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高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究 被引量:9
1
作者 崔素贤 郑燕青 +2 位作者 施尔畏 路治平 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期521-524,共4页
Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体 ... Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体 ,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题 ,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论。荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为 35 3nm ,发射峰由 391nm和 42 5nm处两个峰组成 ,吸收谱则显示晶体在 2 0 9~ 370nm之间具有多个吸收峰。 展开更多
关键词 晶体生长 提拉法 激发发射谱 高温闪烁晶体 ce:lso 研究
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高发光均匀性Ce:LSO闪烁晶体的研制 被引量:7
2
作者 王佳 岑伟 +3 位作者 徐扬 胡少勤 石自彬 付昌禄 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期405-408,共4页
采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适... 采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适的原料配比和结晶率等相关参数,即铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度0.20%、结晶分数60%。通过以上研究结果表明,该尺寸晶体的发光均匀性超过96%。 展开更多
关键词 ce:lso 提拉法 高发光均匀性 正交试验
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固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究 被引量:1
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作者 蒋成勇 陈红兵 周昌勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1088-1091,共4页
采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明... 采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明显的团聚现象。在对1200℃煅烧粉体的光谱检测中发现了266nm吸收宽峰,位于381nm的荧光发射峰,位于298nm处的荧光激发峰,与硅酸镥单晶相比,各峰位置有所偏移。 展开更多
关键词 掺铈硅酸镥 固相混合法 粉体 光潜
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Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能 被引量:5
4
作者 沈思情 许志斌 +4 位作者 马清 谢建军 施鹰 袁晖 熊巍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期880-884,共5页
采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质... 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350~500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82~1.94和0.005~0.05,厚度与SEM测试结果相一致。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ce∶lso薄膜 发光 真空紫外光谱 光学常数
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Ce、Pr共掺LSO多晶薄膜的溶胶–凝胶法制备及其发光性能 被引量:3
5
作者 张晓欣 谢建军 +3 位作者 范灵聪 林德宝 陈旭 施鹰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期647-651,共5页
采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce^(3+)、Pr^(3+)共掺杂的硅酸镥(Lu_2SiO_5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu_2SiO_5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明... 采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce^(3+)、Pr^(3+)共掺杂的硅酸镥(Lu_2SiO_5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu_2SiO_5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu_2SiO_5纯相;在1100℃下形成了B-Lu_2SiO_5纯相。经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200~300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,Pr^(3+)在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce^(3+)离子,使Ce^(3+)产生特征能级跃迁,并且使Ce^(3+)发射强度比单掺杂Ce^(3+)时的发射强度更强。 展开更多
