溶剂萃取法制备的纳米CeF3紫外吸收性能研究

利用Cyanex 923萃取法制备了纳米级CeF3微粉,并研究了分散剂、CeF3量、CeF3预处理灼烧温度和微粉粒径分布等因素对CeF3紫外吸收行为的影响。结果表明,CeF3在255 nm附近有特征吸收峰;分散剂的极性强弱、分散物浓度的改变都会影响吸收峰的强弱;随着粒径的减小,紫外吸收峰发生明显的红移。此外还研究了TiO2包覆CeF3的紫外吸收性质,复合材料在250-400 nm区间内同时出现了TiO2和CeF3的特征吸收峰,复合材料的吸光域范围扩展。

CeF3改性MoS2基润滑涂层的制备及其摩擦学性能

针对MoS2基涂层应用范围受限的问题,以稀土氟化物CeF3为添加剂,对MoS2基润滑涂层进行改性处理,采用喷涂法制备不同CeF3添加量(质量分数0,0.5%,1.0%,2.0%,3.0%,4.0%,6.0%)的改性粘接固体润滑涂层。利用HSR-2M型高速往复式摩擦磨损试验机考察了试样在不同预处理方式(基体粗糙度、预热温度)、不同测试条件(载荷、转速)下的摩擦学性能。结果表明:试样基体表面粗糙度Ra为0.4μm,预热温度为100℃时涂层的摩擦学性能最优;当CeF3的含量为3.0%时,添加剂与固体润滑剂的协同作用较优,此时摩擦系数和磨损量分别为0.207,0.203 mm3;改性涂层的主要磨损机理为磨粒磨损、黏着磨损。

CeF3分解制备CeO2／CeF3催化剂的丙烷氧化脱氢性能

通过分解条件的控制从CeF3制备CeO2/CeF3催化剂.X-射线衍射(XRD)、Raman、低能离子散射谱(LEIS)对制备得到的催化剂进行表征和定量估算,发现CeO2覆盖在CeF3上,随着焙烧温度的升高,CeF3催化剂由外而内分解程度加大.CeF3制备的CeO2/CeF3催化剂的丙烷氧化脱氢(ODHP)性能显著优于CeO2,CeO2覆盖层厚度的增加导致表面F/O摩尔比下降,F-隔离活性位的作用减弱,丙烯选择性由56.3%降低到42.2%.在反应过程中,CeF3核为表面CeO2覆层源源不断地提供F-,进而使催化剂保持较好的ODHP反应性能和稳定性.

基于CEF3的跨平台计算机监控系统开发与应用

为实现计算机监控系统的跨平台使用,以Chromium Embedded Framework(CEF3)作为主程序框架,前端利用HTML5实现跨平台的人机交互界面,后台沿用原系统中的C++基础库及服务程序,借助CEF3实现HTML5页面与后台程序之间的通信,成功研发出一款跨Windows、Linux及Mac OX平台的计算机监控系统。将该系统实地部署在某水电站,并应用于Windows/国产Linux交叉场景,如今已安全、稳定运行1万小时以上。经过验证,该系统不仅完全兼容原监控平台,可满足工业领域水电力行业监控系统的性能要求,而且得益于网页前端开发带来丰富的人力、技术资源,使得该方案在跨平台开发维护成本、迭代速度、灵活性等方面具有明显优势。

CeO2在CeF3-LiF-BaF2熔盐中的溶解过程及电化学行为

研究了CeO2在CeF3-LiF-BaF2熔盐中的溶解机理,并采用钼金属电极研究了Ce(Ⅲ)在CeF3-LiF-BaF2熔盐中的电化学行为。通过循环伏安曲线、计时电流法、恒电位电解法研究了Ce(Ⅲ)的电解还原机理,并采用XRD、SEM、EDS对溶解反应产物和电解产物进行了物相、成分和微观组织分析。结果表明:CeO2可通过与CeF3反应生成CeOF进而溶解于CeF3-LiF-BaF2熔盐中,CeOF可直接被电解还原生成纯度为99.38%~99.81%的金属Ce。Ce(Ⅲ)在Mo电极上的电化学反应是一个单步的三电子可逆过程,反应受扩散控制。

