线衍射、扫描电子显微镜研究溶液pH值及水热温度对CdWO_4微观形貌、晶体结构的影响。在紫外线光照下甲基橙降解实验中测试制备的CdWO_4纳米颗粒的光催化活性。结果表明,合成的催化剂为单斜晶系CdWO_4晶体,不含其他杂质。水热反应温度150℃时,随着溶液pH值的降低(10.0→9.20→8.60),CdWO_4颗粒逐渐减小,紫外光照射90 min后,甲基橙降解率分别为20%、 26%和40%,其降解动力学参数k分别为0.002 3 min^(-1)、0.003 3 min^(-1)、0.005 7 min^(-1)。水热反应温度升高至180℃,pH为8.60时,合成的CdWO_4催化剂呈细针状,具有最高的光催化活性,光照90 min后,甲基橙降解率70%,降解动力学参数k=0.026 2 min^(-1)。 展开更多
关键词 催化化学 光催化降解 cdwo4 纳米粉体 甲基橙 水热法
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表面活性剂辅助合成CdWO_4纳米棒及其光致发光性能
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作者 高宾 张晓军 +1 位作者 朱长军 成鹏飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期20-23,共4页
以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光... 以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光性能。结果表明:产物为长1~1.5μm、直径50~80nm的CdWO4纳米棒;SDBS对CdWO4纳米棒的形成具有关键作用;随着CdWO4纳米棒结晶性的提高,其光致发光性能增强。 展开更多
关键词 水热法 cdwo4 纳米棒 PL光谱
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用于高能X射线成像的CdWO_4闪烁探测器探测灵敏度的研究 被引量:4
10
作者 楼棋 李玉兰 +2 位作者 李元景 范佳锦 王义 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期331-334,共4页
高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并... 高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并和测量值进行比较。二者吻合较好 ,证明了估算方法的正确性。 展开更多
关键词 高能X射线成像 cdwo4闪烁探测器 钨酸镉晶体 探测灵敏度 能量沉积率
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钨酸镉单晶的提拉法生长 被引量:3
11
作者 张敬富 潘金根 +2 位作者 娄丙谦 潘建国 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1336-1340,1345,共6页
采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料。研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件。利用提拉法生长出尺寸为15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶。透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4... 采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料。研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件。利用提拉法生长出尺寸为15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶。透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70%左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成。 展开更多
关键词 闪烁晶体 cdwo4 提拉法
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CdWO_4∶Yb^(3+),Ho^(3+)纳米晶的制备及发光性能研究 被引量:2
12
作者 韩松 宋博 +2 位作者 刘磊 贺超 杨魁胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1183-1187,共5页
采用水热法制备CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶,运用X射线衍射、扫描电镜和光谱分析对制备样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明:CdWO4∶Yb3+,Ho3+为单斜晶系,平均晶粒尺寸约为29.782 7 nm。用980 nm激光激发样品获得了发射光谱,位于552 n... 采用水热法制备CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶,运用X射线衍射、扫描电镜和光谱分析对制备样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明:CdWO4∶Yb3+,Ho3+为单斜晶系,平均晶粒尺寸约为29.782 7 nm。用980 nm激光激发样品获得了发射光谱,位于552 nm和659 nm的发射峰分别对应于Ho3+离子的5F45S2→5I8和5F5→5I8的跃迁。根据泵浦功率和发光强度之间的双对数关系可知,552 nm和659 nm的发射均属于双光子过程。稀土离子的浓度对样品的发光强度的影响较大,结果表明:当Yb3+∶Ho3+离子的量比为5∶1且Ho3+摩尔分数为1.5%时,CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶的上转换发光强度最大。 展开更多
关键词 cdwo4∶Yb3+ Ho3+ 上转换发光 水热法
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Ni^(2+)掺杂CdWO_4晶体的发光特性研究 被引量:1
13
作者 钟月锋 万云涛 +1 位作者 夏海平 张约品 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2241-2244,共4页
应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观... 应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观察到发光中心为480nm的蓝光,这是Cd-WO4晶体中WO66+中的电子跃迁所致。在808与980nm的激发下,均观察到发光中心分别为1068nm的近红外发射带,归结为和Ni 2+八面体格位的3 T2g(3F)→3 A2g(3F)能级跃迁。 展开更多