关键词 溶胶–凝胶法 lso薄膜 发光 旋涂法 ce3+ Pr3+共掺杂
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Investigation of Formation and Inhibition Mechanism of Cerium Conversion Films on Al 2024 Alloy 被引量:4
6
作者 邵敏华 黄若双 +1 位作者 付燕 林昌健 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第6期640-645,共6页
To study the mechanism of formation and inhibition of Ce conversion films on Al 2024-T3 alloy, scanning microreference electrode technique (SMRE) is used to probe the potential map on Al 2024-T3 in CeCl 3 solution, t... To study the mechanism of formation and inhibition of Ce conversion films on Al 2024-T3 alloy, scanning microreference electrode technique (SMRE) is used to probe the potential map on Al 2024-T3 in CeCl 3 solution, the localized corrosion of Al alloy decreases with immersion time and disappears finally, which results from the competition of Cl - aggression and Ce 3+ inhibition on alloy surface. The results of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicate that the Ce conversion films consist of Al 2O 3, CeO 2 and Ce 2O 3(Ce(OH) 3), and CeO 2/Ce 2O 3 ratio decreases with the immersion time. When a critical pH for Ce(OH) 3 formation was reached, Ce(OH) 3 will precipitate on the micro cathodic area on alloy surface. Consequently, H 2O 2, the product of the catholic reaction will oxidize a part of Ce(OH) 3 to CeO 2, which appears a better corrosion resistance for Al alloys. 展开更多
关键词 rare earths ce conversion film Al 2024 alloy SMRE corrosion resistance
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Structural and Optical Properties of Ce^(3+), Yb^(3+) Co-doped YAG Films by Pulsed Laser Deposition
7
作者 王银珍 LI Ning +5 位作者 DUAN Pingping DI Juqing ZHANG Liaolin CHU Benli HE Qinyu QIU Jianrong 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2015年第4期660-664,共5页
Ce3+, Yb3+ co-doped Y3Al5O12 films were prepared by pulse laser deposition. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, photoluminescence spectra were used to characterize their structural and luminescent p... Ce3+, Yb3+ co-doped Y3Al5O12 films were prepared by pulse laser deposition. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, photoluminescence spectra were used to characterize their structural and luminescent properties. Near-infrared quantum cutting from the films was observed via a cooperative energy transfer from Ce3+ to Yb3+ ions. The high quantum efficiency of the films implies that Ce3+,Yb3+ co-doped Y3A15O12 films have potential application by tuning the solar spectrum to enhance the efficiency of silicon solar cells. 展开更多
