一种新型Class AB开关电流存储单元的设计

设计了一种新型高性能Class AB开关电流(SI)第一代存储单元电路。电路由对称的电压反转跟随器(FVF)连接Class AB SI存储单元组成,输入级采用电流传输器结构,输出级采用可调共源共栅结构,电路具有误差小、功耗低、性能高等特点。基于此存储单元,设计了延时器和双线性积分器进行验证。电路采用SMIC 0.18μm工艺,在Spectre中进行仿真。结果表明,该存储单元具有较好的性能和应用价值。

Class-AB型低功耗轨到轨CMOS模拟缓冲器设计

设计了一种新型Class-AB轨到轨CMOS单位增益模拟缓冲器。实现电路基于并行互补差分对输入,在保持整个电路简洁的同时,可提供低功耗Class-AB输出方式,使电路实现轨到轨的电平跟踪功能。使用0.35μm工艺库仿真,结果表明,该缓冲器具备较大的电容驱动能力,可以应用在具有大电容负载的场合。使用特殊设计方式,使电路主极点移动到输出节点上,彻底解决了大负载电容下电路的稳定性问题。电路使用3.3V单极性电源,在负载电阻大于1MΩ时,可以提供完全的轨到轨输出。在20pF负载电容时,输出摆率为+7.9V/μs和-5.8V/μs,整个电路的静态功耗仅为184μW。

一种低功耗大摆率Class-AB OTA电路设计

为提高低功耗条件下运放电路的工作速度,基于Class-AB复合型差分对、非线性电流镜传输、交叉耦合对管正反馈3种结构的有机组合,提出了一种高速运算跨导放大电路(OTA)的结构设计方案.该方案在低功耗条件下,电路具有优异的摆率倍增性能,同时电路小信号带宽与低频增益得到一定程度的改善.电路采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并完成MPW流片.在5 V电源电压下测试得到的电路静态功耗仅为11.2μA,最大上升沿与下降沿摆率分别为10和2 V/μs,低频增益60 dB以上,单位增益带宽达到3 MHz.结果表明,新型Class-AB OTA电路比同类参考OTA电路具有更高的大信号瞬态响应品质因子.

基于FC-AB结构的运放标准化设计流程研究

折叠式共源共栅和Class AB(FC-AB)结构的运算放大器被广泛研究和使用,但是其结构应用的多变性使设计者难以快速准确地设计出符合要求的电路。文章提出了一种标准化的运算放大器设计流程,设计者可以根据应用需求快速灵活地设计目标电路。以电流分配作为设计流程的起始点和调整点,以核心参数作为判据或约束项,进行迭代优化,最终通过相关电流和跨导确定器件尺寸。以流程图形式提出了低噪声运放的设计流程,关键器件尺寸的理论值和设计值平均误差为11.48%。根据该流程设计了一种低噪声运放,并采用0.18μm CMOS工艺进行了加工。运放关键电学参数都满足设计要求,其等效输入噪声为10.8 nV/√Hz,与目标值偏差1.8%。

Inverse Class-AB功率放大器线性度和效率分析

inverse Class-AB模式可以使功率放大器得到更好的性能,但是传统的教科书中并没有这种模式的理论分析因此有必要从理论上对inverse Class-AB模式进行分析。通过对输出波形傅里叶函数的研究可以得到最大输出电压摆幅以及计算最大功率。通过Volterra序列分析法以out-of-band抵消技术我们分析这种模式功率放大器的非线性。最后我们进行了大量的仿真以验证所提出的理论。

一种低功耗高性能AB类运算放大器的设计

为了解决传统运算放大器在物联网系统等低功耗应用中转换速率较低和增益带宽积较小的问题,设计了一种新型的AB类运算放大器。提出了基于差分对管的电流复用技术,将输入晶体管产生的差分电流再次利用,提高了电路的输出电流,获得了更高的转换速率、增益带宽积和直流增益。此外,结合了基于自适应偏置电路的AB类输入级和局部共模反馈电路,使得运算放大器输出级的动态电流摆脱了静态电流的限制,以较小的静态电流获得了较大的动态电流,进一步提升了电路的关键性能参数。基于180 nm CMOS工艺,对运算放大器进行设计和验证。仿真结果表明:在70 pF的负载电容下,正负转换速率分别为23.55 V/μs和-31.47 V/μs,增益带宽积为2.38 MHz,直流增益为63 dB,静态功耗仅为23μW。与传统的AB类运算放大器相比,所提出的电路在实现低功耗的同时具有更高的转换速率、增益带宽积和直流增益,适用于模数转换器和电源管理等低功耗电路系统。

双重股权结构在公司治理中的应用研究

随着中国经济体制改革的加速,外部投资市场资金的流入给上市公司带来了不少机遇。然而,机遇往往伴随着挑战,如何在吸引外部资金的同时,保障创始人的控制权并确保公司的长期稳定发展成为了一个亟待解决的问题。在这样的背景下,双重股权结构应运而生,成为保障创始人控制权的重要手段。文章阐述了双重股权结构的概念、特征、优势与不足,并结合公司治理对双重股权结构的应用提出了针对性的建议,对促进我国资本市场和企业的健康发展具有重要意义。

高性能AB类折叠共源共栅CMOS放大器设计

设计了一种高性能AB类折叠共源共栅CMOS音频放大器。该放大器的输入级采用折叠共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;输出级采用AB类推挽结构,实现了全摆幅输出。基于65nm/2.5VCMOS工艺,对整个电路进行Hspice仿真。结果表明,设计的放大器开环增益为140dB,电源抑制比为138dB,共模抑制比为117dB,总谐波失真为-113dB。该放大器已被应用于音频Σ-ΔA/D转换器的设计中。

多功能AB类四象限模拟乘法器

在AB类电流镜基础上应用跨导线性原理设计出一种新颖的电流平方/电流跟随器,并以该模块为基本单元综合设计出一种多功能的四象限模拟乘法器.该乘法器在内部结构和元件参数不变的情况下,根据输入、输出信号的选择可以实现电压模式和电流模式乘法器.采用TSMC 0.35μm CMOS集成工艺对电路进行PSPICE仿真测试,结果表明提出的电路具有带宽宽、功耗低、线性度好等优点,可以作为一个基本模块在电流模式和电压模式电路中应用.

