具有自动稳幅功能的软激励C类大功率射频振荡器

介绍了一种具有自动稳幅功能的软激励C类大功率射频振荡器。大功率射频振荡器已经广泛应用于电力电子、射频电源、低温等离子体、高频感应加热等领域。该大功率射频振荡器能够输出较高的输出电压和输出功率,并且通过对输出电压采样控制MOS管的静态工作点,稳定输出电压;另外,该设计电路起振时工作在AB类状态,稳定工作时在自动稳幅电路的作用下进入C类工作状态,实现了C类射频振荡器的软激励。最后通过仿真和实物电路测试了电路性能,并给出了振荡器输出电压、输出功率与MOS管工作状态关系的经验公式。

一种低功耗C类LC压控振荡器

采用SMIC 65nm标准CMOS工艺,设计了一种新型的低功耗电容电感压控振荡器(LC VCO)。采用幅度监测负反馈技术,保证振荡器正常启动并且工作于C类工作状态,最大程度地增加输出摆幅。与常规C类电容电感压控振荡器不同,采用电流复用技术可以在保证性能不变的情况下使VCO的功耗下降50%。后仿真结果表明,在1.2V电源电压下,该压控振荡器的功耗为1.1mW,相位噪声为-123dBc/Hz@1MHz,FOM为190,振荡频率范围为2.3~2.6GHz,可调谐范围为12%。

基于Multisim高频电子线路虚拟实验室的探讨

针对传统高频电路实验中存在的问题,提出在实验教学中引入Multisim进行仿真.利用Multisim对高频电路的典型电路丙类功率放大器和负阻振荡器进行了仿真,其各项结果与理论一致,且可方便地改变电路参数,观察不同条件下电路的工作情况.虚拟实验既能降低实验成本又能使实验在时间和空间上得到有效的延伸,是传统实验的一个必要的有益补充.

一种超低功耗低相噪FBAR振荡器

提出了一种基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的差分Colpitts振荡器。相比于传统Colpitts振荡器,该差分Colpitts振荡器移除了尾电流源,减少了近偏频相位噪声。交叉耦合差分对与耦合变压器的结合提高了有效负跨导,减小了振荡电路对启动电流的要求,增加了低电源电压下的输出摆幅,降低了相位噪声。该振荡器工作于C类状态,有效提高了电流利用率,保证电流相等条件下达到更好的相位噪声性能。选用具有高Q值的1.865 GHz-FBAR作为振荡器的谐振腔,CMOS电路基于SMIC 55 nm RFCMOS工艺完成。仿真结果表明,在0.6 V电源电压下,输出载波频率为1.876 GHz, 1 kHz偏频、1 MHz偏频时相位噪声分别达-84 dBc/Hz、-146 dBc/Hz,功耗仅为83μW,整体FOM值为-225 dB。

一种具有自动幅值控制的C类LC压控振荡器电路设计

由于芯片制造和应用过程中存在工艺、电压和温度(Process Voltage Temperature,PVT)的变化导致的射频LC压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)设计中的鲁棒性问题,提出了一种具有自动幅值控制环路(Automatic Amplitude Control,AAC)的C类LC压控振荡器(Class-C LC VCO)电路。仿真结果表明,所提出的电路设计能确保振荡器单端振幅峰峰值在任意PVT变化下,大于设定下限,且振幅峰峰值大于600 mV时,C类LC压控振荡器于工作频率频偏100 kHz处最小优值(FoM)为182 d Bc/Hz。

基于西勒振荡器的高频功率放大电路设计

根据正弦波振荡电路的起振原理,设计了西勒振荡器,作为高频功率放大电路的输入端。利用射极跟随器可连接于两电路中间起缓冲作用的特性,设计了缓冲电路。整个设计末端,用一个丙类谐振功放来进一步增强输出电压和输出功率。采用LTspice软件对设计的高频功率放大电路特性进行模拟仿真与分析,验证了理论分析的正确性与可行性。