关键词 YAG: ce3+ yb3+ films pulsed laser deposition DOWNCONVERSION
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Fabrication and characterization of Ce:YIG thin film
8
作者 Yang Shuming Zhang Kun +1 位作者 Hu Qingjie Jiang Zhuangde 《Engineering Sciences》 EI 2013年第1期74-77,共4页
Yttrium iron garnet (YIG) is widely used for microwave ferrite devices, especially for optical isolators. In this paper, ferrite ceramic target using cerium (Ce)-substituted YIG was made using ferric oxide (Fe203... Yttrium iron garnet (YIG) is widely used for microwave ferrite devices, especially for optical isolators. In this paper, ferrite ceramic target using cerium (Ce)-substituted YIG was made using ferric oxide (Fe203), cerium oxide (CeO2) and yttrium oxide (Y2O3) powders as raw material. Ce: YIG thin films were fabricated by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The experimental result showed that the polycrystalline YIG was obtained after sintering at 1 350 ℃ for 6 h, and the polycrystalline Ce: YIG thin films were achieved annealing up to 700 ℃ in the air. 展开更多
关键词 optical isolator ce YIG thin film CRYSTALLIZATION
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LSO晶体及阵列加工技术研究 被引量:3
9
作者 李德辉 徐扬 +4 位作者 尹红 蒋春健 胡吉海 赵晓东 冯大建 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期408-411,共4页
闪烁体和闪烁探测器在工业、医学及某些核物理实验、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域应用广泛。掺铈硅酸镥(Ce∶LSO)是一种高密度、高原子序数的闪烁晶体,因其对X线具有响应时间快,发光产额高,且具有一定的能量分辨率,不易潮解,对... 闪烁体和闪烁探测器在工业、医学及某些核物理实验、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域应用广泛。掺铈硅酸镥(Ce∶LSO)是一种高密度、高原子序数的闪烁晶体,因其对X线具有响应时间快,发光产额高,且具有一定的能量分辨率,不易潮解,对中子灵敏度低等独特优点,被认为是迄今为止综合性能最好的闪烁体。随着闪光X线摄影技术的发展,对小像素大面积Ce∶LSO闪烁晶体阵列加工提出了更高要求,从而给晶体阵列像素的加工造成困难。其阵列像素表面的切割、研磨、抛光等加工质量将直接影响后续晶体阵列组装,甚至影响到探测器件的质量和使用寿命。该文结合Ce∶LSO闪烁晶体的基本性质,对晶体的切割、研磨、抛光及阵列组装技术进行大量的实验和改进,通过控制合适的工艺参数,采用特殊的加工方法成功加工出高质量的Ce∶LSO闪烁晶体阵列。 展开更多
关键词 ce lso闪烁晶体 切割 抛光 晶体阵列加工
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Ce掺杂TiO_2薄膜电极光电催化降解甲基橙 被引量:13
10
作者 余倩 孔祥晋 +3 位作者 潘湛昌 张环华 肖楚民 余林 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期52-54,共3页
用溶胶-凝胶法制备了泡沫镍负载TiO2及Ce离子掺杂TiO2薄膜电极,并以其为工作电极,建立了三电极光电催化体系。通过对水溶液中甲基橙的降解实验,考察了催化剂热处理温度、涂敷层数、外加电压、铈掺杂等因素对薄膜催化剂光催化性能的影响... 用溶胶-凝胶法制备了泡沫镍负载TiO2及Ce离子掺杂TiO2薄膜电极,并以其为工作电极,建立了三电极光电催化体系。通过对水溶液中甲基橙的降解实验,考察了催化剂热处理温度、涂敷层数、外加电压、铈掺杂等因素对薄膜催化剂光催化性能的影响,结果表明,泡沫镍是光催化剂的优良载体;经500℃处理所得催化剂主要为锐钛矿相,催化活性最好;外加适当电压,有助于光催化降解;Ce的掺杂有易于TiO2催化活性的改善;外加适当电压有助于甲基橙的光催化降解。研究证明,500℃为铈掺杂TiO2薄膜的最佳热处理温度,外加一定电压、涂敷3层、掺杂n(Ce)/n(Ti)=2%的铈时催化剂的活性最高。 展开更多
关键词 光催化 光电催化 TiO2薄膜电极 铈掺杂 降解 甲基橙 光电催化降解 离子掺杂 ce 热处理温度
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中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜的蓝色发光特性 被引量:5
11
作者 巴德纯 廖国进 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期421-424,共4页