温度梯度法制备CeF3光学镀膜材料的工艺研究

以自制的CeF3粉体为原料,在真空碳管炉中采用温度梯度法制备了CeF3晶体。通过X射线衍射(XRD)、扫描式电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)等分析方法对不同影响因素下的产物进行表征,CeF3晶体进行镀膜实验,并对所得膜层进行光学性能测试。结果表明:采用钨坩埚,在1×10^-2Pa真空度下1500℃保温1 h,以100℃·h^-1的温度梯度降温,可制备得结晶性能良好的CeF3晶体。添加NH4HF2作为脱氧剂可以使产物中氧含量从0. 54%(质量分数)降低到0. 1%。采用两种氧含量的CeF3晶体分别进行镀膜实验,氧含量较低的晶体,其镀膜速率波动曲线较稳定,在±0. 05 nm·s^-1之间波动,说明氧含量的降低可显著改善材料的蒸发特性;镀膜残余由发黑、发白、黑白过度三部分组成,其发黑部分氧含量最高为7. 92%。CeF3膜层性能测试表明,在波长为550 nm处,折射率为1. 6,吸收系数为3×10^-4。

CeF_3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究

用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰。

CeF_3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度

用国内近年新研制的CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管,构成两种闪烁体探测器,在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度,测量结果表明:CeF3闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。

脉冲DT中子场中的CeF_3、ST401闪烁探测器输出比对

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3 和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量。在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3 高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3 高30多倍。由此可得到CeF3 对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体。

快响应无机闪烁体CeF_3的时间特性研究

CeF3是一种新型的适合脉冲γ测量的快响应无机闪烁体。本工作采用上升时间约为0 8ns、半高宽为1 5～2 2ns的脉冲辐射源,对CeF3与光电管构成探测器的时间响应进行了测量。多组实验测量结果表明:CeF3的脉冲响应前沿时间小于2ns,半高宽约10ns,波形响应后沿约60ns,平均发光衰减常数为20～30ns。

新型无机闪烁体CeF_3的时间特性研究

CeF3是新型快响应无机闪烁体,对近年国内研制的CeF3无机闪烁体的时间特性进行了研究,包括脉冲辐射诊断所关心的CeF3对快脉冲γ辐射源的时间响应,如上升时间、半高宽、脉冲后沿;同时推算并使用了用脉冲法获得晶体发光衰减常数的简单估算公式,获得的CeF3衰减常数值与国外研究同行其它测量方法得到的结果基本一致。

低强度脉冲伽马辐射测量中LaCl_3、YAG∶Yb和CeF_3闪烁探测器优选

为了在低强度脉冲伽马辐射测量中获得更精密可靠的测试数据,对La Cl3(50 mm×30 mm)、YAG∶Yb(50mm×50 mm)两种新型闪烁探测器和常用Ce F3(45 mm×20 mm)闪烁探测器的灵敏度、伽马/中子甑别能力、时间响应特性、统计涨落等主要参量进行了实验测量和对比。实验测量结果表明:La Cl3闪烁探测器灵敏度最高;伽马/中子甑别能力比另两种闪烁探测器高1倍以上;时间响应与Ce F3闪烁探测器相当;统计涨落最小(测点注量率相当的情况下)。进行中子、伽马混合脉冲辐射场中的低强度脉冲伽马辐射测量时,三种闪烁探测器中,La Cl3闪烁探测器是一种更佳的实用候选闪烁探测器。