关键词 光学材料 镍掺杂cdwo4晶体 近红外发光 荧光半高宽
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传统固相法制备CdWO_4微波介质陶瓷及其表征 被引量:1
14
作者 郭保春 刘鹏 +1 位作者 陈爽 杨桃 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期33-36,共4页
采用传统固相法在低温下合成CdWO4单相,研究了CdWO4陶瓷的微波介电性能.实验结果表明:普通球磨CdO和WO3混合物10 h,在200℃下预烧2h后获得CdWO4纯相粉体;用此粉体制成的素坯在1075~1 200℃烧结,均能得到相对密度比较高的单斜结构CdWO... 采用传统固相法在低温下合成CdWO4单相,研究了CdWO4陶瓷的微波介电性能.实验结果表明:普通球磨CdO和WO3混合物10 h,在200℃下预烧2h后获得CdWO4纯相粉体;用此粉体制成的素坯在1075~1 200℃烧结,均能得到相对密度比较高的单斜结构CdWO4陶瓷;在1 150℃烧结的CdWO4陶瓷表现出优良的微波介电性能,其中Q×f=41 000 GHz,εr=12.8,(r)f=-14×10-6℃-1. 展开更多
关键词 cdwo4 微波介电陶瓷 传统固相法
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坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性 被引量:5
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作者 陈红兵 肖华平 +3 位作者 徐方 方奇术 蒋成勇 杨培志 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1036-1040,共5页
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,Cd... 采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380~550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性. 展开更多
关键词 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 光学均匀性
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坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 被引量:7
16
作者 沈琦 陈红兵 +3 位作者 王金浩 蒋成勇 潘建国 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期844-848,852,共6页
以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射... 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度。结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns;以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5%~57.4%,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107rad。 展开更多
关键词 钨酸镉 坩埚下降法 衰减时间 辐照硬度
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坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷 被引量:4
17
作者 陈红兵 沈琦 +4 位作者 方奇术 肖华平 王苏静 梁哲 蒋成勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期829-833,共5页
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;... 采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。 展开更多
关键词 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 晶体缺陷
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CT探测器的技术特点和发展趋势 被引量:22
18
作者 郝涛 罗宏 《中国医疗设备》 2008年第1期55-57,共3页
本文介绍了CT探测器的技术特点和性能,分析了其结构原理,并对其发展方向作了展望。
关键词 CT探测器 钨酸镉晶体 闪烁晶体 数据采集系统
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退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究 被引量:3
19
作者 罗丽明 王英俭 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期166-169,共4页
研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶... 研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340~440nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率. 展开更多
关键词 材料 钨酸镉 退火 光致发光 荧光衰减寿命 闪烁体
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CdWO_4纳米晶形貌可控合成 被引量:1
20
作者 杨琳琳 王永刚 +4 位作者 魏超 王玉江 王晓峰 徐刚 韩高荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1414-1418,共5页
分别以氯化镉、草酸镉、碳酸镉、柠檬酸镉和钨酸钠为原料,在没有采用模板和表面活性剂的条件下,采用水热法可控制备出了钨酸镉纳米颗粒、纳米棒、纳米束和纳米线。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选... 分别以氯化镉、草酸镉、碳酸镉、柠檬酸镉和钨酸钠为原料,在没有采用模板和表面活性剂的条件下,采用水热法可控制备出了钨酸镉纳米颗粒、纳米棒、纳米束和纳米线。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)对样品进行了表征。结果表明:[WO42-]/[Cd2+]摩尔比、反应时间及先驱体的类型对产物的形貌和尺寸有着重要的影响。 展开更多
关键词 形貌可控合成 钨酸镉纳米晶 水热法
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