本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+... 本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3∶Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 展开更多
关键词 光致发光 AL2O3 薄膜 ce
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Ce在钛合金阳极化中作用的研究 被引量:7
12
作者 李松梅 吴昊 +1 位作者 刘建华 王宾杰 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期91-93,共3页
研究了 Ce元素在钛合金阳极氧化中的作用。通过对普通工艺和稀土工艺之间氧化膜微观形貌的对比 ,讨论了 Ce元素对氧化膜完整性的影响。利用能谱分析 ,说明了 Ce元素加入可以使钛合金表面氧化较为充分 ,并且 Ce元素参与了氧化膜的组成。... 研究了 Ce元素在钛合金阳极氧化中的作用。通过对普通工艺和稀土工艺之间氧化膜微观形貌的对比 ,讨论了 Ce元素对氧化膜完整性的影响。利用能谱分析 ,说明了 Ce元素加入可以使钛合金表面氧化较为充分 ,并且 Ce元素参与了氧化膜的组成。采用局部成分分析法确定了膜层的横向分布范围。对氧化膜截面的SEM图进行分析 ,讨论了 Ce元素对钛合金阳极氧化膜厚度的影响。利用动电位扫描 ,对普通氧化膜和稀土氧化膜的耐点蚀性进行了比较 ,表明 Ce盐的加入可以提高钛合金氧化膜抗点蚀的能力。 展开更多
关键词 ce 氧化膜 耐蚀性 钛合金 阳极氧化 稀土元素
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掺杂浓度对Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜发光性能的影响 被引量:4
13
作者 廖国进 巴德纯 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期872-875,共4页
应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)... 应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3∶Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 展开更多
关键词 三氧化二铝薄膜 磁控溅射 掺杂浓度 光致 发光 ce
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Al合金表面Ce转化膜成膜机理研究 被引量:7
14
作者 邵敏华 黄若双 +2 位作者 付燕 胡融刚 林昌健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第9期791-795,共5页
Ce转化膜作为一种Cr转化膜的理想替代品而日益受到人们的重视,但其成膜机理还不很清楚.本文应用自行研制的扫描微参比电极技术(SMRE),原位测量经CeCl3溶液处理的2024-T3Al合金表面微区电位分布,并结合X光电子能谱(XPS)和交流阻抗谱(EIS)... Ce转化膜作为一种Cr转化膜的理想替代品而日益受到人们的重视,但其成膜机理还不很清楚.本文应用自行研制的扫描微参比电极技术(SMRE),原位测量经CeCl3溶液处理的2024-T3Al合金表面微区电位分布,并结合X光电子能谱(XPS)和交流阻抗谱(EIS),对Ce转化膜的成膜机理进行探讨.结果表明,在CeCl3溶液中,Ce转化膜的形成过程是Ce3+和Cl-相互竞争的动态过程.当由Cl-的不均匀吸附引起的局部腐蚀使pH升高时,Ce(OH)3就会首先在局部位置发生沉积.阴极反应过程产生的H2O2可将Ce(OH)3部分氧化成CeO2. 展开更多
关键词 AL合金 表面ce转化膜 成膜机理 局部腐蚀 扫描微参比电极 铈转化膜 防腐 缓蚀剂
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变色的ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn薄膜电致发光的研究 被引量:5
15
作者 唐春玖 赵伟明 +4 位作者 王林军 陈忠传 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期317-321,共5页
利用ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn多层结构,得到了一种可变颜色的薄膜电致发光器件。研究了这一器件的发射光谱随电压和频率的变化,并讨论了随电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带的不同增长的原因,以及在不同电压下,发射光谱中蓝带和黄带随频率... 利用ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn多层结构,得到了一种可变颜色的薄膜电致发光器件。研究了这一器件的发射光谱随电压和频率的变化,并讨论了随电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带的不同增长的原因,以及在不同电压下,发射光谱中蓝带和黄带随频率变化的不同趋势的原因。观察到随驱动频率的增加,发射光谱出现黄-蓝色位移。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 发光材料
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Ce掺杂对SnO_2薄膜电学及气敏性能的影响 被引量:11
16
作者 方国家 刘祖黎 +2 位作者 张增常 王昕玮 姚凯伦 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期11-15,共5页
