LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究

为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据。通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性"收缩",光通量一定程度的衰减。但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压。

集成电路可靠性应用技术

本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式。加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Arrheniusmodel等,该测试技术主要应用于IC设计前端识别失效模式和IC设计定型阶段估算IC正常使用条件下的寿命信息,及时有效的评估IC设计平均寿命;在电子产品制造系统中,常常有两种失效模式:ESD静电损伤和LATCH-UP失效现象,对以上可靠性指标和理论作简要的论述。

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。