高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计

CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%.

AB类功率放大器的设计与仿真研究

在比较A类、B类、C类和介于A类、B类中间的AB类四类功放电路各自优缺点的基础上,提出功率放大器工作点的选取以及通过阻抗匹配来实现高效率的方法。讨论了放大器输入回路阻抗变换电路、晶体管放大电路以及输出回路阻抗变换电路的设计思想,运用电报方程从理论上推导出用于信号源和晶体管之间阻抗变换的传输线变压器输入输出阻抗计算公式,由此设计出模拟信号处理电路中非常重要的AB类高功率放大器。仿真和实验结果表明,放大器在1 MH z^50 MH z的范围内,输入0.1W时输出为1W,其增益达到10 dB,并且失真率非常低。

一种AB类输出的高精度CMOS正向电流传输器

基于CSMC0．5μm工艺，在两级CMOS运放的基础上，设计了一种结构简单、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器（CCII＋）。设计中，通过采用AB类推挽输出方式，达到了降低静态功耗和提高电流驱动能力的目的；应用密勒电容与调零电阻串联的补偿方式，有效地改善了CCII＋的频率响应特性；分析了AB输出级晶体管对静态电流的影响。HSPICE仿真结果表明，在1．5V供电电压下，该CCII＋的电压跟随误差仅为0．0534dB，-3dB带宽达到201MHz；电流传输误差为0dB，-3dB带宽达到54．4MHz，X端输入电阻低于0．57Q，电流驱动能力为-0．2～1．2mA，电路功耗为2．54mW。

AB类功率放大器驱动电路的研究与设计

功率放大器是无线系统的重要组成部分,驱动电路是任何一类功放都必不可少的。各类功放的设计已有大量的文献发表,但只有较少的专利和文献涉及驱动电路的设计。AB类功率放大器是目前应用比较多的一种,因此AB类功放驱动电路的研究具有重要意义。针对MOS管的BSIM3模型,提出和分析了AB类经典功放的多种驱动电路方案,最后用HSpice对每个所设计的驱动电路进行了精确的仿真,验证了其可行性及正确性。

具有温控保护的低谐波失真AB类音频功放

设计了一款应用于电视机、PC音响等系统的AB类四通道音频功率放大器。实现最低谐波失真为0．148％。同时提出了一种新型BE结负温反馈温度监控保护电路。在电路中设置温度传感器，当芯片温度高于150℃或局部温度高于180℃时，关断功率输出级2．8ms。使用先进3μm高压双极型工艺进行版图设计并成功流片。对芯片实测显示，此功放可提供1～50W的功率输出，输出效率达到35％，总谐波失真小于1％。

低压AB类电流模电路设计

描述实现低电源电压的电流模电路的设计方法。本方法是建立偏置电路的基础上,利用多晶硅电阻和附助差分放大器,将对电源电压需求降到V_T+3V_(DS.sat)。用电流镜和跨导器的设计举例说明这种设计方法的运用。采用0.5-um工艺,PSPICE仿真结果证实上述电路在低压能力和速度上能达到期望的性能。

基于Volterra级数快速设计AB类射频功放偏置电路

AB类是兼顾射频功率放大器线性度和效率的一种偏置类型,偏置电路对AB类功率放大器的性能有很大影响。为达到最优性能,通常偏置电路的参数需要通过多次试验来确定。本文提出了一种基于Volterra级数的优化设计方法,该方法利用Volterra级数和基尔霍夫电流定律(KCL),可以计算出兼顾放大器效率和线性的最佳输入偏置。由此可以在设计过程中快速确定最佳偏置参数,从而简化了设计和调测的过程。流片测试结果验证了这种设计方法的有效性。

一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 m V电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 p F,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.

英语AB级统测对高职学生的心理影响及对策

高等学校英语应用能力考试(英语AB级统测)对考核高职院校学生的英语水平、检查教学大纲的执行情况、推动高职院校的英语教学改革起到了积极的作用,但同时也对高职学生产生了一些积极的和消极的心理影响。了解英语AB级统测对学生的心理影响,研究对策,是确保高等学校英语应用能力考试有效的途径之一。

一种全NPN AB类输出级设计

高性能的输出级是运算放大器和功率放大器的重要组成部分,AB类输出级因其具有高转换效率和低失真的特性而被广泛应用。对于标准双极工艺,NPN晶体管的工作频率远高于PNP晶体管。本文采用全NPN晶体管实现了一种高速、宽输出电压摆幅的输出级,可以达到更高的工作频率,能够满足高速和宽带的需求。该输出级还具有输出短路电流保护、全电源电压保护和ESD保护功能,已应用到某运算放大器的设计中。经测试验证,可满足信号处理的要求。

音频功放芯片中AB类输出运放的设计

采用0．6μmDPDM工艺，设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器，其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出，其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构，偏置部分采用外部电流源供电，并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3～5V，在5V下的静态功耗为6mW。能驱动32Ω耳机，其最大输出功率是90mW。仿真结果表明，电路性能优良。