以无机盐SnCl2·2H2O、(NH4)3Ce(NO3)6为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶凝胶工艺制备了纯SnO2及SnO2∶Ce薄膜。研究了SnO2∶Ce薄膜的热分解晶化过程和Ce掺杂对SnO2薄膜电学及气敏... 以无机盐SnCl2·2H2O、(NH4)3Ce(NO3)6为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶凝胶工艺制备了纯SnO2及SnO2∶Ce薄膜。研究了SnO2∶Ce薄膜的热分解晶化过程和Ce掺杂对SnO2薄膜电学及气敏性能的影响,发现SnO2∶Ce薄膜在常温下对H2S气体具有较好的气敏性能。 展开更多
关键词 掺杂 气敏性 氧化锡薄膜 电性能
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Ce-Mn合金低温抛光CVD金刚石厚膜 被引量:3
17
作者 孙玉静 王树彬 +1 位作者 田莳 史晓宇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期892-895,共4页
研究开发了一种低温、快速抛光化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的新技术,该技术是利用金刚石(C)和溶碳活性很高的稀土金属铈(Ce)和过渡金属锰(Mn)所熔炼出的Ce-Mn合金之间的热化学反应,在一定的工艺条件下对金刚石厚膜进行有效的抛光。详... 研究开发了一种低温、快速抛光化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的新技术,该技术是利用金刚石(C)和溶碳活性很高的稀土金属铈(Ce)和过渡金属锰(Mn)所熔炼出的Ce-Mn合金之间的热化学反应,在一定的工艺条件下对金刚石厚膜进行有效的抛光。详细讨论了合金组成对抛光速率和表面粗糙度(Ra)的影响,并且用扫描电镜和拉曼光谱对抛光后的膜表面进行了表征。结果表明:Mn含量较低的合金从抛光率上和抛光效果上考虑都更有利于获得良好抛光的金刚石厚膜,Ce-3%Mn原子比组成的合金,在660℃、抛光2h的实验条件下,使膜的粗糙度由10.8490μm降低到3.6826μm,抛光速率达到37.5μm/h。适量Mn的加入在降低抛光温度的同时仍然可以保证良好的抛光效果,优化了热化学抛光的工艺,而且该抛光技术不会破坏金刚石厚膜质量。 展开更多
关键词 CVD金刚石膜 ce-Mn合金 抛光 表面粗糙度
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常温时添加剂对Ce-Mn转化膜的影响 被引量:11
18
作者 张军军 李文芳 杜军 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期76-82,共7页
为了提高常温下Ce-Mn转化膜在铝合金表面的成膜速度和耐腐蚀性能,在室温、pH=2的Ce(NO3)3和KMnO4的混合溶液中分别添加H3BO3、Zr(SO4)2、NaF、HF、NaBF4和Na2ZrF66种添加剂,研究添加剂对Ce-Mn转化膜的影响.通过光学显微镜、涡流测厚仪... 为了提高常温下Ce-Mn转化膜在铝合金表面的成膜速度和耐腐蚀性能,在室温、pH=2的Ce(NO3)3和KMnO4的混合溶液中分别添加H3BO3、Zr(SO4)2、NaF、HF、NaBF4和Na2ZrF66种添加剂,研究添加剂对Ce-Mn转化膜的影响.通过光学显微镜、涡流测厚仪、点滴腐蚀法、Tafel极化曲线和交流阻抗等研究了膜的金相组织、厚度及耐腐蚀性能等;同时,通过SEM和EDS研究了氟化钠对膜的形貌和成分的影响.结果表明:氟化钠是较佳的常温成膜促进剂,常温下9 min就能成膜,相对于无添加剂的Ce-Mn转化膜,膜厚增加2.3倍,耐点滴腐蚀时间延长2.0倍,腐蚀电流密度降低至原来的1/3,膜电阻提高3.9倍:添加NaF后膜的铈含量从5.14%提高到8.59%,锰含量从7.70%提高到14.42%. 展开更多
关键词 铝合金 成膜促进剂 ce-Mn转化膜 硝酸铈 高锰酸钾 耐蚀性能
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Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质 被引量:2
19
作者 董亮 王豫 +2 位作者 李德柱 李统业 严仲明 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期963-967,共5页
在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长... 在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92. 展开更多
关键词 ce掺杂 WO3薄膜 磁控溅射 显微结构 电学性质
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电解液中掺杂Ce^(4+)对阳极氧化铝膜的影响 被引量:2
20
作者 牛新书 刘山虎 +1 位作者 李华 陈建军 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期38-39,68,共3页
为了研究稀土离子对`多孔氧化铝膜形成过程的影响,在0.3mol/L硫酸电解液中添加不同浓度的Ce^(4+),对铝片进行阳极氧化,并运用SEM、XPD对所得氧化膜进行了表征。通过得到的多孔氧化铝膜发现,Ce^(4+)在电解过程中改变了阳极化过程的电流强... 为了研究稀土离子对`多孔氧化铝膜形成过程的影响,在0.3mol/L硫酸电解液中添加不同浓度的Ce^(4+),对铝片进行阳极氧化,并运用SEM、XPD对所得氧化膜进行了表征。通过得到的多孔氧化铝膜发现,Ce^(4+)在电解过程中改变了阳极化过程的电流强度,但没有改变阳极化的基本过程;Ce^(4+)的加入可使多孔排列更加有序,但Ce^(4+)没有参与膜的构成。 展开更多
关键词 阳极氧化 ce^4+ 多孔氧化模 纯铝 氧化铝模板
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