CeF_3掺杂增强纳米晶Si光致发光强度的研究

真空蒸发SiO粉末,在Si(100)基体上制备SiOx薄膜,后续氮气中1100℃退火制备镶嵌在SiO2基体中的纳米晶Si体系(nc-Si/SiO2),然后将该样品放入真空室,在其上沉积CeF3薄膜,不同温度下热处理使Ce3+扩散到nc-Si附近,实现对纳米晶Si的掺杂。通过改变CeF3薄膜厚度调节掺杂浓度,在一定的掺杂浓度下纳米晶Si的光致发光强度明显改善,激发光谱证实荧光增强机制是Ce3+通过强耦合过程对纳米晶Si的能量传递。

YAP:Ce闪烁探测器的γ射线灵敏度研究

使用进口的新型YAP:Ce无机晶体和近年国内研制的CeF3,PbWO4配大线性电流光电倍增管组成闪烁探测器系统,用60Co和137Csγ源实验测量探测系统的γ射线灵敏度;并用MCNP/4B程序进行建模计算;最后对理论计算和实测数据进行了比较,分析研究。得出结论:新型YAP:Ce无机晶体对γ射线的灵敏度相对较高,对60Co源和137Cs源γ射线而言,是同体积的CeF3晶体的10倍多,利于γ射线测量。

近距离n,γ混合脉冲辐射场中γ辐射探测技术

n, γ混合脉冲辐射场中, 在近距离、辐射强度低且中子辐射峰值比被测γ辐射峰值强度高的情况下, 传统γ辐射探测技术实施起来面临困难. 对PbWO4和CeF3等近年国内新研制的无机闪烁体进行了系列研究, 使用CeF3分别配光电倍增管和光电管, 组合出了对γ辐射灵敏度高, 对中子相对不灵敏, 同时脉冲响应也快的光电探测系统, 应用以此为基础的探测技术在近距离n, γ混合脉冲辐射场中, 可将脉冲γ辐射探测信噪比提高一个量级以上.

水溶液法制备CeF_3纳米颗粒

氟化铈（CeF3）具有很高的离子电导率和独特的光学特性，可用于制作化学传感器和光学元器件．CeF3还是良好的固体润滑剂．近年来的研究结果表明，与氟化物粗晶材料相比，纳米尺度的氟化物的性能有显著的提高，因此，其制备方法也很受关注．目前，制备氟化物纳米颗粒的方法有蒸发法、微乳液法、水醇混合溶液法和微波固相氧化还原合成法等．

闪烁体衰减常数值的脉冲波形测量方法

根据闪烁体发光衰减规律和衰减时间常数的定义,建立了闪烁探测器电流输出波形后沿特征量与闪烁体发光衰减时间常数的简洁关系,提出用测量脉冲波形后沿获得闪烁体发光衰减常数的三种简易方法,给出了相应的简单估算公式;在脉冲辐射源场中,测量了新型CeF3闪烁体对快脉冲γ辐射源的时间响应波形,用测量的波形脉冲后沿得到了CeF3衰减常数值;这种方法测量的结果与国外同行其它测量方法得到的结果基本一致。

CeF_3对自保护药芯焊丝熔敷金属中夹杂物和韧性的影响

详细研究了CeF3对自保护药芯焊丝熔敷金属中非金属夹杂物尺寸和分布的影响。结果表明,熔敷金属中的主要非金属夹杂物是AlN和Al2O3。药芯中加入CeF3能够细化夹杂物和降低大尺寸夹杂物的数量,加入适量的CeF3能够提高熔敷金属的低温冲击韧度。稀土改变夹杂物在熔敷金属中的尺寸和分布主要是与夹杂物在熔敷金属凝固时的上浮行为有关,稀土能促进大颗粒夹杂物的上浮。

CeF_3晶体伽玛能响及抗中子能力研究

用Monte Carlo和核物理理论分析的方法研究了CeF3晶体对γ射线的能量响应趋势,并通过实验测量了CeF3晶体与光电倍增管组合构成的闪烁探测器对不同能量的中子和γ射线的灵敏度。结果表明:CeF3晶体在0.3～0.9 MeV能区具有较平坦的γ能量响应曲线,较强的抗中子干扰能力。